纳米半导体ZnS的带隙（能隙）是多少？？上下值各是多少？？

ZnS是一种直接带隙的半导体材料，具有闪锌矿和纤锌矿两种结构，禁带宽度为3.6～3.8eV，它具有良好的光电性能，广泛应用于各种光学和光电器件中，如薄膜电致发光显示器件、发光二极管、紫外光探测器件、太阳能电池等。传统的化合物薄膜太阳能电池，一般采用化学浴法制备的CdS薄膜作为缓冲层材料，并且已经获得了较高的电池转换效率。后来人们逐渐意识到CdS是一种对环境和人体有害的材料，要研究制备无污染的太阳能电池就该寻找新的材料作为替代。在以后的研究中人们慢慢发现ZnS是替代CdS的良好的材料。首先，ZnS不含任何有毒元素，满足了人们环保的要求；其次，ZnS(3.6～3.8eV)的禁带宽度比CdS(2.4eV)大得多，用它作缓冲层材料可以使更多的短波区的光照射到吸收层上，有利于获得蓝光区的光谱响应，提高太阳能电池的转换效率。Cu(InGa)Se2／ZnS结构电池转换效率已经达到18.6％，而CuInS2／ZnS结构电池转换效率也已达到了10.7％。（CuInS2是I-III-vI）族化合物中最理想的吸收层材料，其理论光电转换效率为27％--32％）希望你能满意！

1.2eV～3.9eV，是半导体的定义，但是现代发展已经不限于此，比如石墨烯的高速高频低功耗半导体就只有0.3～0.7eV，而蓝光led禁带是4.1，军用的抗干扰半导体是4.7～5eV。

越大越好。宽带隙半导体，是指室温下带隙大于2.0电子伏特的半导体材料。从物理学上带隙越宽，其物理化学性质就越稳定，抗辐射性能越好，寿命越长，与此相对应，带隙宽的一个缺点是这种材料对太阳光的吸收较少，光电转换效率低。

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