数字电视的视频压缩技术

论文题目是：数字电视接收机的视频压缩技术

帮写内容：（1）选题依据及研究意义；

（2） 选题研究现状；

（3）研究内容（包括基本思路、框架、主要研究方式、方法

等）

一共是三点，请大家教一下我这三点该怎么写？！

注明：论文我已经写好了：下面是论文提纲(含论文选题、论文主体框架)

论文选题：数字电视接收机的视频压缩技术

第一章：绪论

一、数字电视的发展及视频压缩的必要性；

二、视频图象数字压缩的客观依据；

三、数字电视与接收机（机顶盒）；

四、电视信号模数转换标准；

第二章:数字电视机顶盒技术

一、什么是数字电视机顶盒；

二、数字电视机顶盒的基本原理；

三、数字电视机顶盒的结构；

四、数字电视机顶盒的主要技术；

第三章：视频压缩编码技术

一 空间或时间性编码；

二. 加权；

三. 遍历(Scannng)；

四. 熵编码；

五. 空间性编码器；

六. 时间性编码；

七. 运动补偿；

八. 双向编码；

九. I、P 和B 画面；

十. MPEG 压缩器；

十一. 预处理；

十二. 类和级；

十三. 小波；

第四章：视频图象压缩标准

一、H．261标准；

二、JPEG标准；

三、MPEG-1压缩编码标准；

四、MPEG-2压缩编码标准；

五、MPEG-4压缩编码标准；

结束语 ；

参考文献 ；

问题补充：题目是学校帮我选择的！ 大家可以帮忙把这三点写一下吗？ 我真不知道该怎么写！ 或者大家帮我写前两点也好了~ 谢谢帮我忙的所有朋友！ 拜托各位了！我开题16号就要交了

看看这个能不能帮您！

一、如何选择问题

我一起萦绕于怀的，是在写博士论文开题报告的一年多时间里，导师薛澜教授反复追问的一个问题：“你的 puzzle 是什么？”多少次我不假思索地回答“我的问题就是，中国的半导体产业为什么发展不起来。”薛老师问题以其特有的储蓄，笑而不答。我在心中既恼火又懊丧：这么简单的道理，这么明显的答案，到底哪儿不对了？！

奥妙就在于提出问题的“层次”。不同于政策研究报告，学术文章聚集理论层面、解决理论问题。理论是由一系列前设和术语构造的逻辑体系。特定领域的理论有其特定的概念、范畴和研究范式。只有在相同的概念、视角和范式下，理论才能够对话；只有通过对话，理论才能够发展。极少有硕博论文是创造新理论的，能这样当然最好，但难度很大。我们多数是在既有理论的基础上加以发展，因此，在提出问题时，要以“内行”看得懂的术语和明确的逻辑来表述。审视我最初提出的问题“中国半导体产业为什么发展不起来”，这仅仅是对现象的探询，而非有待求证的理论命题。我的理论命题是：“中国产业政策过程是精英主导的共识过程吗？”在这个命题中，“政策过程”、“精英政治”、“共识诉求”三个术语勾勒出研究的理论大体范围和视角。

其次，选择问题是一个“剥笋”的过程。理论问题总是深深地隐藏在纷繁复杂的现实背后，而发现理论问题，则需要运用理论思维的能力。理论思维的训练是一个长期积累的过程。不过初学者也不必望而却步，大体上可以分“三步走”：第一步，先划定一个“兴趣范围”，如半导体产业、信息产业、农村医疗、高等教育体制等，广泛浏览相关的媒体报道、政府文献和学术文章，找到其中的“症结”或“热点”。第二步，总结以往的研究者大体从哪些理论视角来分析“症结”或“热点”、运用了哪些理论工具，如公共财政的视角、社会冲突范式等。第三步，考察问题的可研究性，也就是我们自己的研究空间和研究的可行性。例如，西方的理论是否无法解释中国的问题？或者同一个问题能否用不同的理论来解释？或者理论本身的前提假设、逻辑推演是否存在缺陷？通过回答这些问题，我们找到自己研究的立足点。不过还要注意我们研究在规定的一到两年时间内，是否可能完成？资料获取是否可行？等等。

最后，如何陈述问题？陈述问题实质上就是凝练核心观点的过程。观点应当来自对现实问题的思考和总结，而不是为了套理论而“削足适履”。中国的政治、经济和社会发展充满动态的、丰富的景象，如何才能用恰当的术语、准确的逻辑表述出来呢？雄心勃勃的初学者往往提出宏伟的概念或框架，但我的建议是尽可能缩小研究范围、明确研究对象，从而理清对象的内存逻辑，保证能在有限的时间内完成规范的学

术论文。如“中国半导体产业政策研究”就是一个非常含糊的陈述，我们可以从几个方面来收缩话题：（ 1 ）时间：从 1980 年到 2000 年；（ 2 ）对象：政府的叛乱者和决策行为，而不是市场、企业、治理结构等；（ 3 ）视角：政治和政府理论中的精英研究；（ 4 ）案例： 908 工程、 909 工程、 13 号文件和《电子振兴》，这是发生在 1980 － 2000 年间半导体政策领域的两个重大工程和两个重要文件。通过这样的明确界定，我们将目光集中在“政策过程”、“精英”、“共识”几个显而易见的概念上，问题也就水落石出了。同时，问题清楚了，我们在筛选信息和资料时也就有了明确的标准，在这个“信息冗余”的时代，能够大大提高研究效率。

二、 如何做文献综述

首先需要将“文献综述（ Literature Review) ”与“背景描述 (Backupground Description) ”区分开来。我们在选择研究问题的时候，需要了解该问题产生的背景和来龙去脉，如“中国半导体产业的发展历程”、“国外政府发展半导体产业的政策和问题”等等，这些内容属于“背景描述”，关注的是现实层面的问题，严格讲不是“文献综述”，关注的是现实层面问题，严格讲不是“文献综述”。“文献综述”是对学术观点和理论方法的整理。其次，文献综述是评论性的（ Review 就是“评论”的意思），因此要带着作者本人批判的眼光 (critical thinking) 来归纳和评论文献，而不仅仅是相关领域学术研究的“堆砌”。评论的主线，要按照问题展开，也就是说，别的学者是如何看待和解决你提出的问题的，他们的方法和理论是否有什么缺陷？要是别的学者已经很完美地解决了你提出的问题，那就没有重复研究的必要了。

清楚了文献综述的意涵，现来说说怎么做文献综述。虽说，尽可能广泛地收集资料是负责任的研究态度，但如果缺乏标准，就极易将人引入文献的泥沼。

技巧一：瞄准主流。主流文献，如该领域的核心期刊、经典著作、专职部门的研究报告、重要化合物的观点和论述等，是做文献综述的“必修课”。而多数大众媒体上的相关报道或言论，虽然多少有点价值，但时间精力所限，可以从简。怎样摸清该领域的主流呢？建议从以下几条途径入手：一是图书馆的中外学术期刊，找到一两篇“经典”的文章后“顺藤摸瓜”，留意它们的参考文献。质量较高的学术文章，通常是不会忽略该领域的主流、经典文献的。二是利用学校图书馆的“中国期刊网”、“外文期刊数据库检索”和外文过刊阅览室，能够查到一些较为早期的经典文献。三是国家图书馆，有些上世纪七八十年代甚至更早出版的社科图书，学校图书馆往往没有收藏，但是国图却是一本不少（国内出版的所有图书都要送缴国家图书馆），不仅如此，国图还收藏了很多研究中国政治和政府的外文书籍，从互联网上可以轻松查询到。

技巧二：随时整理，如对文献进行分类，记录文献信息和藏书地点。做博士论文的时间很长，有的文献看过了当时不一定有用，事后想起来却找不着了，所以有时记录是很有必要的。罗仆人就积累有一份研究中国政策过程的书单，还特别记录了图书分类号码和藏书地点。同时，对于特别重要的文献，不妨做一个读书笔记，摘录其中的重要观点和论述。这样一步一个脚印，到真正开始写论文时就积累了大量“干货”，可以随时享用。

技巧三：要按照问题来组织文献综述。看过一些文献以后，我们有很强烈的愿望要把自己看到的东西都陈述出来，像“竹筒倒豆子”一样，洋洋洒洒，蔚为壮观。仿佛一定要向读者证明自己劳苦功高。我写过十多万字的文献综述，后来发觉真正有意义的不过数千字。文献综述就像是在文献的丛林中开辟道路，这条道路本来就是要指向我们所要解决的问题，当然是直线距离最短、最省事，但是一路上风景颇多，迷恋风景的人便往往绕行于迤逦的丛林中，反面“乱花渐欲迷人眼”，“曲径通幽”不知所终了。因此，在做文献综述时，头脑时刻要清醒：我要解决什么问题，人家是怎么解决问题的，说的有没有道理，就行了。

三、如何撰写开题报告

问题清楚了，文献综述也做过了，开题报告便呼之欲出。事实也是如此，一个清晰的问题，往往已经隐含着论文的基本结论；对现有文献的缺点的评论，也基本暗含着改进的方向。开题报告就是要把这些暗含的结论、论证结论的逻辑推理，清楚地展现出来。

写开题报告的目的，是要请老师和专家帮我们判断一下：这个问题有没有研究价值、这个研究方法有没有可能奏效、这个论证逻辑有没有明显缺陷。因此，开题报告的主要内容，就要按照“研究目的和意义”、“文献综述和理论空间”、“基本论点和研究方法”、“资料收集方法和工作步骤”这样几个方面展开。其中，“基本论点和研究方法”是重点，许多人往往花费大量笔墨铺陈文献综述，但一谈到自己的研究方法时但寥寥数语、一掠而过。这样的话，评审老师怎么能判断出你的研究前景呢？又怎么能对你的研究方法给予切实的指导和建议呢？

对于不同的选题，研究方法有很大的差异。一个严谨规范的学术研究，必须以严谨规范的方法为支撑。在博士生课程的日常教学中，有些老师致力于传授研究方法；有的则突出讨论方法论的问题。这都有利于我们每一个人提高自己对研究方法的认识、理解、选择与应用，并具体实施于自己的论文工作中。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

定义

IGBT结构图左边所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

[编辑本段]工作特性

静态特性

IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。 IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on) 可用下式表示 Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh 式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。 通态电流Ids 可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos 式中Imos ——流过MOSFET 的电流。 由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。

动态特性

IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。 IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。 IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时间 t(off)=td(off)+trv十t(f) 式中，td(off)与trv之和又称为存储时间。 IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。 正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。

[编辑本段]发展历史

1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构（P-N-P-N四层组成），其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。 80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS（双扩散形成的金属-氧化物-半导体）工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT（非穿通）型设计。后来，通过采用PT（穿通）型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进，这是随着硅片上外延的技术进步，以及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的[3]。几年当中，这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构，其设计规则从5微米先进到3微米。 90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是采用从大规模集成（LSI）工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，但仍然是穿通（PT）型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。 硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变，先是采用非穿通（NPT）结构，继而变化成弱穿通（LPT）结构，这就使安全工作区（SOA）得到同表面栅结构演变类似的改善。 这次从穿通（PT）型技术先进到非穿通（NPT）型技术，是最基本的，也是很重大的概念变化。这就是：穿通（PT）技术会有比较高的载流子注入系数，而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面，非穿通（NPT）技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率，不过其载流子注入系数却比较低。进而言之，非穿通（NPT）技术又被软穿通（LPT）技术所代替，它类似于某些人所谓的“软穿通”（SPT）或“电场截止”（FS）型技术，这使得“成本—性能”的综合效果得到进一步改善。 1996年，CSTBT（载流子储存的沟槽栅双极晶体管）使第5代IGBT模块得以实现[6]，它采用了弱穿通（LPT）芯片结构，又采用了更先进的宽元胞间距的设计。目前，包括一种“反向阻断型”（逆阻型）功能或一种“反向导通型”（逆导型）功能的IGBT器件的新概念正在进行研究，以求得进一步优化。 IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导d发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。 现在,大电流高电压的IGBT已模块化,它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外,现在已制造出集成化的IGBT专用驱动电路.其性能更好,整机的可靠性更高及体积更小。

[编辑本段]输出特性与转移特性

IGBT与MOSFET的对比MOSEFT全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

[编辑本段]模块简介

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

[编辑本段]等效电路

IGBT模块的选择

IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。

使用中的注意事项

由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点： 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下 *** 作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。 在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。 在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。

保管时的注意事项

一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75％左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合； 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方； 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物； 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。 IGBT模块由于具有多种优良的特性，使它得到了快速的发展和普及，已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能，了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。

TI公司简介：

德州仪器（Texas Instruments），简称TI，是全球领先的半导体公司，为现实世界的信号处理提供创新的数字信号处理（DSP）及模拟器件技术。除半导体业务外，还提供包括教育产品和数字光源处理解决方案（DLP）。TI总部位于美国得克萨斯州的达拉斯，并在25多个国家设有制造、设计或销售机构。

TI革新史：

1954年 生产首枚商用晶体管；

,wbV1J.p0 1958年 TI工程师Jack Kilby发明首块集成电路（IC）；灵机网"Re4Y)m&M5jVC

1967年 发明手持式电子计算器；灵机网y%}.r&b$z4B z

1971年 发明单芯片微型计算机；

KFF|*EP0 1973年 获得单芯片微处理器专利；

bS+{1h2EI {P0 1978年 推出首个单芯片语言合成器，首次实现低成本语言合成技术；灵机网@#t:oPC:l Ce

1982年 推出单芯片商用数字信号处理器（DSP）；灵机网\5n/rH-mD l!HD

1990年 推出用于成像设备的数字微镜器件，为数字家庭影院带来曙光；灵机网 ZU_Cuf

1992年 推出microSPARC单芯片处理器，集成工程工作站所需的全部系统逻辑；

uB2z$uzdH1e.q/f0 1995年 启用Online DSP LabTM电子实验室，实现因特网上TI DSP应用的监测；

Em[ Ph\gk0 1996年 宣布推出0.18微米工艺的Timeline技术，可在单芯片上集成1.25亿个晶体管；

_+a'SP ie ZK0 1997年 推出每秒执行16亿条指令的TMS320C6x DSP，以全新架构创造DSP性能记录；

.^}xI fX k~7Y0 2000年 推出每秒执行近90亿个指令的TMS320C64x DSP芯片，刷新DSP性能记录，

1s gLQ|c2UuV0 推出业界上功耗最低的芯片TMS320C55x DSP，推进DSP的便携式应用；灵机网|(sPtzD"Y6O

2003年 推出业界首款ADSL片上调制解调器——AR7；

f3bj4}b[ {0 推出业界速度最快的720MHz DSP，同时演示1GHz DSP；灵机网mR/^pX2OBE

向市场提供的0.13微米产品超过1亿件；

}-@Cg*Qg0 采用0.09微米工艺开发新型OMAP处理器。

灵机网$u%`2M A%w,@:c6X X

图为TI公司的LOGO

TI为全球众多的最终用户提供完整的解决方案：

TI在DSP市场排名第一；

Jf.Tit ]$A |y0 TI在混合信号/模拟产品市场排名第一；

S6z]%|aHD~(\0Q0 1999年售出的数字蜂窝电话中，超过半数使用的是TI的DSP解决方案。其中，诺基亚、爱立信、摩托罗拉、索尼等世界主要手机生产厂商均采用TI的DSP芯片；

WQTB PO0 全球每年投入使用的调制解调器中，有三分之一使用TI的DSP。TI是世界上发展最快的调制解调器芯片组供应商；

)k(Tp1_cjk1R8G0 全球超过70%的DSP软件是为TI的DSP解决方案而编写；灵机网 N Ppk7Y&iv)l

TI占有北美图形计算器市场80%以上的份额；灵机网X$R"LN W2X^

TI在世界范围内拥有6000项专利。

封装方式——Socket 架构是主流

S E C C2 封装、F C -P GA 封装、BGA 封装S l o t A 、S o c k e t 3 70 、S o c k e t 4 62 ……现在，如果您 有一段时间不关注IT 媒体或者隔两个月再去一趟配件市场，您必定会惊奇地发现，CPU 又变了。以 市场上最常见的S o c k et 系列为例，主流的F C -P GA 封装对应的自然是S o c k e t 3 70 接口，这种插脚接 口是一种方形的多针角零插拔力插座，插座上有一根拉杆，在安装和更换C PU 时只要将拉杆向上拉 出，就可以轻易地插进或取出CPU 芯片了。在S o c k e t 3 70 插座上可以安装最新的P Ⅲ C o p p e r m i ne 处理器、C e l e r on 系列处理器和VIA 的C y r i x Ⅲ处理器等。

再来看看Slot 系列的Slot 1 和Slot A 。Slot 1 接口方式是由Intel 公司最早提出来的一种狭长 的242 引脚插槽，可以支持采用SEC(单边接触)封装技术的早期Pentium Ⅱ、Pentium Ⅲ和Celeron 处理器。除了接口方式不同外，S l o t 1 所支持的特性与S u p e r 7 系统没有太大的差别。S l o t A 接 口标准则是由A MD 提出的，支持AMD 的K7 处理器。虽然从外观上看S l o t A 与S l o t 1 十分相像，但 是由于它们的电气性能不同，两者并不兼容。

进入2 0 00 年，随着A t h l on 将自己的L 2 C a c he 放入Die(芯片内核)，Socket 接口的A t h l on 出 现也成为可能，于是伴着A M D T h u n d e r b i r d(雷鸟)处理器的诞生，S o c k e t A(也称S o c k e t 4 6 2)封装随之出现。S o c k e t A 接口的大小与S o c k e t 7 和S o c k e t 3 70 类似，但其接口在整体的布局 中缺了一些针脚，这就是为了防止在将S o c k e t 3 70 处理器插入插槽时发生意外的错误。但并不 是所有的T h u n d e r b i r d(雷鸟)处理器都是S o c k e t A 封装，为了支持其O EM 的S l o t A 系统设计， 市场上S l o t A 封装的T h u n d e r b i rd 和S o c k e t A 的雷鸟都可以见到，这也是让普通消费者在选择 时极易产生误会的地方。封装方式的改变表面上看只是外形上的变化，其实不然，技术、成本 和消费者最关心的最终价格与C PU 的封装方式可以说是密不可分的，因此大家在关注C PU 性能的同 时，千万不要忽视了C PU 的封装技术。

三、缓存——全速L2 Cache

缓存就是指可以进行高速数据交换的存储器，它先于内存与C PU 交换数据，因此速度极快，所 以又称为高速缓存。与处理器相关的缓存一般分为两种:L1 Cache(片内缓存)和L2 Cache(二级缓存)。

Pentium 时代的处理器把L1 Cache 集成在CPU 内部，而L2 Cache 则做在主板上以与C PU 外频相同的

频率工作。到了S l o t 1 时代，P e n t i u m Ⅱ处理器的缓存封装方式与旧的S o c k e t 7 架构完全不同， L 2 C a c he 开始做到了处理器上，并以处理器速度一半的频率工作，这便是I n t el 引以为荣的双独立 总线结构。在这种结构中，一条总线联接L2 高速缓存，另一条负责系统内存，这样便使整个系统的速度得到了很大的提高。

后来AMD 在其S u p e r 7 平台的最后一款产品K6-3 中首次使用了三级缓存技术，它包括一个全速 6 4 K B L 1 C a c he，一个内部全速256KB L2 Cache，还有主板上运行在100MHz 频率下的L 3 C a c he 。

这种三级缓存技术使得K6-3 的性能有很大提高，与同频的Pentium Ⅱ相比，其速度也要略快一筹。 而在新一代CPU 技术中，缓存技术得到了更进一步的发展，如A M D D u r o n(钻龙，俗称毒龙)处理器 的L2 Cache 已为6 4 KB，L1 Cache 高达1 2 8 KB，高端的Thunderbird(雷鸟)处理器更是达到了128KBL1 Cache 和256KB L2 Cache 的高速缓存。从理论上讲， L2 Cache 全内置并与处理器同频工作是大势所趋，而这 也正是决定C PU 处理器性能的一个关键环节所在。

四、指令集——M M X 、S S E 和3DNow !唱主角

2000 年的主流CPU 产品似乎更关注于在硬件技术上的 推陈出新，并没有在C PU 指令集方面出更多的新招。应 用最广泛的仍然是Intel 的MMX 、SSE 和AMD 的3DNow!指令集，并且将继续向前发展。而V IA 的 Cyrix Ⅲ处理器则同时支持Intel 的M MX 和AMD 的3DNow!多媒体指令集。

---