哪些行业是属于半导体

哪些行业是属于半导体,第1张

1、计算机(Computer)、通信(Communication)、消费电子(ConsumerElectronics)、汽车电子和工业控制等行业是属于半导体行业的。2、半导体行业(Semiconductorindustry)隶属电子信息产业,属于硬件产业,是以半导体为基础而发展起来的一个产业。

半导体行业的产业链主要是由芯片设计 、 代工制造 、 封装测试三部分 , 以及产业链外部的材料 , 设备供应商组成 。

半导体细分领域

【设计工具】

EDA软件

半导体设计: 民德电子、欧比特(IC设计)、寒武纪(SOC芯片设计)、格科微、华微电子、力合微(芯片设计原厂)

【芯片设计】

集成电路包括存储芯片(NANDFlash、NORFlash、DRAM)、CPU、GPU、MCU、FPGA、DSP、触控与指纹识别芯片、射频前端芯片、模拟芯片。

存储芯片: 兆易创新、北京君正、国科微、聚辰股份(NORFlash)

CPU(中央处理器): 、中科曙光、长电 科技

GPU(图形处理器): 景嘉微

MCU(微控制器): 兆易创新、富满微、芯海 科技 、*ST大唐、力合微

FPGA(半定制电路芯片): 紫光国微、复旦微电、安路 科技

DSP(数字信号处理器): 国睿 科技 、四创电子、力合微

触控与指纹识别芯片: 汇顶 科技 、兆易创新

射频前端芯片: 卓胜微、三安光电、富满微、立昂微(6英寸砷化镓微波射频芯片)、艾为电子

模拟芯片: 圣邦股份、韦尔股份、汇顶 科技 、北京君正、芯海 科技 (模拟信号链)、亚光 科技 (孙公司华光瑞芯是模拟芯片研发生产商)、艾为电子

数字芯片: 晶晨股份、乐鑫 科技 、瑞芯微、全志 科技

功率芯片: 斯达半导、捷捷微电、晶丰明源

WiFi芯片: 华胜天成、博通集成

2.光电器件

LED: 三安光电(砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及的外延片、芯片)、洲明 科技 、华灿光电(LED外延片及全色系LED芯片)、聚灿光电(GaN基高亮度LED外延片、芯片)、乾照光电(全色系LED外延片和芯片)、利亚德

Miniled: 京东方A、TCL

3.分立器件包含IGBT、MOSFET、功率二极管、晶闸管、晶振、电容电阻

IGBT: 斯达半导、时代电气、台基股份、士兰微、扬杰 科技 、紫光国微、华微电子、新洁能

MOSFET: 华润微、士兰微、富满微、立昂微、扬杰 科技 、银河微电、捷捷微电、苏州固锝、新洁能

功率二极管: 扬杰 科技 、台基股份(整流管)、士兰微(快恢复二极管FRD、瞬态抑制二极管TVS、发光二极管)、银河微电、华微电子、苏州固锝

晶闸管: 捷捷微电、台基股份、捷捷微电、派瑞股份(高压直流阀用晶闸)

晶振: 泰晶 科技

电容电阻: 风华高科

4.传感器

敏芯股份(MEMS传感器)、华润微(智能传感器)、士兰微(MEMS传感器)、光莆股份(半导体光电传感器)

【代工制造】

晶圆加工: 中芯国际

开放式晶圆制造: 华润微

MEMS晶圆制造: 赛微电子

【封装测试】

长电 科技 、通富微电、华天 科技 、晶方 科技 、康强电子、华润微、大港股份、气派 科技 、华微电子、兴森 科技 (半导体测试板)、苏州固锝

【晶圆制作材料】

硅片: 沪硅产业、中环股份、立昂微(半导体硅片)、神工股份(单晶硅材料)、中晶 科技

光刻胶: 南大光电、容大感光、飞凯材料、晶瑞股份、雅克 科技 、安泰 科技

特种气体: 华特气体、雅克 科技

湿电子化学品: 江化微

靶材: 江丰电子、隆华 科技 、有研新材、阿石创(溅射靶材)、江丰电子(高纯溅射靶材)

CMP抛光材料: 安集 科技 、鼎龙股份

高纯试剂: 上海新阳、晶瑞股份、

【第三代半导体】

氮化镓GaN :富满电子、奥海 科技 (氮化镓充电器)、聚灿光电(GaN基高亮度LED外延片、芯片)、闻泰 科技 、赛微电子[6-8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)]、海能实业(快充氮化镓产品)、兆驰股份[兆驰半导体生产蓝绿光(GaN)与红黄光(GaAs)外延及芯片]、亚光 科技

碳化硅Sic: 露笑 科技 (碳化硅衬底片、外延片)、楚江新材、闻泰 科技 、天富能源(Sic衬底环节,参股天科合达)、三安光电(砷化物、氮化物、磷化物及碳化硅等化合物半导体新材料所涉及的外延片、芯片)、时代电气、捷捷微电、温州宏丰(碳化硅单晶研发)、紫光国微、晶盛机电(碳化硅长晶设备)、甘化科工(参股苏州锴威特半导体)、东尼电子、易事特

【设备】

光刻机:

刻蚀机: 中微公司(等离子体刻蚀设备、CPP,ICP)、芯源微(湿法刻蚀机)、北方华创

离子注入设备: 万业企业

炉管设备: 北方华创、晶盛机电

清洗设备: 北方华创、至纯 科技 (半导体湿法清洗设备研发)、芯源微

检测设备: 精测电子、华峰测控、长川 科技

物理气相沉积设备PVD: 北方华创、华亚智能(半导体设备领域结构件)

化学气相沉积设备CVD: 北方华创、晶盛机电、华亚智能(半导体设备领域结构件)

涂胶/显影机: 芯源微

喷胶机: 芯源微

原子层沉积设备ALD: 北方华创

MOCVD设备: 中微公司

半导体微组装设备: 易天股份

【其他】

华为海思半导体供应商: 铭普光磁

掩膜版: 清溢光电

PVD镀膜材料: 阿石创

镀膜设备: 立霸股份(参股拓荆 科技 )

印刷电路板PCB: 澳弘电子、协和电子、华正新材[覆铜板(CCL)]、兴森 科技 、金安国纪、迅捷兴、本川智能、胜宏 科技 、四会富仕、超声电子、奥士康、沪电股份、明阳电路、广东骏亚

单晶拉制炉热场系统: 金博股份

工业视觉装备: 天准 科技

石英晶体: 惠伦晶体、东晶电子

电容器: 江海股份、艾华集团、铜峰电子

FPC线路板: 风华高科、*ST丹邦

什么是半导体行业?为何叫半导体

物理问题,

物体的导电性,以此来分类命名的,

想铁,铜等,……属于良导体,

一定温度下的银属于超导体,因为这个时候电阻突然消失,

磁悬浮列车就由此而设计。……

不导电或导电性极低的成为 绝缘体,比如木材,橡胶,

而更多的是有一定的导电性,像二极体,三极体,……

半导体产业就是此类的厂商,销售商等的组合

什么是p型半导体,n型半导体,p

【n型半导体】“n”表示负电的意思,在这类半导体中,参与导电的主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的“施主”杂质。所谓施主杂质就是掺入杂质能够提供导电电子而改变半导体的导电效能。例如,半导体锗和矽中的五价元素砷、锑、磷等原子都是施主杂质。如果在某一半导体的杂质总量中,施主杂质的数量占多数,则这种半导体就是n型半导体。如果在矽单晶中掺入五价元素砷、磷。则在矽原子和砷、磷原子组成共价键之后,磷外层的五个电子中,四个电子组成共价键,多出的一个电子受原子核束缚很小,因此很容易成为自由电子。所以这种半导体中,电子载流子的数目很多,主要kao电子导电,叫做电子半导体,简称n型半导体。 【p型半导体】“p”表示正电的意思。在这种半导体中,参与导电的主要是带正电的空穴,这些空穴来自于半导体中的“受主”杂质。所谓受主杂质就是掺入杂质能够接受半导体中的价电子,产生同数量的空穴,从而改变了半导体的导电效能。例如,半导体锗和矽中的三价元素硼、铟、镓等原子都是受主。如果某一半导体的杂质总量中,受主杂质的数量占多数,则这半导体是p型半导体。如果在单晶矽上掺入三价硼原子,则硼原子与矽原子组成共价键。由于硼原子数目比矽原子要少很多,因此整个晶体结构基本不变,只是某些位置上的矽原子被硼原子所代替。硼是三价元素,外层只有三个价电子,所以当它与矽原子组成共价键时,就自然形成了一个空穴。这样,掺入的硼杂质的每一个原子都可能提供一个空穴,从而使矽单晶中空穴载流子的数目大大增加。这种半导体内几乎没有自由电子,主要kao空穴导电,所以叫做空穴半导体,简称p型半导体。 【p-n结】在一块半导体中,掺入施主杂质,使其中一部分成为n型半导体。其余部分掺入受主杂质而成为p型半导体,当p型半导体和n型半导体这两个区域共处一体时,这两个区域之间的交界层就是p-n结。p-n结很薄,结中电子和和空穴都很少,但在kao近n型一边有带正电荷的离子,kao近p型一边有带负电荷的离子。这是因为,在p型区中空穴的浓度大,在n型区中电子的浓度大,所以把它们结合在一起时,在它们交界的地方便要发生电子和空穴的扩散运动。由于p区有大量可以移动的空穴,n区几乎没有空穴,空穴就要由p区向n区扩散。同样n区有大量的自由电子,p区几乎没有电子,所以电子就要由n区向p区扩散。随着扩散的进行,p区空穴减少,出现了一层带负电的粒子区;n区电子减少,出现了一层带正电的粒子区。结果在p-n结的边界附近形成了一个空间电荷区,p型区一边带负电荷的离子,n型区一边带正电荷的离子,因而在结中形成了很强的区域性电场,方向由n区指向p区。当结上加正向电压(即p区加电源正极,n区加电源负极)时,这电场减弱,n区中的电子和p区中的空穴都容易通过,因而电流较大;当外加电压相反时,则这电场增强,只有原n区中的少数空穴和p区中的少数电子能够通过,因而电流很小。因此p-n结具有整流作用。当具有p-n结的半导体受到光照时,其中电子和空穴的数目增多,在结的区域性电场作用下,p区的电子移到n区,n区的空穴移到p区,这样在结的两端就有电荷积累,形成电势差。这现象称为p-n结的光生伏特效应。由于这些特性,用p-n结可制成半导体二极体和光电池等器件。如果在p-n结上加以反向电压(n区加在电源正极,p区加在电源负极),电压在一定范围内,p-n结几乎不通过电流,但当加在p-n结上的反向电压越过某一数值时,发生电流突然增大的现象。这时p-n结被击穿。p-n结被击穿后便失去其单向导电的效能,但结并不一定损坏,此时将反向电压降低,它的效能还可以恢复。根据其内在的物理过程,p-n结击穿可分为雪崩击穿和隧道击穿两种。

什么是半导体

锗、矽、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体,它们的导电能力介于导体和绝缘体之间,叫做半导体。

半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件,像光电池、光电管和光敏电阻等。

半导体还有一个最重要的性质,如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件,如半导体二极体、三极体等。

把一块半导体的一边制成P型区,另一边制成N型区,则在交界处附近形成一个具有特殊效能的薄层,一般称此薄层为PN接面。图中上部分为P型半导体和N型半导体介面两边载流子的扩散作用(用黑色箭头表示)。中间部分为PN接面的形成过程,示意载流子的扩散作用大于漂移作用(用蓝色箭头表示,红色箭头表示内建电场的方向)。下边部分为PN接面的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。这种材料在某个温度范围内随温度升高而增加电荷载流子的浓度,电阻率下降

常温下导电效能介于导体与绝缘体之间的材料,叫做半导体。

把导电性和导电导热性差或不好的材料,如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等,称为绝缘体。

把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比,半导体材料的发现是最晚的,直到20世纪30年代,当材料的提纯技术改进以后,半导体的存在才真正被学术界认可。半导体的分类,按照其制造技术可以分为:积体电路器件,分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类。此外,还有按照其所处理的讯号,可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。半导体室温时电阻率约在10E-5~10E7欧·米之间,温度升高时电阻率指数则减小。

半导体材料很多,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和矽是最常用的元素半导体;化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化镓、磷化镓等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体(镓铝砷、镓砷磷等)。

半导体材料的电阻率介于导体和绝缘体之间,其电效能受到杂质型别、杂质浓度、温度、材料缺陷......的影响。

电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质称为半导体:

室温时电阻率约在1mΩ·cm~1GΩ·cm之间,温度升高时电阻率则减小。半导体材料很多,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和矽是最常用的元素半导体;化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物(砷化镓、磷化镓等)、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体(镓铝砷、镓砷磷等)。除上述晶态半导体外,还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

详见百度百科::baike.baidu./link?url=kIesFWTTuFUOpV2ZSCSeRIssV-5N_DKxb9Q6xVjsSRi9qhXFBcI_ApuOamuJWI3n

半导体(英语:Semiconductor)是指一种导电性可受控制,范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品,如计算机、行动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有矽、锗、砷化镓等,而矽更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。

拓展资料:

材料的导电性是由导带中含有的电子数量决定。当电子从价带获得能量而跳跃至导电带时,电子就可以在带间任意移动而导电。一般常见的金属材料其导电带与价电带之间的能隙非常小,在室温下电子很容易获得能量而跳跃至导电带而导电,而绝缘材料则因为能隙很大(通常大于9电子伏特),电子很难跳跃至导电带,所以无法导电。

一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特,介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发,或是改变其能隙之间距,此材料就能导电。

半导体通过电子传导或空穴传导的方式传输电流。电子传导的方式与铜线中电流的流动类似,即在电场作用下高度电离的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。空穴导电则是指在正离子化的材料中,原子核外由于电子缺失形成的“空穴”,在电场作用下,空穴被少数的电子补入而造成空穴移动所形成的电流(一般称为正电流)。

材料中载流子(carrier)的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选择的加入其他“杂质”(IIIA、VA族元素)来控制。如果我们在纯矽中掺杂(doping)少许的砷或磷(最外层有5个电子),就会多出1个自由电子,这样就形成N型半导体;如果我们在纯矽中掺入少许的硼(最外层有3个电子),就反而少了1个电子,而形成一个空穴(hole),这样就形成P型半导体(少了1个带负电荷的原子,可视为多了1个正电荷)。

半导体( semiconductor),指常温下导电效能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。


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