gatestress测试原理

gatestress测试原理一种测试半导体器件的方法，包括在半导体衬底上方形成测试电路。该测试电路包括电连接到由半导体衬底支撑的一组器件结构的多个互连。用测试电路对每个器件结构进行诸如栅极应力或漏电流测试之类的测试。进行测试后，删除多个互连。根据查询相关资料显示：，br>1、专利中文文献1.晶圆级石墨烯单晶形核控制与快速生长机理研究。

简单来说：AECQ认证是汽车零部件厂商和汽车主机厂进入汽车市场的准入证。类似于合格认证，并非国家强制，但是是行业内必须持有的认证资格。FALABAEC 的历史AEC 是“Automotive Electronics Council：汽车电子协会”的简称。1992 年，GeraldServais 会见了 Jerry Jennings(克莱斯勒)，谈话内容包括在电子零件资格认证领域遇到的一些共同困难，提到了共同资格规格的概念，认为这是改善这种情况的一种可能办法。在随后的 JEDEC 会议上，Servais 讨论了与 Robert Knoell(福特)的这种可能的合作。这些初步讨论表明，这一概念可能是可行的。Knoell 先生和他的老板 EarlFischer 讨论了这个想法，并于 1993年 1 月在 DelcoElectronics 召开了一次会议。在这次会议上，讨论了各公司采用的各种资格认证办法。它决定，共同资格规格的想法是可行的，并开始工作的Q 100(集成电路的压力测试资格)不久。在开发 Q 100 期间，主要的 IC 供应商有机会对该文件进行评论。在 1994 年 6 月于丹佛举行的一次会议上，向我们所有的 IC 供应商提交了最初的版本 AECQ100。AEC Founders from L-R Earl Fischer (Ford)，Gerald Servais (Delco Electronics - GM)，Jerry Jennings(Chrysler)，Robert Knoell (Ford)AEC-Q 认证的概念克莱斯勒、福特和通用汽车为建立一套通用的零件资质及质量系统标准而设立了汽车电子委员会(AEC)，是主要汽车制造商与美国的主要部件制造商汇聚一起成立的、以车载电子部件的可靠性以及认定标准的规格化为目的的团体，AEC建立了质量控制的标准。同时，由于符合 AEC 规范的零部件均可被上述三家车厂同时采用，促进了零部件制造商交换其产品特性数据的意愿，并推动了汽车零件通用性的实施，为汽车零部件市场的快速成长打下基础。主要的汽车电子成员有：Autoliv（奥托立夫）, Continental（大陆）, Delphi（德尔福）, Johnson Controls（江森自控） 和 Visteon（伟世通）。要进入车辆领域，打入各一级汽车电子大厂供应链，必须取得两张门票，一张是由北美汽车产业所推的 AEC-Q100(集成电路 IC)、AEC-Q101(离散组件)、AEC-Q102(离散光电 LED)、AEC-Q104(多芯片组件)、AEC-Q200(被动组件)可靠性标准；第二张则要符合零失效(Zero Defect)的供应链质量管理标准 ISO/IATF16949 规范(Quality Management System)。如果产品通过 AECQ 认证,那么可以说是能取得车厂的敲门砖。不仅能提高产品自身的质量，还能帮助拓展汽车行业市场。作为车规验证标准，包括 AEC-Q100(主动元件)、AEC-Q101(离散半导体)与AEC-Q200(被动元件)三份标准，其中 AEC-Q100 是 AEC 的第一个标准。AEC-Q100于 1994 年 6 月首次发表，经过了十多年的发展，AEC-Q100 已经成为汽车电子系统的通用标准。其中汽车电子元器件来说 AEC-Q100 是最常见的应力测试(StressTest)认证规范。AEC 在 AEC-Q100 之后又陆续制定了针对离散组件的 AEC-Q101和针对被动组件的 AEC-Q200 等规范，以及 AEC-Q001/Q002/Q003/Q004 等指导性原则。华碧实验室将以下规范列出供大家参考使用：AEC-Q100Rev-G base: 集成电路的应力测试AEC-Q100-001 邦线切应力测试AEC-Q100-002 人体模式静电放电测试AEC-Q100-003 机械模式静电放电测试AEC-Q100-004 集成电路闩锁效应测试AEC-Q100-005 可写可擦除的永久性记忆的耐久性、数据保持及工作寿命的测试AEC-Q100-006 热电效应引起的寄生闸极漏电流测试AEC-Q100-007 故障仿真和测试等级AEC-Q100-008 早期寿命失效率（ELFR）AEC-Q100-009 电分配的评估AEC-Q100-010 锡球剪切测试AEC-Q100-011 带电器件模式的静电放电测试AEC-Q100-012 12V 系统灵敏功率设备的短路可靠性描述AEC - Q101 Rev - C: 分立半导体元件的应力测试标准（包含测试方法）AEC - Q101-001 - Rev-A: 人体模式静电放电测试AEC - Q101-002 - Rev-A: 机械模式静电放电测试AEC - Q101-003 - Rev-A: 邦线切应力测试AEC - Q101-004 - Rev-: 同步性测试方法AEC - Q101-005 - Rev-A: 带电器件模式的静电放电测试AEC - Q101-006 - Rev-: 12V 系统灵敏功率设备的短路可靠性描述AEC - Q200 Rev - C: 半导体被动元件的应力测试标准（包含测试方法）AEC - Q200-001 - Rev-A: 阻燃性能测试AEC - Q200-002 - Rev-A: 人体模式静电放电测试AEC - Q200-003 - Rev-A: 断裂强度测试AEC - Q200-004 - Rev-: 自恢复保险丝测量程序AEC - Q200-005 - Rev-: PCB 板弯曲/端子邦线应力测试AEC - Q200-006 - Rev-: 端子应力（贴片元件）/切应力测试AEC - Q200-007 - Rev-: 电压浪涌测试华碧实验室多年来致力于 AEC-Q 系列认证服务，始终以专业、精准、快速、的全面品质保障，为客户制胜市场保驾护航。凭借业内 500 余名技术人员,1200余台专业仪器，以精进的品质控制手段，打造创新和定制的保障、测试、检验和认证解决方案，为客户的运营和供应链带来全方位的安心保障。

常用半导体二极管的主要参数表13部分半导体二极管的参数类型参、数型、号最大整流电流/mA正向电流/mA正向压降（在左栏电流值下）/V反向击穿电压/V最高反向工作电压/V反向电流/pA零偏压电容/pF反向恢复时间/ns普通检波二极管2AP92.5402025051501002AP11101102501fH(MHz)402AP17101501301032000.960402101705022501030B45C60D75E90A20B30C40D50E601.520301501002CK75AD1502CK76AD200类型参、数型、号最大整流电流/mA正向电流/mA正向压降（在左栏电流值下）/V反向击穿电压/V最高反向工作电压/V反向电流/pA零偏压电容/pF反向恢复时间/ns整流极管2CZ52BH20.1125600同2AP普通二极管2CZ53BM60.315010002CZ54BM100.515010002CZ55BM20115010002CZ56BB6530.82510001N400140073011.150100051N53915399501.51.4501000101N5400540820031.2501000103.常用整流桥的主要参数表14几种单相桥式整流器的参数7、-数型号、不重复正向浪涌电流/A整流电流/A正向电压降/V反向漏电/pA反向工作电压/V最高工作结温/oCQL110.051.210常见的分档为：25，50，100，200，400，500，600，700，800，900，1000130QL220.1QL460.3QL5100.5QL6201QL740215QL86034.常用稳压二极管的主要参数表15部分稳压二极管的主要参数测试条件、参工作电流为稳定电流稳定电压下环境温度50oC稳定电流下稳定电流下环境温度10oC型、遨稳定电压稳定电最大稳定反向漏电动态电电压温度系最大耗散号/V流/mA电流/mA流阻/Q数/10-4/oC功率/W2CW512.53.5715-92CW523.24.5552-82CW5345.841150-642CW545.56.5103830-352CW5678.8271570.252CW578.59.8260.52082CW591011.8203092CW6011.512.55194092CW10345.850165120-642CW11011.512.520760.520912CW113161910520.540112CW1A5302402012CW6C153070812CW7C6.06.5103030303030IC=1mABVceo(V)12121824IC=1mA直流参数Icbo(MA)12121212Vcb=-10VIceo(MA)500500300300Vce=-6VIEBO(MA)121212500500500500Vcb=-6VIE=1mANp(dB)一8一一Vcb=-2VIE=0.5mAf=1kHzh；e(kO)0.64.50.64.50.64.50.64.5Vcb=-6VIE=1mAf=1kHzh”e(x10)2.22.22.22.2hoe(PS)80808080hfe一一一一hFE色标分档（红）2560；（绿）50100；（蓝）90150管脚EC（2）3AX81型PNP型锗低频小功率三极管表173AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数型号3AX81A3AX81B测试条件极限参数PcM(mW)200200ICM(mA)200200Tjm(oC)7575BVcbo(V)-20-30IC=4mABVceo(V)-10-15IC=4mABVebo(V)-7-10IE=4mA直流参数ICBo(MA)3015VcR=-6VIceo(MA)1000700Vce=-6VIEpo(MA)3015Veb=-6VVbes(V)0.60.6VCE=-1VIC=175mAVces(V)0.6568VCB=-6VIE=10mAhFE色标分档(黄)4055(绿)5580(蓝)80120(紫)120180(灰)180270(白)270400管脚EC(3)3BX31型NPN型锗低频小功率三极管表183BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数型号3BX31M3BX31A3BX31B3BX31C测试条件极限参数PcM(mW)125125125125Ta=25oCICM(mA)125125125125TjM(oC)75757575BVcbo(V)-15-20-30-40IC=1mABVceo(V)-6-12-18-24IC=2mABVebo(V)-6-10-10-10IE=1mA直流参数Icbo(MA)2520126Vcb=6VIceo(MA)1000800600400Vce=6VIebo(MA)2520126Veb=6VVbes(V)0.60.60.60.6Vce=6VIC=100mAVces(V)0.650.650.658f465aVcb=-6VIE=10mAhFE色标分档(黄)4055(绿)5580(蓝)80120(紫)120180(灰)180270(白)270400管脚E)C(1)3DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管表193DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管的参数原型号3DG6测试条件新型号3DG100A3DG100B3DG100C3DG100D极限参数PcmNW)100100100100ICM(mA)20202020bVcbo(V)30403040IC=100(iAbVceo(V)20302030IC=100(iAbVebo(V)4444IE=100pA直流参数IcBO(MA)0.010.010.010.01Vcb=10vIceo(MA)0.10.10.10.1Vce=10vIebo(MA)0.010.010.010.01Veb=1.5VVbes(V)1111IC=10mAIB=1mAVces(V)11130303030VCE=10VIC=3mAfT(MHz)150150300300Vcb=10VI,=3mAf=100MHzR=5Q交流参数Kp（dB）7777Vcb=-6VIE=3mAf=100MHzCb（PF）44440604060IC=100|iABVceo（V）30453045IC=100|iABVebo（V）4444IE=100pA直流参数Icbo（MA）0.50.50.50.5VcR=10VIceo（MA）1111Vce=10VIebo（uA）0.50.50.50.5Veb=1.5VVbes（V）1111IC=100mAIB=10mAVces（V）0.60.60.630303030Vce=10VIC=50mA交流参数fT（MHz）150150300300Vcb=10VlE=50mAf=100MHz%=50KP（dB）6666Vcb=-0VI口=50mAf=100MHzCob（pF）101010150管脚EBC6常用场效应管主要参数表22常用场效应三极管主要参数参数名称N沟道结型MOS型N沟道耗尽型3DJ23DJ43DJ63DJ73D013D023D04DHDHDHDHDHDHDH饱和漏源电流IDSS(mA)0.3100.3100.3100.351.80.35100.35250.3510.5夹断电压VGS(V)119|119|119|119|B19|119|2000200010003000100040002000最大漏源电压BVds(V)2020202020122020最大耗散功率PDNI(mW)10010010010010025100100栅源绝缘电阻rGS(0)108108108108108108109100管脚或CSDSG

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