电力晶体管的应用哪些地方

电力晶体管在电源、电机控制、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路中应用广泛。电力晶体管按英文Giant Transistor——GTR，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有时也称为Power BJT；但驱动电路复杂，驱动功率大；GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。GTR是一种电流控制的双极双结大功率、高反压电力电子器件，具有自关断能力。产生于本世纪70年代，其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。它既具备晶体管饱和压降低、开关时间短和安全工作区宽等固有特性，又增大了功率容量，因此由它所组成的电路灵活、成熟、开关损耗小、开关时间短，在电源、电机控制、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路中应用广泛。GTR的缺点是驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏。在开关电源和UPS内，GTR正逐步被功率MOSFET和IGBT所代替。它的符号和普通的NPN晶体管一样。GTR和BJT这两个名称是等效的，结构和工作原理都和小功率晶体管非常相似。GTR由三层半导体、两个PN结组成。和小功率三极管一样，有PNP和NPN两种类型，GTR通常多用NPN结构。在电力电子技术中GTR主要工作在开关状态。GTR通常工作在正偏(Ib>0)时大电流导通；反偏(Ib<0=时处于截止状态。因此给GTR的基极施加幅度足够大的脉冲驱动信号，它将工作于导通和截止的开关状态。

是智能功率模块。是一种先进的功率开关器件，具有GTR(大功率晶体管)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点，以及MOSFET高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。IPM内置的驱动和保护电路使系统硬件电路简单、可靠，缩短了系统开发时间，也提高了故障下的自保护能力。

IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。

IPM使用单一的+15V供电，若供电电压低于12.5V，且时间超过toff=10ms，发生欠压保护，封锁门极驱动电路，输出故障信号。

（一）网络购物诈骗。

犯罪分子开设虚假购物网站或淘宝店铺，一旦事主下单购买商品，便称系统故障需要重新激活。随后，通过QQ发送虚假激活网址实施诈骗。

（二）低价购物诈骗。

犯罪分子通过互联网、手机短信发布二手车、二手电脑、海关没收的物品等转让信息，一旦事主与其联系，即以“缴纳定金”“交易税手续费”等方式骗取钱财。

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