CMOS英文全称为Complementary Metal Oxide Semiconductor,翻译成中文就是互补金属氧化物半导体的意思,是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。
这个东西通常是在计算机的主板上,是一块可读写的RAM芯片,用来存储主板的BIOS配置信息,特点就是低功耗。台式机那个纽扣电池,就是给它供电的,所以它能够在主机箱断电的情况下,还能够保存好主板的BIOS信息。
电路原理
CMOS,全称Complementary Metal Oxide Semiconductor,即互补金属氧化物半导体,是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。采用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)集成在一块硅片上。
该技术通常用于生产RAM和交换应用系统,在计算机领域里通常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的RAM芯片。
以上内容参考:百度百科-CMOS
作为“新一代电子的基础材料”而备受全球显示器技术人员关注的就是氧化物半导体TFT。因为氧化物半导体TFT是驱动超高精细液晶面板、OLED面板 以及电子纸等新一代显示器的TFT材料最佳候选之一。预计最早将在2012~2013年开始实用化,将来或许还会成为具备“柔性”和“透明”等特点的电子元件的实现手段。氧化物半导体是通常容易成为绝缘体的氧化物,但却具有半导体的性质。在众多物质当中,最受关注的是“透明非晶氧化物半导体(TAOS:Transparent Amorphous Oxide Semiconductors)”。非晶IGZO(In-Ga-Zn-O)就是一个代表性例子。除了三星和LG显示器等韩国企业外,日本的夏普、凸版印刷以及佳能等企业也在致力于TFT的应用开发。 TAOS类TFT的载流子迁移率高达10cm2/Vs以上,特性不均现象也较小。因此,可驱动像素为“4K×2K”(4000×2000像素级)、驱 动频率为240Hz的新一代高清晰液晶显示器。当前的标准技术——非晶硅类TFT以及作为新一代技术而被大力开发的有机半导体TFT因载流子迁移率只有数 cm2/Vs以下,很难应用到上述用途中。即使是在OLED显示器领域,与开发案例较多的低温多晶硅类TFT相比,实现大屏幕化时还是TAOS类TFT具 有优势这是因为AOS类TFT可以抑制OLED面板中存在着的因TFT特性不均而导致的显示不均现象。TAOS薄膜可通过溅射法形成,制造成本也容易降 低。制造工艺温度可低至接近室温这一点也是TAOS类TFT的一大魅力。可利用耐热性较差的树脂基板,因此能够实现可弯曲的电子纸等柔性显示器。利用TAOS膜的透明特性,有望使电子元件实现透明化等。进一步扩大氧化物半导体的用途时碰到的课题是如何实现p型半导体。如果能实现高质量的pn结,就有望应用于柔性透明的集成电路、LED以及太阳能电池等用途。IC分为三类:① 半导体IC或称单片(Monolithic)IC,②膜IC,又可分为两种 : 厚膜电路,薄膜电路;③混合IC(Hybrid IC)
按器件结构类型分类:双极集成电路,金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路。
硅酸钠是我国优先发现的精细化工产品,工业制备的反应为:2NaOH+SiO2=NaSiO3+H2O
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