1、首先本征
半导体的
空穴浓度和
电子浓度是相等的;在符合条件(1)和其他有源器件和无源器件构成回路和条件(2)电子激发下,激发的电子成为载流子,在电路中移动,注意本征半导体中的空穴并不能移动.该激发的电子形成了回路的电路.宏观上,热激发和“电子和空穴的复合”在同时进行,达到“动态平衡”,但一定会有“成为载流子”的电子在回路中移动.2、对于P型半导体来说,其本身还是呈“中性的”,只是“可与电子配对的自由空穴”较多,在外电场的作用下,会动态的“拉外部电子”,当拉到一定数量的电子,内部的电场会迫使该“P型半导体”不再多拉电子,达到动态平衡.另外硅的共价键是不很稳定,所以它常用来做半导体.P型半导体是有掺杂叁价元素的,硅原子少了一个电子,这个电子转移到了三价元素的空穴上,这说明的是空穴的移动.半导体IGINV公式:
I = I_s * e^(V_d/V_t) - I_s * e^(-V_d/V_t)
其中,I_s为半导体的漏电流,V_d为半导体的偏压,V_t为半导体的阈值电压。
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