半导体应变片加热后电压升高还是降低

半导体应变片加热后电压降低。根据查询相关公开信息资料显示，当半导体应变片温度升高时，电阻大伏下降，电阻下降，电流升高，电压下降。半导体应变片是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。

当然有影响，所以在测试结果中要注明测试温度。如果栅源电压加得较大(比阈值电压大得多)，则因为迁移率随着温度的上升而下降，将使得电流有所降低--负温度系数相反，如果栅源电压加得较小(与阈值电压差不多)，则因为阈值电压随着温度的上升而下降，将使得电流有所升高--正温度系数。只有在一定温度范围内，电流随温度变化不大。不管是静态电流还是动态电流，都是如此。

具体设计如下：

半导体设计中CD指的是扩散电容，当有外加正向偏压时，在p-n结两侧的少子扩散区内，都有一定的少数载流子的积累，而且它们的密度随电压而变化，形成一个附加的电容效应，称为扩散电容。

半导体设计中BAR应该是指条形激光器的限制条，主要是限制电流截面积，降低阈值电流密度。

半导体（Semiconductor）是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质，其电导率容易受控制，可作为信息处理的元件材料。从科技或是经济发展的角度来看，半导体非常重要。很多电子产品，如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

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