砷化镓是重要的化合物半导体材料。
外观呈亮灰色,具金属光泽、性脆而硬。常温下比较稳定。加热到873K时,外表开始生成氧化物形成氧化膜包腹。常温下,砷化镓不与盐酸、硫酸、氢氟酸等反应,但能与浓硝酸反应,也能与热的盐酸和硫酸作用。
砷化镓天然存量稀少,通常采用镓和砷直接化合的方法,其中水平区域熔炼法是普遍采用的方法。通过区域提纯便可获得单晶。
砷化镓的优点
电子物理特性砷化镓GaAs拥有一些比硅Si还要好的电子特性,如高的饱和电子速率及高的电子迁移率,使得GaAs可以用在高于250 GHz的场合。
GaAs的的另一个优点它是直接能隙的材料,所以可以用来发光。而Si是间接能隙的材料,只能发射非常微弱的光。砷化镓比硅更不会受到自然辐射的干扰,不易产生错误信号。
属闪锌矿型晶格结构,晶格常数5.65×10-10m,熔点1237℃,禁带宽度1.4电子伏。
砷化镓,化学式 GaAs。黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下,能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。
因为GaAs的晶体很稳定,所以如果身体吸收了少量的GaAs,其实是可以忽略的。当要做晶圆抛光制程(磨GaAs晶圆使表面微粒变小)时,表面的区域会和水起反应,释放或分解出少许的As。
扩展资料砷化镓(GaAs)是一种很容易被人们提起的半导体材料,它与整个半导体产业密切关联,而这也是我国产业结构中最为薄弱的环节。随着5G的逐步到来,整个社会将进入万物互联的新阶段,半导体相关芯片、器件需求量将进一步爆发,将成为像基础能源一般的存在。
由于GaAs具有高频、低杂讯与低耗电等优良特性,能够应用在高频IC与光电材料上,手机、WLAN、光纤通讯、卫星通讯与太阳能电池均是其适用的领域,其中手机与无线通讯应用是其中占比较高的市场。
参考资料来源:百度百科-砷化镓
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