有哪位高手请帮忙指导一下，什么是直接迁移型半导体和间接迁移型半导体啊！

这个问题是半导体物理中的重要问题，而且也与光电器件有关。

直接迁移型半导体即直接跃迁能带结构的半导体，这种半导体的导带底与价带顶都在Brillouin区中的同一点（即波矢相同）。半导体价带顶的电子获得足够的能量之后，可直接跃迁到导带底，并产生电子-空穴对；相反，导电电子与价带空穴复合时，即可把能量完全以光的形式释放出来。发光器件需要采用这种半导体。GaAs即属于这种半导体。

间接迁移型半导体即间接跃迁能带结构的半导体，这种半导体的导带底与价带顶不在Brillouin区中的同一点（即波矢不相同）。价带顶的电子获得足够的能量之后，还需要有其它粒子（如声子）的帮助，才能跃迁到导带底；同时，导电电子与价带空穴复合时，大部分能量都将以热能的形式释放给晶格，故不能发光。这种半导体不能制造发光器件，但是可用来制作光检测器件——光电二极管。Si、Ge即属于这种半导体。

1、直接跃迁：跃迁前后k不变，也就是垂直跃迁，有光子辐射出。

2、间接跃迁：跃迁前后k改变，也就是非垂直跃迁，有光子辐射出，也伴随着声子的辐射，例如振动驰豫过程发射出声子。

在太阳能半导体方面：

1、直接跃迁：只需吸收一定能量的光子就能产生电子-空穴对，直接跃迁的半导体其导带极小值与价带极大值在横坐标（动量坐标）的同一位置，禁带跃迁只满足能量要求。

2、间接跃迁：首先要求光子能量大大高于禁带宽度，跃迁几率小，除了光子能量要求外，还需要动量的变换。

扩展资料：

直接跃迁为了满足选择定则，以使电子在跃迁过程中波矢保持不变，则原来在价带中状态A的电子只能跃迁到导带中的状态B。

定义：为了满足选择定则，以使电子在跃迁过程中波矢保持不变，则原来在价带中状态A的电子只能跃迁到导带中的状态B。A与B在E(k)曲线上位于同一垂线上，因而这种跃迁称为直接跃迁。

除了吸收光子外还与晶格交换能量的非直接跃迁，称为间接跃迁。

参考资料：百度百科-直接跃迁

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