半导体后期走势如何

半导体分立器件制造行业主要上市公司:目前国内半导体分立器件制造行业上市公司主要有华润微(688396)、士兰威(600460)、科技(300373)、华微电子(600360)、信捷能(605111)、苏州固锝(002079)。

本文核心数据:半导体分立器件出货量、市场规模、区域分布。

1.英飞凌推动全球分立器件性能提升。

全球分立半导体器件诞生于上世纪中叶。20世纪50年代，功率二极管和功率三极管问世，并应用于工业和电力系统。六七十年代，晶闸管等分立器件发展迅速；20世纪70年代末，开发了平面功率MOSFET。80年代后期，沟槽功率MOSFET和IGBT逐渐出现，分立器件正式进入电子应用时代。90年代，超结MOSFET逐渐出现，打破了传统的“硅极限”，满足了大功率、高频的应用要求。2008年，英飞凌率先推出屏蔽栅功率MOSFET，分立器件性能进一步提升。

2.分立器件的全球供需明显受疫情影响。

-由于疫情，全球供应疲软。

新冠肺炎疫情对全球经济产生了巨大影响，包括半导体分立器件在内的许多行业都受到了负面影响。根据Statista的预测数据，2020年全球分立半导体器件出货量将达到4630亿。

随着病毒在全球传播，全球供应链中断，隔离期仍不确定。为了遏制新冠肺炎的蔓延，全球许多制造工厂都采取了停工控制措施。例如，由于马来西亚、中国和菲律宾的政府订单，安美半导体的大部分制造设施被关闭，影响了其向客户供应产品的能力。

半导体分立器件自从20世纪50年代问世以来，曾为电子产品的发展发挥了重要的作用。现在，虽然集成电路已经广泛应用，并在不少场合取代了晶体管，但是应该相信，晶体管到任何时候都不会被全部废弃。因为晶体管有其自身的特点，还会在电子产品中发挥其他元器件所不能取代的作用，所以晶体管不仅不会被淘汰，而且还将有所发展。

1　半导体分立器件的命名

按照国家规定，国内半导体分立器件的命名由五部分组成，如表3-9所示。例如2AP9，“2”表示二极管，“A”表示N型锗材料，“P”表示普通管，“9”表示序号。又如3DG6，“3”表示三极管，“D”表示NPN硅材料，“G”表示高频小功率管，“6”是序号。

有些小功率晶体三极管是以四位数字来表示型号的，具体特性参数如表3-10所示。

近年来，国内生产半导体器件的各厂家纷纷引进外国的先进生产技术，购入原材料、生产工艺及全套工艺标准，或者直接购入器件管芯进行封装。因此，市场上多见的是按照国外产品型号命名的半导体器件，符合国家标准命名的器件反而买不到。在选用进口半导体器件时，应该仔细查阅有关资料，比较性能指标。

2　二极管

按照结构工艺不同，半导体二极管可以分为点接触型和面接触型。点接触型二极管PN结的接触面积小，结电容小，适用于高频电路，但允许通过的电流和承受的反向电压也比较小，所以适合在检波、变频等电路中工作；面接触型二极管PN结的接触面积较大，结电容比较大，不适合在高频电路中使用，但它可以通过较大的电流，多用于频率较低的整流电路。

表3-9　国产半导体分立器件的命名

注：fa为工作频率，Pc为工作功率。

表3-10　通用型小功率三极管

注：fT为工作频率。

半导体二极管可以用锗材料或硅材料制造。锗二极管的正向电阻很小，正向导通电压约为0.15～0.35V，但反向漏电流大，温度稳定性较差；硅二极管的反向漏电流比锗二极管小得多，缺点是需要较高的正向电压（0.5～0.7V）才能导通，只适用于信号较强的电路。

二极管应该按照极性接入电路，大部分情况下，应该使二极管的正极（或称阳极）接电路的高电位端，而稳压管的负极（或称阴极）要接电源的正极，其正极接电源的负极。

1）常用二极管的外形和符号

常用二极管的外形和符号如图3-16所示。

图3-16　常用二极管的符号

2）常用二极管的特性

常用的二极管的特性及用途在表3-11中列出。

表3-11　常用的二极管的特性及用途

3）二极管的识别与检测

二极管有多种封装形式，目前比较常用的有塑料封装和玻璃壳封装。老式的大功率、大电流的整流二极管仍采用金属封装，并且有装散热片的螺栓。玻璃封装的二极管可能是普通二极管或稳压二极管，在目测没有把握辨别的情况下，要依靠万用表或者专用设备来区分。因为玻璃封装的稳压二极管和普通二极管外形一样，不同的二极管在电路中起的作用是不同的，特别是稳压二极管，它的最大特点就是工作在反向连接状态。

（1）从标记识别。

①外壳上有二极管的符号，箭头的方向就是电流流动的方向，故箭头指的方向为负极。如图3-17所示，为二极管的单向导电性。

②封装成圆球形的，一般用色点表示的，色点处为阴极。封装成柱状的，靠近色环（通常为白色）的引线为负极。

（2）数字万用表检测。

用数字式万用表可以很方便地判断出二极管的极性，如图3-18所示，方法是：将数字万用表拨到二极管挡，将红表笔插入万用表的V/?插孔，黑表笔插入COM插孔，然后分别用两表笔接触二极管的两个电极，正反向交换表笔各测一次，在其中的一次测量中显示屏上具有600～750之间（硅管）或200～400之间（锗管）的读数，这时红表笔所接触的电极就是二极管的正极（即PN结的P端），黑表笔接触的电极就是负极（即PN结的N端）。

图3-17　二极管的单向导电性

图3-18　二极管的测量

发光二极管的测量与一般二极管测量类似，只是其正向电压在1.5～3V之间，工作电流在1mA左右。发光二极管工作时一定要接上限流电阻。

3　三极管

晶体三极管又称为双极型三极管（因有两种载流子同时参与导电而得名）。它是一种电流控制电流的半导体器件，可用来对微弱的信号进行放大和做无触点开关。

1）三极管的分类

（1）按材料分：三极管按材料不同可分为锗三极管（Ge管）和硅三极管（Si管）。

（2）按导电类型分：三极管按导电类型不同可分为PNP型和NPN型，分别用不同的符号表示电压极性与电流流动方向。锗管多为PNP型，硅管多为NPN型。

（3）按用途分：依工作频率不同分为高频（fT>3MHz）、低频（fT<3MHz）和开关三极管。依工作功率不同又可分为大功率（Pc>1W）、中功率（Pc在0.5～1W）、小功率（Pc<0.5W）三极管。

2）三极管的电路符号

常用三极管的电路符号如图3-19所示。

图3-19　常用三极管的电路符号

3）三极管的检测方法

（1）判断基极用数字万用表判断三极管基极的方法是：首先将数字万用表的转换开关置于二极管挡。红、黑表笔按正确的方法插到相应插孔（红表笔插V/Ω，黑表笔插COM）。记住：数字万用表的红表笔接内部电池的正极。然后用表笔分别触三极管的三个电极，总能找到其中一个电极对另外两个电极读数为0.5～0.8V（硅管）或0.15～0.35V（锗管），该电极就是基极。

（2）E、C极的判断。

一般万用表都具备测放大倍数的功能，先将万用表的功能开关选在hFE挡，将三极管按极性（PNP、NPN）插入测试孔中，这时可从表头刻度盘上直接读放大倍数值。然后将E极、C极对调一下，看表针偏转较大的那一次，插脚就是正确的，从万用表插孔旁标记即可判别出是发射极还是集电极。另外在测量基极时，也可以得到D、E的读数大于B、C的读数，虽然很接近，但总是有微小差别的。

数字式万用表测量三极管的方法，在第五节常用仪器仪表简介中“万用表的使用”一部分进行介绍。

4　集成电路

集成电路是继电子管、晶体管之后发展起来的又一类电子器件。它是利用半导体工艺或厚膜、薄膜工艺（或这些工艺的结合），将电阻、电容、二极管、三极管等元器件，按照设计电路的要求，共同制作在一块硅或绝缘基体上，成为具有特定功能的电路，然后封装而成。集成电路是最能体现电子工业日新月异、飞速发展的一类电子器件。集成电路种类繁多，要想熟悉各种集成电路几乎是不可能的，实际上也没必要，但要了解一些基本的集成电路。

1）集成电路的分类

集成电路按其结构和工艺方法的不同，可分为半导体集成电路、薄膜集成电路、厚膜集成电路和混合集成电路。其中发展最快、品种最多、应用最广的是半导体集成电路。

用平面工艺（氧化、光刻、扩散、外延工艺）在半导体晶片上制成的电路称为半导体集成电路（也称为单片集成电路）。

用厚膜工艺（真空蒸发、溅射）或薄膜工艺（丝网印刷、烧结）将电阻、电容等无源元件连接制作在同一片绝缘衬底上，再焊接上晶体管管芯，使其具有特定的功能，称作厚膜或薄膜集成电路。如果再装上单片集成电路，则成为混合集成电路。

2）集成电路的封装

集成电路的封装可分为：金属外壳、陶瓷外壳和塑料外壳三类。其中较常见的是用陶瓷和塑料封装的单列直插式和双列直插式两种。

金属封装的散热性能好，可靠性高，但安装使用不够方便，成本较高。这种封装形式常见于高精度集成电路或大功率器件。陶瓷封装的散热性差，体积小，成本低。塑料封装的最大特点是工艺简单、成本低，因而被广泛使用。

随着集成电路品种规格的增加和集成度的提高，电路的封装已经成为一个专业性很强的工艺技术领域。现在，国内外的集成电路封装名称逐渐趋于一致，不论是陶瓷材料的还是塑料材料的，均按照集成电路的引脚布置形式来区分，常见集成电路的封装形式如图3-20所示。

3）引脚

集成电路引脚排列顺序的标志一般有色点、凹槽、管键及封装时压出的圆形标志。对于双列直插集成块，引脚的识别方法是：将集成电路水平放置，引脚向下，标志在左边，左下角第一个引脚为1脚，然后逆时针方向数，依次为2，3，…，如图3-20所示。

图3-20　常见集成电路的封装

对于单列直插式集成电路也让引出脚朝下，标志朝左边，从左下角第一个引出脚到最后一个引出脚依次为1，2，3，…。

4）集成电路的使用常识

集成电路是一种结构复杂、功能多、体积小、价格贵、安装与拆卸麻烦的电气器件，在选购、检测和使用中应十分小心。

（1）使用前要搞清楚集成电路的功能、引脚功能、外形封装等。

（2）安装集成电路要注意方向，不同型号之间的互换应更加注意。

（3）对功率型集成电路要有足够的散热器，并尽量远离热源。

（4）切忌带电拔插集成电路。

（5）在手工焊接电子产品时，一般应该最后装配焊接集成电路，不得使用大于45W的电烙铁，每次焊接时间不得超过10s。

芯片被"卡脖子"长期困扰着我国半导体行业的发展，随着我国芯片产业的不断发展及相关利好政策的持续发布，该领域已经收到广大资本市场的的关注。今天就跟大家聊聊一个我国自主研发芯片的优质企业--韦尔股份。

在还没开始分析韦尔股份前，这份芯片行业龙头股名单我觉得很值得一看，点击即可查看：宝藏资料：芯片行业龙头股名单

一、从公司角度来看

公司介绍：韦尔股份主要从事的是半导体分立器件和电源管理IC等半导体产品的研发设计，以及半导体产品的分销业务方面，产品广泛应用于移动通信、车载电子、安防、网络通信、家用电器等领域。现在韦尔股份已经经历了多年的自主研发和技术演进，在CMOS图像传感器电路设计、封装、数字图像处理和配套软件领域积累了较为显著的技术优势。

简单说明了韦尔股份公司的情况后，再来看一下公司的优势有哪些？

优势一、国内CIS图像传感器龙头

韦尔股份是国内CIS图像传感器的榜首，全球的份额总共排名第三，2018年公司收购美国豪威，并且切入CIS图像传感器赛道，CMOS图像传感器、半导体分销和原半导体设计等都是其主要业务。

手机领域：韦尔是全球手机CIS市场第三大厂商，市占率10%，高端技术缓缓和索尼、三星保持一致，叠加安卓机高像素渗透率提升与国产替代机遇，到2025年市占率有提升至15%的可能，21-25年手机端收入CAGR将超7%。

汽车领域：韦尔是全球车载CIS第二大厂商，市占率超20%，已覆盖各大主流车企，相比第一大厂商安森美公司产品定位高端、CIS技术领先，到了21-25年，公司车用CIS业务收入CAGR预计会超过30%。

优势二、设计业务和分销业务齐头并进

韦尔股份所具有的平台优势，会逐渐凸显出公司的芯片设计业务领域均具备国内领先实力。分销业务绝大多数是技术分销，拥有完善的销售网络和供应链体系，公司分销业务规模属于先进水平。公司这些年研发投入一直上升，对重大产品进行 *** 作，合并Synaptics的TDDI业务，布局屏下光学领域，整合效果整体不错。公司设计与分销业务协同效应较高，不断助力公司业务的增长，成长的空间每日都在进行拓展，在未来，极有可能成为平台型半导体的领头公司。

由于篇幅受某种限制，更多有关于韦尔股份的风险提示以及深度报告，我已经汇总好了，点进链接看看吧：【深度研报】韦尔股份点评，建议收藏！

二、从行业角度来看

芯片半导体行业：往宏观周期上剖析，受国外美国为首的技术反锁的影响，国内政策是支持周期的。

通过分析产业链可以看出，上游原材料、生产设备、耗材，紧缺+国产替代+供货不足；中游制造端，国产厂商突围+扩产降本；下游需求端，终端产品正常换代+新能源汽车新需求暴涨+人工智能+云技术。芯片半导体行业迎来了不常见的全产业链供需共振。

目前行业正在由周期底部往上的加速，这实际上是整个周期曲线之中导数最大的位置了，有关于芯片半导体方面会迎来急速发展的。

三、总结

概括性的来讲，我认为韦尔股份公司芯片设计行业的优质企业，目前行业处于上升阶段，凭借这个机会，有机会能高速发展。但是文章具有一定的滞后性，假如想准确地了解韦尔股份未来行情发展前景，可以点进链接，让专门投顾帮助你进行诊股，看下韦尔股份现在行情是否到买入或卖出的好时机：【免费】测一测韦尔股份还有机会吗？

应答时间：2021-11-08，最新业务变化以文中链接内展示的数据为准，请点击查看

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