美国半导体清洗标准是什么

美国半导体清洗标准是什么,第1张

美国半导体清洗标准。对切割出来的硅片进行打磨、抛光。硅片的表面会有很多大小不一的、各种各样的颗粒,包括金属沫、油污等。这些颗粒是要清洗的内容。

1、加热。假设室温20℃的情况下,用加热器将清洗溶液的温度加热到80℃,这样酸碱在高温下能加快反应,得到更好的清洗效果。

2、使用超声波产生气泡,同样能够达到吸取硅片表面杂质的目的。这种情况是在温度要求不能太高的情况下使用的。

3、震动。为了让杂质不会粘贴在硅片表面上,采用一种晃动的方式,让装有硅片的篮子在清洗溶液中充分接触溶液,增加摩擦,有效去污。

需要清洗的:

电子清洗技术(包括清洗剂和与之配套的清洗工艺)对电子工业,特别是对半导体工业生产是极为重要的。在半导体器件和集成电路的制造过程中,几乎每道工序都涉及到清洗,而且集成电路的集成度愈高,制造工序愈多,所需的清洗工序也愈多。在诸多的清洗工序中,只要其中有一道工序达不到要求,则将前功尽弃,导致整批芯片的报废。可以说如果没有有效的清洗技术,便没有今日的半导体器件、集成电路和超大规模集成电路的发展。其实这个环节是蛮重要和需要

探索技巧的,做半导体行业工作的都需要很大的耐心和细心,才能出色的完成这项工作的,现在半导体行业发展的很迅速,集成电路的集成密度越来越高,相应的清洗技术也随之复杂起来,其实这方面也有很大的发展前途的,我曾经有位同事,从基层的技术员升职到工程师助理,最后自己又升到了工程师的位置,如果楼主要考职称的话,可以先咨询一下设备工程师和制程工程师,一般制程工程师的工资会高一点。

半导体中的杂质对电导率的影响非常大,本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体,一般可分为N型半导体和P型半导体。

半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(Donor)杂质,相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底附近。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时,杂质原子作为晶格的一分子,其五个价电子中有四个与周围的锗(或硅)原子形成共价键,多余的一个电子被束缚于杂质原子附近,产生类氢浅能级—施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多,很易激发到导带成为电子载流子,因此对于掺入施主杂质的半导体,导电载流子主要是被激发到导带中的电子,属电子导电型,称为N型半导体。由于半导体中总是存在本征激发的电子空穴对,所以在n型半导体中电子是多数载流子,空穴是少数载流子。

相应地,能提供空穴载流子的杂质称为受主(Acceptor)杂质,相应能级称为受主能级,位于禁带下方靠近价带顶附近。例如在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时,杂质原子与周围四个锗(或硅)原子形成共价结合时尚缺少一个电子,因而存在一个空位,与此空位相应的能量状态就是受主能级。由于受主能级靠近价带顶,价带中的电子很容易激发到受主能级上填补这个空位,使受主杂质原子成为负电中心。同时价带中由于电离出一个电子而留下一个空位,形成自由的空穴载流子,这一过程所需电离能比本征半导体情形下产生电子空穴对要小得多。因此这时空穴是多数载流子,杂质半导体主要靠空穴导电,即空穴导电型,称为p型半导体。在P型半导体中空穴是多数载流子,电子是少数载流子。在半导体器件的各种效应中,少数载流子常扮演重要角色。


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