怎样控制电阻率和少子寿命

简单地说，

可以通过控制半导体的掺杂浓度来控制半导体的电阻率；

可以通过减少晶体缺陷（如退火等）和减少重金属杂质的污染来提高半导体的少子寿命；可以通过在半导体中掺入深能级杂质来降低半导体的少子寿命。

硅的原子密度为5*10^22cm-3,掺入1%的As后,若杂质全部电离,则室温下载流子浓度为：

多数载流子（电子）n=5*10^22cm-3*1%=5*10^20cm-3

少数载流子（空穴）p=ni^2/n=0.45cm-3

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