如何理解半导体中的陷阱，什么能构成陷阱？

在半导体中的所谓深能级中心主要有陷阱和复合中心。

陷阱是俘获一种载流子的能力强、俘获另外一种载流子的能力弱的一种深能级中心，故陷阱具有存一种储载流子的作用。等电子陷阱是一种杂质原子，即它的价电子数目与晶体母体原子的价电子数目相等，故有“等电子”之称；例如GaAs中的氮原子，它有5个价电子，这与母体As原子的价电子数目相等，故它形成的深能级中心是一种陷阱。

复合中心是俘获两种载流子的能力差不多的一种深能级中心，故复合中心具有使一对载流子消失的作用。

一般，陷阱的能级在禁带中的位置较浅，而复合中心的能级较深。

简单的来说，阈值电压的意义是给栅极加电压后，使沟道感应出足够浓度的电子所需的电压（以N沟道增强型MOS为例）。这部分电压主要降在如下两个地方：1、绝缘介质两端，2、半导体的耗尽区沟道掺杂浓度会影响半导体内费米能级的位置，这里如果P型掺杂越重，则费米能级越靠近价带，离本征费米能级越远，表面发生反型就越困难，则半导体表面耗尽区就需要更高的压降以达到反型，所以增加沟道的掺杂会导致阈值电压的升高。界面陷阱对阈值电压的影响主要体现在其俘获电子或者空穴后，会变成固定电荷，从而导致阈值电压的变化。所以其作用和界面电荷的作用一致，只是受主陷阱电离后是负电荷，施主陷阱电离后留下的是正电荷，对阈值电压的影响正好相反。正电荷的影响参见非理情况下MOSFET的阈值电压表达式，此处不再赘述。栅长和沟道长度对阈值电压无直接影响。但是在集成电路设计过程中，沟道长度和栅长往往可调，且受限于工艺加工的特征尺寸。对于小尺寸元件，阈值电压会受到栅长和沟道长度的影响，一般来说，对于短沟道器件，沟道尺寸越短，器件关断能力越差，则阈值电压越低。

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