为什么半导体中载流子的运动方向会发生变化

霍尔电压（一般称霍尔电势）的大小和方向与下述因素有关：

1、激励电流I。

2、与激励电流垂直的磁感应强度分量B。

3、器件材料（决定灵明度系数K）。

4、霍尔电势的方向还与半导体是P型还是N型有关，两者方向相反。

设霍尔电势为EH

则：EH=KIB

注：B为与电流垂直的磁感应强度分量。

当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应使用左手定则判断。

扩展资料：

在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场力与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集。

此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移，这个现象称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。

霍尔器件通过检测磁场变化，转变为电信号输出，可用于监视和测量汽车各部件运行参数的变化。例如位置、位移、角度、角速度、转速等等，并可将这些变量进行二次变换；可测量压力、质量、液位、流速、流量等。

霍尔器件输出量直接与电控单元接口，可实现自动检测。如今的霍尔器件都可承受一定的振动，可在零下40摄氏度到零上150摄氏度范围内工作，全部密封不受水油污染，完全能够适应汽车的恶劣工作环境。

参考资料来源：百度百科——霍尔效应

当有电场作用时，半导体中的载流子将产生定向运动，称为漂移运动。它是在内电场作用下形成的。

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。