半导体激光器实验 pi曲线为什么最后斜率变小

大部分半导体激光器的PI曲线的斜率应该来说都是比较直的，也有一部分到最大值附近效率下降了，斜线变平。有一些半导体激光器是光纤输出的，电流加大后光斑模式变化了，导致耦合效率下降，也会造成PI曲线末端斜率变小了。如果能稳定输出，功率足够的话问题都不是太大了

简单回答下。半导体表面和金属接触时，载流子会重新分布，电子会从费米能级较高的n型半导体转移到费米能级较低的金属。这一过程直到两者费米能级相等。相等的同时形成肖特基势垒，并捕捉光生电子，防止与光生的空穴复合湮灭。所以贵金属沉积太多，会带来这几个问题：材料的稳定性收到影响，很多贵金属（如Au）在激发光的照射下就会发生熔化和产生团聚，这就形成了大晶粒尺寸的粒子，降低材料的比表面积。这是光催化比较禁忌的。光生载流子的产生依赖于半导体，贵金属覆盖面积太大时，半导体吸收光的效率下降，而且光生空穴也难以迁移到材料表面，影响催化活性。成本提高。</ol>祝好，以上。

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