D |
试题分析:已知导体内定向移动的自由电荷是电子,电流方向向右,所以电子定向移动方向向左,由左手定则可知电子所受洛伦兹力方向向上,上表面聚集自由电子,由E=U/d可知场强大小为 ,由qE=qvB可知电子定向移动的速率 ,AB均错;只有增大ab的长度时才能增大霍尔电压,由电流的微观表达可知 ,所以每立方米的自由电子数为 个 点评:难度中等,明确霍尔效应还是考查带电粒子在复合场中的运动,当电场力等于洛伦兹力时粒子匀速穿过,此种类型题还综合考查了欧姆定律、受力分析、U=Ed的问题 |
最好是读研,将来发展好。
1、微电子专业。
本专业是由芯片设计关系最密切的专业,毕业以后主要到集成电路制造厂家、集成电路设计中心以及通信和计算机等信息科学技术领域从事开发和研究工作,想以后从事芯片半导体相关的工作,微电子学专业是首选。
2、材料物理专业。
这个专业看似和芯片关系不大,其实它主要学习的课程有材料科学基础、材料力学、电工电子学、材料热力学、量子力学、材料测试与分析技术、固体物理,以及半导体材料与器件物理。而且最后两门课是本专业学习的重中之重,所以材料物理专业也是与芯片关系非常密切的专业。
3、集成电路专业。
集成电路说白了就是半导体芯片,像华为这样的大型公司,每年都要录用大量集成电路专业人才。
半导体载流子计算公式:n = p = K1*T^3/2*e^-E(go)/(2kT),n和p为载流子浓度,第一个T为热力学温度,E(go)为为热力学零度时破坏公价键所需的能量,k为玻耳兹曼常数. 半导体载流子即半导体中的电流载体。在物理学中,载流子指可以自由移动的带有电荷欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)