半导体中的自由电子是指

自由电子是在大于热力学零度或外界能量激发的条件下，挣脱原子核束缚的电子，因此半导体中的自由电子是指挣脱共价键束缚的电子。

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。

n代表negative 表示富电子体系。一般是硅杂V族元素，多了电子。所以大多数载流子是自由电子。

P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。

N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

N型半导体中 自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,空穴称为少数载流子。

扩展资料：

掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等)，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时。

可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素。

参考资料来源：百度百科-N型半导体