从固体物理统计热力学的角度上来说，费米能级降低，半导体导带边缘下降，电池的开路电压因而降低。

你这个问题问的让人搞不清楚，整个过程没有描述清楚。

首先费米能及是电子填充能力的标志，对于本征半导体来说，费米能及在禁带中部，如果是n型则在禁带中上部，p型在禁带中下部。对于给定的半导体，即工作温度和参杂都确定时，其费米能及是确定的。要改变费米能及就要改变参杂量。

从热力学上来说，就是电子的分布遵循费米统计分布。

”费米能级降低，半导体导带边缘下降”，不知道你是不是指金半接触，在金属和半导体接触时，由于两者的费米能级不同，因此在接触后（比如把金属焊接到半导体上），费米能级要取齐，因此金属的导带相对半导体的边缘要低，具体的可以参看《半导体物理》，和固体物理及热统的关系不大。

“电池的开路电压因而降低”这句话和上面扯不上任何关系。如果是将半导体作为电池，其电池的开路电压才有意义。

以上意见供你参考。

越大越好。宽带隙半导体，是指室温下带隙大于2.0电子伏特的半导体材料。从物理学上带隙越宽，其物理化学性质就越稳定，抗辐射性能越好，寿命越长，与此相对应，带隙宽的一个缺点是这种材料对太阳光的吸收较少，光电转换效率低。

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