场效应管是什么？

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。

一、指代不同

1、J-FET输入运放：即集成运算放大器，是由多级直接耦合放大电路组成的高增益模拟集成电路。

2、双极型输入运放：又称双运算放大器，把两个通用型运算放大器集成在一个单片上。

二、特点不同

1、J-FET输入运放：具有高电压放大倍数的直接耦合放大器，主要由输入、中间、输出三部分组成。输入部分是差动放大电路，有同相和反相两个输入端；前者的电压变化和输出端的电压变化方向一致，后者则相反。

2、双极型输入运放：两运放在各自的输入、输出，电源及校正电容引出端，使用方便。可广泛用于各种模拟运算器，有源滤波器，波形发生器，数据放大器等大量使用运放的场合。

三、优势不同

1、J-FET输入运放：适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接， *** 作方便。芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。

2、双极型输入运放：具有增益高，共模抑制比高、共模范围宽、补偿简单、工作稳定，两运放之间温度稳定性好等特点。

参考资料来源：百度百科-集成运算放大器

参考资料来源：百度百科-双运算放大器