关于半导体掺杂。。。。。。。。。。。。。q(ND + p - NA - n) = 0怎么看出电中性的？

首先掺杂后的半导体中一共有四种带点体，

带正电荷的有：1.失去一个电子后带正电的磷原子，即正电中心，2.正电空穴。

所以正电荷浓度为：ND+P

带负电荷的有：1.得到一个电子后带负电荷的彭原子，即负电中心，2.负电子。

所以负电荷浓度为：NA+N

楼主给的公式等价于：ND + P = NA + N

即整个半导体内部的正电荷浓度等于负电荷浓度，所以电中性。

问题二

至于NP=Ni^2,这个问题涉及到半导体内部电子，空穴浓度计算公式和费米能级的问题，需要经过一定推到，由于公式不太好些，我就不写了，楼主可查看国防工业出版社刘恩科写的《半导体物理学》第63页面，推到不难，楼主自己看看吧！

望有助于楼主！

半导体的导电性能比导体差而比绝缘体强。实际上，半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同，更重要的是半导体具有独特的性能（特性）。

在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加—-这是半导体最显著、最突出的特性。

硅原子的核外电子第一层有2个电子，第二层有8个电子，达到稳定态。最外层有4个电子即为价电子，它对硅原子的导电性等方面起着主导作用。硅晶体中没有明显的自由电子，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。

纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米，几乎是不导电的。但若掺入百万分之一的硼元素，电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。因此，人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素，精确控制它的导电能力，用以制作各种各样的半导体器件。

以上元素中，除了硅外都不具有这种性质，所以都不能作为半导体的材料。