半导体的分类

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

半导体(Semiconductor)是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质，其电导率容易受控制，可作为信息处理的元件材料。

从科技或是经济发展的角度来看，半导体非常重要。很多电子产品，如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息。

常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

硅基半导体自旋量子比特以其长量子退相干时间和高 *** 控保真度，以及与现代半导体工艺技术兼容的高可扩展性，成为量子计算研究的核心方向之一。

个人回答是9N可以,但要求高点.尺寸半导体我只搞过3"4"5"6"8"12"报道有14"以上即超过350mm的,不过我没拉过

半导体单晶都要求掺杂,9N和11N一般用来标识的是原生硅多晶的纯度.非要用这个标识的话,重掺可以忽略.参B拉过上限50的,掺杂在10e-9数量级,大约8N..掺P目标100(这个有点记不清了,50左右肯定拉过,8N),掺杂数量级在10e-10,大约9N......10N意味着掺B1400以上电阻率,掺P430以上电阻率(数据有可能估算错误,仅供参考),原生多晶硅12N已经很吊了.您所要求的是拉制,就是切氏法.麻烦在于石英坩埚和热场气氛带来的影响,按照我以前的选择,坩埚应该采用GE坩埚的相应类型,低碱金属的好像是2尾号,记不清了.石墨热场要纯化过且不能PN互换,还要有其他措施防污染......按我的想法,10N切氏法纯粹实验室也许可以,工业生产估计没厂家会去干----没试过.不想找虐!!!不过区熔应该会可能性高点.

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