何为先进材料，简述先进材料的分类？

先进材料也就是新型的材料

比如： 微纳电子材料的：(1)低维半导体人工结构材料；(2)低维强关联和磁性材料半导体；(3)自旋电子学材料；(4)基于超导体、半导体和磁体的量子控制点的材料

光电子材料有：(1)光子晶体 ；(2)光子集成； (3)面向海量信息存储的先进光电子材料与器件； (4)面向超短、超强激光技术的先进光子材料；(5)高效有机光电子材料与平板显示技术；(6)光电分子固体材料

功能分子材料：(1)孔性功能材料；(2)生物医用材料； (3)基于新合成方法和组装原理的先进功能材料的制备科学；(4)先进贮能材料。

二维半导体材料具有独特的电学性能，是半导体材料研究的重要突破。例如石墨烯、氮化硼、二硫化钼就是典型的二维半导体材料。同时，二维半导体材料具有广阔的研究空间，例如最具潜力的研究方向——构建范德华异质结构，即把不同性质的二维半导体材料层间堆叠形成新的人工结构，可以实现丰富的器件功能。另外，一些新型的二维半导体材料有望应用于高性能柔性光探测领域，在超薄柔性薄膜晶体管、发光二极管、太阳能电池等光电子领域中也具有广泛的应用前景。

基本的半导体器件主要有以下几种：pn结二极管，金属氧化物场效应晶体管（MOS）,双极晶体管（BJT）,结型场效应晶体管。pn结二极管结构：其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。工作原理：由于二者接触后产生由n型半导体指向p型半导体的内建电场，当外加电压由n型半导体指向p型半导体时进一步增强了其内建电场，因而其电流会很小，当外加电压由p型指向n型时，内建电场降低，电流可顺利通过pn结，形成单向导电的特性。MOS结构：主要由栅极，漏极及源极三部分构成。工作原理：通过栅极控制沟道载流子浓度实现对源极及漏极电流的控制。BJT结构：由发射极，基极，集电极构成。基本原理：通过控制发射极与基极之间的电压以及集电极与基电极之间的电压实现电流的放大，截至等效应。结型场效应晶体管：与MOS构成类似，不同点仅在于其栅极位于沟道的上下两侧。工作原理：上下栅极同时控制沟道的载流子浓度及沟道的宽度实现对电流的控制。

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