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dummy的作用是:1. 保证可制造性,防止芯片在制造过程中由于曝光过渡或不足而导致的蚀刻失败:如在tapeout的时候会检查芯片的density,插入dummy metal、dummy poly、dummy diff等;2. 避免由于光刻过程中光的反射与衍射而影响到关键元器件物理图形的精度进又而影响其size:如在模拟电路的电阻、电容阵列外围加上dummy res和dummy cap等,以及关键MOS附近加dummy MOS等;3. 避免芯片中的noise对关键信号的影响,在关键信号的周围加上dummy routing layer后者dummy元器件:如对于某些易受干扰的信号线除了尽量减小其走线长度外,还应该在其走线的左右和上下都加上dummy metal/poly并接地,保证其不受noise的影响。在cap外围加dummy cap也有类似的作用。【作用】:【CMOS 器件版图 DUMMY 图形】:IC版图除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证正确外,还要增加一些与LVS(电路匹配)无关的图形,以减小中间过程中的偏差,我们通常称这些图形为dummy layer。有些dummy layer 是为了防止刻蚀时出现刻蚀不足或刻蚀过度而增加的,比如metal density 不足就需要增加一些metal dummy layer以增加metal 密度。另外一些则是考虑到光的反射与衍射,关键图形四周情况大致相当,避免因曝光而影响到关键图形的尺寸。下面列举了几个例子,其中还夹杂一些其他内容:【MOS dummy】:在MOS 两侧增加dummy poly,避免Length受到影响。对NMOS先加P type guard ring 连接VSS,接着加N type guard ring 连接VDD。对PMOS先加N type 连接VDD,接着加P type连接VSS。拆分MOS应为偶数根,Source端与四周guar ring就近连接。比如拆分NMOS为偶数根, 连接VSS的端在外侧并直接与四周guard ring相连。【RES dummy】:类似于MOS dummy方法增加dummy, 有时会在四周都加上。在poly/diff 电阻下面增加nwell 减轻noise 对电阻的影响,nwell连接高电位与sub反偏。Nwell电阻四周加sub cont 连接VSS。Nwell电阻为了降低光照使电阻阻值下降的影响,在上面覆盖metal并连接高电位。其次为给nwell电阻足够的margin 通常nwell宽度5-6um。【 CAP dummy】: 增加dummy方法类似,用Nwell阻挡相自于substrate的noise,Nwell接高电位与sub 反偏。我对foundry工艺工程师不是很熟悉,没有直接且具体的接触过这个职位,仅仅根据我的一些了解给你一些建议吧。首先,我现在是做集成电路设计的,因为有流片所以和foundry有一些接触,先说上班时间,你要清楚,foundry在生产上是没有节假日之分的,连春节都要生产,而且越到长假的时候流片的人越多,自己不上班,流片的地方还照常流片,多节省时间,所以大家经常会都趁这个时间tapeout出去。生产没日没夜的干,作为工艺工程师这个和生产加工息息相关的职位不会轻松。 其次,虽然对foundry的工艺工程师不是很了解,但由于之前做过板级的工艺工程师的经验,对工艺工程师这个职位还是清楚的。那时候做这个主要就是对生产加工的一些指导,因为生产上的 *** 作人员只会按照流程步骤加工,就需要工艺工程师的指导与控制。当时,一旦有生产的任务, *** 作人员加班,工艺工程师一样,跟着加班,累是没得说的。说实话,我个人觉得这个职位没什么意思。但客观的说,干的好的也还是有前景的,因为当时的领导,就是从工艺工程师干起,做到了总工艺师的位子,还拿了研究员的职称,才三十多岁。还认识个现在还在做工艺的,工资待遇也还不错。最后,说说我的一个朋友,他当年毕业时被 意法半导体 录了,就是工艺工程师,不过没去,后来去了另一个大公司做技术支持,现在聊起来,他觉得没后悔,因为他现在接触到的东西可要比一个做工艺工程师的接触的多多了,以他的性格,不适合做工艺。我的建议是,如果你有几个选择,都不错,就要考虑一下自己是什么样的人而决定了。如果是比较外向,喜欢接触新鲜东西,做事不是很踏实的人,那就别去干工艺工程师,去做一些能够接触的东西更广的工作。如果你是一个做事踏实,能够稳下来仔细琢磨,不轻易受其他因素影响的人,做工艺工程师尤其是集成电路的工艺工程师也还是不错的,集成电路的工艺还是很深的,做好了是有好的收获的。说的不一定有用,但因为也没看到别的答案,就简单说说供你参考一下吧。
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