通过RT曲线测量半导体能隙的问题

非高手过来探讨一下，你这个半导体是本征的吗？这个公式只对本征半导体有用吧，或者对于掺杂半导体，温度特别高，杂质能级全电离的情况，也就跟本征差不多了。4k-300k显然不够。

假如你这种半导体有各种各样的缺陷能级啊啥的，那就更加了。

半导体二极管的核心是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。用实验的方法，在二极管的阳极和阴极两端加上不同极性和不同数值的电压，同时测量流过二极管的电流值，就可得到二极管的伏一安特性曲线。

当正向电压很低时，正向电流几乎为零，P89LPC954FBD这是因为外加电压的电场还不能克服PN结内部的内电场，内电场阻挡了多数载流子的扩散运动，此时二极管呈现高电阻值，基本上还是处于截止的状态。

二极管伏安特性曲线

二极管伏安特性曲线加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。

正向特性：u>0的部分称为正向特性。

反向特性：u<0的部分称为反向特性。

反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。

势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。

变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。如图5所示。

以上内容参考：百度百科-伏安特性曲线

（1）由电路图可知，R与Rt串联，电压表测R两端的电压，

∵串联电路中总电压等于各分电压之和，

∴电源的电压U=2×1.5V=3V，

根据欧姆定律可得：

R的阻值和电路中的总电阻R=

UR

I

=

1V

0.2A

=5Ω，

电路中的总电阻R总=

U

I

=

3V

0.2A

=15Ω，

∵串联电路中总电阻等于各分电阻之和，

∴此时热敏电阻阻值：

Rt=R总-R=15Ω-5Ω=10Ω；

（2）往Rt上擦一些酒精后，酒精蒸发吸热，使Rt的温度降低，

由乙图可知，Rt的阻值变大，电路中的总电阻变大，

∵I=

U

R

，

∴电路中的电流变小，Rt两端的电压变小，即电压表的示数变小．

故答案为：10；变小．

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