mos工艺中工艺角（tt ff ss）都是代表什么

Finish-to-Start (TT)，把这个任务的开始日期和前提条件任务的结束日期对齐，一般用于串行的任务安排，前一个任务必须完成后才能启动下一个新任务。

Start-to-Start (SS)，把这个任务的开始日期和前提条件任务的开始日期对齐，一般用于并行任务的安排，也可以一个任务启动后，第二个任务延后或提前数日启动。

Finish-to-Finish (FF)，把这个任务的结束日期和前提条件任务的结束日期对齐，可以用于协调任务的统一时间完成，这样可以定义好任务的开始时间

NMOS的结构如下：在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。

然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。

扩展资料：

当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源极之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层。

且与两个N+区相连通，在漏——源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(c)所示。

vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。

开始形成沟道时的栅——源极电压称为开启电压，用VT表示。

N沟道MOS管在vGS<VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。

这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。沟道形成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。

参考资料来源：百度百科-NMOS

显然不一样。

这些区域都存在于两半导体或者半导体-金属接触的地方，空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域，而耗尽层则相反。势垒区指由于不同费米面的半导体之间或者半导体-金属之间由于接触而引起载流子重新分配后形成势垒的区域。

主要在珠三角、长三角、环渤海地区、主要城市是深圳、上海、北京。深圳半导体行业全国之最、全国前十有海思半导体、中兴微电子、汇顶科技、其中海思就占前十营收55%以上、深圳三家半导体公司营收占全国前十63%。