我国的军备芯片是14纳米，而美国是5纳米，这有何影响？

信息处理能力上的巨大差距是致命的，各位都不知道商用处理器+加固机柜即可解决吗？

越是特殊用途的芯片，考虑的更多的不是制程的先进，而是制品的可靠。所谓5nm顶级芯片就是个过度消费的伪概念。目前的战争中这类芯片处于绝对不会用的地位，一个电磁脉冲，全部都会失效。俄罗斯的IC工艺更加落后，这并不妨碍军备的发展。美军并不会害怕高度科技化的对手，他们只害怕高度政治化的对手。这一点，从他们的文宣里面暴露的很充分。

在芯片制造的环节，比如台积电和中芯，它们技术上的差距最大的是不是就是光刻机？假如中芯能拿到和台积电一样的光刻机，差距是不是能快速缩小？或者说在制造环节，除了光刻机这个工具以外有什么东西是芯片厂自己的技术核心呢？

1，最大差距不是光刻机，而且工艺技术，也就是用光刻机等一系列设备把芯片做出来的水平。你做饭光靠菜刀先进就行了吗？半导体工艺涉及到物理，化学，材料，机械，电子，计算机等多学科的模拟，计算和实践应用。你 *** 作设备做工艺报出来的是信号和数据，工程师需要对数据进行分析，再设计实验，调整参数。这就是提高工艺的过程。

2，光刻工艺和沉积，离子注入，刻蚀，CMP等一系列工艺组成了半导体制造工艺。而这些工艺的设备基本上都被欧美日垄断，国产化不到20%。

3，中芯国际的193DUV光刻机目前做到N7完全够用。

4，在其他很多设备方面，比如刻蚀设备，缺陷检测设备，中芯国际拥有的设备的先进程度都是最新款的，和台积电N5的设备水平相当。做不好芯片就像一个大厨光有菜刀没有厨艺一样。

半导体制造商的核心技术就是它的工艺，业内称之为“recipe”，反映在设备上就是由一系列参数组成的模型/程序。设备会根据这模型/程序去计算，指挥设备来完成工艺。如果设备不稳定，比如recipe算出来的东西过一段时间就飘得厉害，对制程是非常有害的。所以这么精密娇贵的设备能保持很好的稳定性也是非常重要的。

说白了就是手机，电脑所需要的极致工艺芯片对现代武器所需的芯片有巨大的技术余量。至少在当下130纳米与5纳米之间让武器效能的提升有限，反而让其可靠性，稳定性有所下降，一味的追求极致制程对于武器制造来说这基本上是得不偿失的举措。如果真有大效果，各个武器大国都会加大投入，往里面砸大钱。

至于你说的航发芯片提升也就是在保证可靠性前提下做的随大流的技术迭代。毕竟谁也无法确定未来芯片工艺是否会极大的影响武器效能。军事上的可靠性感觉还包括应对电磁波干扰的能力，理论上说一定强度的电磁波会在电子元件内部产生感应电流，然后感应电流大到一定程度会对半导体元件产生击穿效应，如果是热击穿的话可能芯片直接就废了。

电磁干扰应该分成电场辐射噪声和磁场辐射噪声，具体表现在MOS里面的噪声电流。一般来说，因为工作频率高，射频模块应该都会带阻挡，吸收电磁波的屏蔽结构，来降低板子上不同模块之间的电磁干扰。

打个比方，假如美军一个飞机技术定型的时候最先进的计算机用的是486，那它就用486，过了二十年有了四核了也不会再换，因为不能保证换了这一个件会不会造成连锁反应，比如不兼容啥的；而我们的飞机研发的晚，那会最先进的电脑用的是奔腾，那我们的飞机用的就是奔腾。台积电目前协助美国生产F-35战机运算芯片，同时也是美国多家科技巨头Apple、AMD、Xilinx和Qualcomm的主要供应商。

由于芯片涉及美国核心军事科技，出于国家安全层面考量，美国政府希望台积电将军用芯片产线转移至美国，并称美国在这方面不打算退让。 这就是台积电赴美建厂的主要原因，而且还是最先进的5nm工艺， 这还只是其中冰山一角。

从侧面也反应出美国先进芯片工艺开始落后，不得不依赖东亚供应商。你说先进制程工艺对军事没用? 我怀疑美国无人机，人工智能电子对抗系统等等都用了先进制程芯片。最早的opamp就是为了破解密码而研制出来的，组成了最早的由集成电路组成的计算机。

现在破解密码用到的超级计算机的性能应该受到计算机架构设计的影响更大。就像我国的超级计算机使用的并不是最先进的数字逻辑芯片作为处理器（事实上美国应该是禁运的），但是体系结构上的特殊设计让我国的超级计算机曾经问鼎世界第一，并不是说靠处理器的性能优秀，制程先进就可以，超算是很庞大的系统工程，不是芯片的简单堆叠。当然系统这一级别我了解的不是很多，只是课上学过一些，我是做模拟集成电路的，偏向底层。

半导体器件是由半导体元件制成的电子器件。半导体设备包括激光打标机、激光喷墨打印机、包装机、净水器等。

半导体是指室温下电导率介于导体和绝缘体之间的材料。它广泛应用于半导体收音机、电视机和温度测量。例如，二极管是由半导体制成的器件。半导体是指其导电性可以控制的材料，范围从绝缘体到导体。

半导体材料的分类根据化学成分和内部结构，半导体材料大致可以分为以下几类:

1.化合物半导体是由两种或两种以上元素结合而成的半导体材料。

2.非晶半导体材料用作半导体的玻璃是非晶的非晶半导体材料，可分为氧化物玻璃和非氧化物玻璃。

3.元素半导体包括锗、硅、硒、硼、碲、锑等。

4.有机导电材料已知的有机半导体材料有几十种，包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物，目前还没有应用。

一、分立器件

1、 二极管

A、一般整流用

B、高速整流用：

①FRD（Aast Recovery Diode:高速恢复二极管）

②HED（Figh Efficiency Diode:高速高效整流二极管）

③SBD（Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管）

C、定压二极管（齐纳二极管）

D、高频二极管

①变容二极管

②PIN二极管

③穿透二极管

④崩溃二极管/甘恩二极管/骤断变容二极管

2、 晶体管

①双极晶体管

②FET（Fidld Effect Transistor:场效应管）

Ⅰ、接合型FET

Ⅱ、MOSFET

③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)

3、 晶闸管

①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅

②GTO（Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管）

③LTT（Light Triggered Thyristor:光触发晶闸管）

二、光电半导体

1、LED（Light Emitting Diode:发光二极管）

2、激光半导体

3、受光器件

①光电二极管（Photo Diode）/太阳能电池（Sola Cell）

②光电晶体管（Photo Transistor）

③CCD图像传感器（Charge Coupled Device:电荷耦合器）

④CMOS图像传感器（complementary Metal Oxide Semiconductor:互补型金属氧化膜半导体）

4、光耦(photo Relay)

①光继电器（photo Relay)

②光断路器（photo Interrupter）

5、光通讯用器件

三、逻辑IC

1、通用逻辑IC

2、微处理器（Micro Processor）

①CISC(Complex Instruction Set Computer:复杂命令集计算机)

②RISC(Reduced instruction SET Computer:缩小命令集计算机)

3、DSP(Digital Signal processor:数字信号处理器件)

4、AASIC（Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC）

①栅陈列（Gate-Array Device）

②SC(Standard Cell:标准器件)

③FPLD(Field programmable Logic Device:现场可编程化逻辑装置)

5、MPR（Microcomputer peripheral:微型计算机外围LSI）

6、系统LSI（System LSI）

四、模拟IC（以及模拟数字混成IC）

1、电源用IC

2、运算放大器（OP具Amp）

3、AD、DA转换器（AD DA Converter）

4、显示器用驱动器IC(Display Driver IC)

五、存储器

1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器)

2、SRAM(Static Random Access Memory:静态随机存取储器)

3、快闪式存储器(Flash Memory)

4、掩模ROM(mask Memory)

5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:强介电质存储器)

6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性体存储器)

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