半导体集成电路的制备工艺包括哪些步骤

半导体集成电路的制备工艺包括哪些步骤,第1张

IC的制备工艺相对复杂一点,但跟基本的晶体管、MOS工艺等差不多的。NPN管为例硅外延平面管的结构主要工艺流程:(1) 切,磨,抛衬底(2)外延(3)一次氧化(4)基区光刻(5)硼扩散/硼注入,退火(6)发射区光刻(7)磷扩散(磷再扩)(8)低氧(9)刻引线孔 (10)蒸铝(11)铝反刻(12)合金化 (13)CVD(14)压点光刻(15)烘焙(16)机减(17)抛光(18)蒸金(19)金合金(20)中测.

一、根据芯片上集成的微电子器件的数量,集成电路(芯片)分为以下六类:小型集成电路,中型集成电路,大规模集成电路,超大规模集成电路,极大规模集成电路,GLSI等。

最先进的集成电路是微处理器或多核处理器的核心。

根据电路特点,集成电路分为模拟集成电路、数字集成电路和混合信号集成电路。

半导体集成电路工艺,包括以下步骤:光刻,刻蚀,薄膜(化学气相沉积或物理气相沉积),掺杂(热扩散或离子注入),化学机械平坦化CMP。

二、芯片制造如同盖房子,以晶圆作为地基,层层往上叠。没有设计图,拥有再强制造能力都没有用,因此芯片设计师很重要。

在IC生产流程中,IC多由专业IC设计公司进行规划、设计,比如联发科、高通、Intel等。IC设计中,最重要的步骤就是规格制定。类比盖房子,先要决定要几间房子,有什么建筑法规要遵守,在确定好所有功能后再进行设计,这样才能免去后续多次修改的麻烦。

规格制定的第一步便是确定IC的目的、效能为何,对大方向做设定。接着是察看有哪些协定需要遵守,比如无线网卡的芯片就需要符合IEEE 802.11规范,不然,就无法与市面上其他设备连线。最后确定IC的制作方法,将不同欧冠功能分配成不同单元,并确立不同单元间连接的方法,如此便完成规格的制定。

接着便是设计芯片的细节,就先初步记下建筑的规画,将整体轮廓描绘出来,方便后续制图。在IC 芯片中,使用硬体描述语言(HDL)将电路描写出来,常使用的HDL有Verilog、VHDL等,使用程式码可轻易的将IC功能表达出来。

有了完整规画后,接下来便是画出平面设计蓝图。在IC设计中,逻辑合成便是将确定无误的HDL code,放入电子设计自动化工具(EDA tool),让电脑将HDL code转换成逻辑电路,并反复修改至无误。

最后,将合成的程式码再放入另一套EDA tool,进行电路布局和绕线。

参考文章:芯片到底是什么?https://blog.csdn.net/fuli911/article/details/116740481?ops_request_misc=%257B%2522request%255Fid%2522%253A%2522162415509316780274192768%2522%252C%2522scm%2522%253A%252220140713.130102334..%2522%257D&request_id=162415509316780274192768&biz_id=0&utm_medium=distribute.pc_search_result.none-task-blog-2~all~top_click~default-2-116740481.first_rank_v2_pc_rank_v29&utm_term=%E8%8A%AF%E7%89%87&spm=1018.2226.3001.4187

芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)。

测试工序(Initial Test and Final Test)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序,而构装工序、测试工序为后段(Back End)工序。

按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类,一般来说这些还会被再分成小类。

此外,IC除了在制造技术上的分类以外,还有以应用领域、设计方法等进行分类,最近虽然不常用。

但还有按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类的方法。此外,还有按照其所处理的信号,可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

晶圆处理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关。

但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。

扩展资料:

(1)元素半导体。元素半导体是指单一元素构成的半导体,其中对硅、锡的研究比较早。它是由相同元素组成的具有半导体特性的固体材料,容易受到微量杂质和外界条件的影响而发生变化。目前, 只有硅、锗性能好,运用的比较广,硒在电子照明和光电领域中应用。

硅在半导体工业中运用的多,这主要受到二氧化硅的影响,能够在器件制作上形成掩膜,能够提高半导体器件的稳定性,利于自动化工业生产。

(2)无机合成物半导体。无机合成物主要是通过单一元素构成半导体材料,当然也有多种元素构成的半导体材料,主要的半导体性质有I族与V、VI、VII族;II族与IV、V、VI、VII族;III族与V、VI族;IV族与IV、VI族。V族与VI族;

VI族与VI族的结合化合物,但受到元素的特性和制作方式的影响,不是所有的化合物都能够符合半导体材料的要求。这一半导体主要运用到高速器件中,InP制造的晶体管的速度比其他材料都高,主要运用到光电集成电路、抗核辐射器件中。 对于导电率高的材料,主要用于LED等方面。

参考资料来源:百度百科-半导体


欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/9127220.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2023-04-25
下一篇 2023-04-25

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存