中科纳米张家港化合物半导体研究所工艺什么样的

科纳米张家港化合物半导体研究所的工艺主要是涉及到半导体材料的制备、分析、测试和应用等方面。首先，在材料制备方面，采用原子层沉积（ALD）、溅射外延（PEALD）、化学气相沉积（CVD）、化学气相沉积（MOCVD）等技术，制备出高质量的半导体材料；其次，在材料分析方面，采用X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）等技术，对半导体材料进行分析；再次，在材料测试方面，采用电子镜（EM）、能谱仪（SP）、高频测试仪（HPT）、光谱仪（SP）等技术对半导体材料进行测试；最后，在材料应用方面，采用热处理、激光处理等技术，将半导体材料应用于各种电子器件中。

纳米是长度量单位,是一米的十亿分之一（千米→米→厘米→毫米→微米→纳米）, 4倍原子大小，万分之一头发粗细。纳米技术是是指制造体积不超过数百个纳米的物体，其宽度相当于几十个原子聚集在一起。

硅片尺寸（8英寸、12英寸）上加工纳米级的电路，就能容纳更多晶体管，做出体积更小更复杂的电路。

把纳米技术定位为微加工技术的极限。也就是通过纳米精度的“加工”来人工形成纳米大小的结构的技术。这种纳米级的加工技术，也使半导体微型化即将达到极限。现有技术即便发展下去，从理论上讲终将会达到限度。这是因为，如果把电路的线幅变小，将使构成电路的绝缘膜的为得极薄，这样将破坏绝缘效果。

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