半导体日报怎么写

半导体日报写法是。

因电动车(EV)普及、有望带动「积层陶瓷电容(MLCC)」需求急增，日厂TDK传出将兴建MLCC新厂、倍增产能。

日经新闻10日报导，TDK计划砸下约500亿日圆在日本岩手县北上市打造使用于EV等用途的电子零件「MLCC」新工厂，预估2024年末时整体MLCC产能将扩增至现行的约2倍。

报导指出，TDK该座MLCC新厂将位于现有的工厂附近，且将为TDK 16年来首度兴建的电容新厂，而就扩增电子零件产能的投资来看、500亿日圆的投资额将为史上最大规模。

芯片生产过程整体上可以分为三个环节，分别是芯片设计、芯片制造和芯片封装。其中芯片制造是最硬核的一个步骤，涉及到各种顶尖的技术，设备和材料等等。

任何一个细节出现纰漏，都有可能影响芯片制造的效果。大家都知道光刻机对芯片生产有很重要的意义，但实际上芯片制造关键之一也包括了光刻胶。

如果说光刻机是制造过程中必不可少的设备，那么光刻机就是保证制造芯片前的关键。光刻胶作为一种有机化合物，在被紫外光曝光后，以液态的形式涂抹在硅片上，从而干燥成胶膜，保护硅片在光刻过程中的作业。

在芯片制造所涉及的材料上，光刻胶是不可或缺的。而光刻胶的应用领域非常广，包括在印刷工业领域。

只是由于集成电路产业规模的增长，加大了对光刻胶材料的应用。只不过光刻胶一直被日本企业垄断。包括东京应化，富士胶片等日本企业都是光刻胶领域的巨头。

因为在光刻胶产业有着极大的话语权，所以不少国家都要选择与日本合作，进购光刻胶。日本长期维持对光刻胶的垄断，但中国企业传来好消息，突破了关键芯片材料，打破垄断。

中国企业这些年在各项半导体集成电路领域一直在发展，其中涉及到芯片材料的光刻胶上也取得了进展。

据科创板日报消息，南大光电控股子公司自主研发的ArF光刻胶产品已经通过了客户认证，这次通过认证以后，意味着ArF光刻胶产品的开发和产业化取得了关键突破。这也是国内首个国产ArF光刻胶。

据了解，ArF光刻胶可以用在90nm-14nm，甚至是7nm芯片制程技术的应用，在高端芯片制造能发挥重要作用。

如今南大光电突破关键芯片材料，打破日本技术垄断，而且关键性堪比光刻机。虽然距离生产高端芯片还有一段路要走，但是每一次实现的技术突破，都是在为将来生产高端工艺芯片打下基础。

芯片设计有华为海思、芯片制造有中芯国际、芯片材料有南大光电，还有光刻机设备制造也有上海微电子。

集合这么多的顶级 科技 力量，相信未来我们能够在更多的关键技术上迎来突破。

芯片制造是一项复杂的过程，从设计到制造，再从制造到封装，一颗小小的芯片能够被生产出来，背后有太多的不容易。

但是这并不代表会放弃，相反还会激励我们不断向前。前有华为突破5nm设计芯片，后有南大光电打破日本技术垄断，带来ArF光刻胶，为中国芯片制造产业做出巨大贡献。

在芯片制造产业的进展已经非常迅速了，比如中芯国际在梁孟松的帮助下，从三年前的28nm到今年量产14nm，最快明年就能尝试生产7nm芯片。将来要是能获得EUV光刻机，更高的5nm，以及3nm都开始进行研究。

为了鼓励芯片制造企业加强技术研发，我国给予最高免税十年的待遇。还要培养半导体人才，这一切都说明，以前落下的功课，我们正在补上。所有取得高分的学霸，都是一点一滴积累起来的。

南大光电在ArF光刻胶上取得突破，完成了客户认证。这仅仅迈出了第一步，还有第二步，第三步。像南大光电这类的企业在我国还有很多，他们都在默默为中国半导体付出。

曾几何时，国产芯片有这么快的进展速度。因为华为让我们认识到自主技术的重要性，只有掌握核心 科技 才能睡上安稳觉。期待国产半导体能取得更大的突破。

对南大光电突破ArF光刻胶你有什么看法呢？

据了解，14纳米及14纳米以上制程的半导体芯片可满足70%的市场需求。我国在2021年实现并初步完成了28纳米芯片的自主化生产。没过多久，业界便传来14纳米芯片将在2022年年底实现量产的消息。

我是柏柏说 科技 ，资深半导体 科技 爱好者。本期为大家带来的是：国产半导体将在2022年年底实现14纳米芯片的自主化量产。

老规矩，开门见山。2021年6月23日，环球网消息。中国电子信息产业发展研究院，电子信息研究所所长 温晓君 在接受采访时表示：“ 我国将在2022年底完成14纳米制程的攻坚，完成14纳米制程芯片的量产 ”。

在这里穿插一点：或许是意识到自己无法阻拦我国芯片制程的发展，ASML近期提高了自家中端光刻机的售价。讽刺的是，ASML刚对自家的中低端光刻机降价，紧接着又对自家的中端光刻机提价，其意图不言而喻。

值得一提的是：结合我国近些年来对半导体行业的大力扶持，国产半导体厂商在芯片代工、集成电路领域中的突破。早先业界人士预测， 28纳米将是国产芯片代工行业的制程新起点，28纳米与14纳米制程预计在2021年、2022年实现。

事实上，我国的确在2021年实现了28纳米制程的突破，如今业界有关于14纳米制程的预测，也得到了温晓君的确定。种种迹象表明，国产14纳米芯片真的要来了。我国破冰14纳米制程，将给国产半导体行业带来哪些改观呢？

首先我们要弄明白目前半导体市场的趋势。虽说比起7纳米、5纳米制程，14纳米制程比较落后。但在硅基半导体市场中， 14纳米、28纳米制程依旧是主流。 目前 14纳米及14纳米以上制程的半导体芯片，占据整个半导体市场的70%。 毕竟智能 汽车 、智能家居等中低端半导体制程芯片占据了大部分的芯片市场。

即便不谈14纳米制程的半导体芯片，单是我国在今年掌握的28纳米制程芯片便占据了近半的芯片市场，28纳米制程也被业界称为“黄金线”制程。

据了解，目前大多数的中低端5G芯片，其采用的工艺大多都是14纳米、12纳米。补充一点，12纳米与14纳米之间的差距并不大，类似于台积电的5纳米与4纳米之间的区别，只是在工艺上，晶体管排序上做出了优化。即12纳米是14纳米制程的改进版，其设备并未做出太大改变。

也就是说，华为的5G麒麟中低端处理器芯片，有望在明年实现量产。尽管不能解决华为在高端制程领域中的“芯”疾，至少可以在一定程度上缓解华为在中低端消费者领域中的压力。不只是华为代表的智能手机领域，在PC端市场中，以龙芯、飞腾为代表的PC端市场，也会因此受益。

例如龙芯采用自研指令集架构“loong Arch”制成的龙芯3A5000处理器芯片，14纳米制程足够满足国内大多数PC端厂商的需求。而且不同于手机处理器这种高精密芯片，PC端芯片对于制程的要求要缓和一些。也就是说,，由14纳米、12纳米代工制成的PC端芯片，可以满足大多数的日常工作需要。

温晓君介绍，目前我们在14纳米制程上已经攻克了大多数的难题，刻蚀机、薄膜沉积等关键技术设备都实现了从无到有的突破，并已投入供应链使用。此外，有关封装集成技术方面的突破，我国实现了全面量产。光刻胶、抛光剂等上百种材料也进入了批量销售。以上成果可以助力我国摆脱国外技术限制，实现国产集成电路的全产业链覆盖。

我国成功攻坚14纳米项目，有助于我们更好地对抗国外半导体行业的打压。虽说我们与国外先进半导体制程之间的距离比较大，但路是一步一步走的。目前我们的主要任务是确保自己在半导体领域中不会被主流技术落下。因为在确保市场营收的基础上进军高端技术行业，显然是更好地选择。

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