HPGe是用高纯度锗制成的PN探测器。在一定工作电压下PN结的耗尽层厚度与材料的电阻率的平方根成正比。当锗晶体中杂质的原子浓度小于1010/cm3时,即可满足制造HPGe探测器的要求。
目前的工艺水平已能制造体积比较大的探测器,可以分别满足低能X射线和高能γ射线的能谱测量要求。与Ge(Li)和Si(Li)能量分辨率相当。它的优点是可以常温下保存。
可以考虑根据电阻率的变化,从低温度开始,如果是本征半导体即高纯度,电阻率随温度升高单调下降,但是如果电阻率出现先下降后上升然后再单调下降的话就是高补偿(参照半导体物理书上给出的掺杂半导体电阻率与温度的曲线)。这个答案大家也就总结如此,理论上可行,但是总体来说实际 *** 作不太靠谱,毕竟要降到足够低的温度。 顺带鄙视1楼混答案欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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