肖特基势垒高度可以用什么求

通过CV曲线。肖特基势垒高度可以通过CV曲线求，肖特基势垒高度是指具有整流特性的金属-半导体接触，即具有大的势垒高度，以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性，是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。

势垒高度公式：qVD等于Wm减Ws。势垒宽度的计算公式是Eg等于140除于geV。根据查询网站相关公开信息显示：势垒高度(barrierheight)是1993年公布的电子学名词。1993年，经全国科学技术名词审定委员会审定发布。势垒宽度的计算公式是Eg等于140除于geV。势垒宽度是指一个带隙宽度(单位是电子伏特(ev))，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带，自由空穴存在的能带称为价带。

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