本征载流子浓度ni是多少

本征载流子浓度ni=1.5*10*10cm-3

没有添加任何杂质到半导体材料里面的半导体就称为本征半导体。温度高于绝对零度后，本征半导体的导带和价带中就有部分电子或空穴。

n：代表导电带中电子的浓度； P：代表价电带中空穴的浓度。

定义：ni为本征载子浓度对于本征半导体而言，n=p=ni

对给定的某一个半导体，只要在某一个固定的温度下，那么这个半导体里面导电带里的电子浓度n与价电带里的空穴浓度p的乘积是某个固定常数，即乘积为定值，上述式子称为质量作用定律。

半导体载流子计算公式：n = p = K1*T^3/2*e^-E(go)/(2kT)，n和p为载流子浓度,第一个T为热力学温度,E(go)为为热力学零度时破坏公价键所需的能量,k为玻耳兹曼常数. 半导体载流子即半导体中的电流载体。

在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体中，存在两种载流子，电子以及电子流失导致共价键上留下的空位（空穴）均被视为载流子。通常N型半导体中指自由电子，P型半导体中指空穴，它们在电场作用下能作定向运动，形成电流。

浓度是1.5。

室温下，硅的本征载流子浓度为i=1.5×1016m-3。

本征载流子浓度（Intrinsic carrier concentration）为本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度，常用值为300K时的浓度值。

本征载流子浓度与温度有关，同样材质的半导体，温度越高，热激发越强烈，本征载流子浓度越高；与禁带宽度有关，同样的温度下，禁带宽度越窄，电子或空穴更容易从价带跃迁到导带，本征载流子浓度越高。

相关介绍：

硅在自然界分布很广，在地壳中的原子百分含量为16.7%。是组成岩石矿物的一个基本元素，以石英砂和硅酸盐出现。

硅在地壳中的含量是除氧外最多的元素。如果说碳是组成一切有机生命的基础，那么硅对于地壳来说，占有同样的位置，因为地壳的主要部分都是由含硅的岩石层构成的。

这些岩石几乎全部是由硅石和各种硅酸盐组成。长石、云母、黏土、橄榄石、角闪石等等都是硅酸盐类；水晶、玛瑙、碧石、蛋白石、石英、砂子以及燧石等等都是硅石。

---