光电导器件、PN结光电器件和光电发射器件的禁带宽度和截止波长间的关系？

公式：λc=h拔c/Eg

h：归一化普兰克常数

c：光束

Eg：禁带宽度（eV）

λc：截止波长。

名词解释

光电导器件

半导体光电器件引是把光和电这两种物理量联系起来，使光和电互相转化的新型半导体器件。即利用半导体的光电效应（或热电效应）制成的器件。光电器件主要有，利用半导体光敏特性工作的光电导器件，利用半导体光伏打效应工作的光电池和半导体发光器件等。这一节中简略地向大家介绍一下这些光电器件的工作原理。半导体光电器件如光导管、光电池、光电二极管、光电晶体管等；半导体热电器件如热敏电阻、温差发电器和温差电致冷器等。

禁带宽度是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带。要导电就要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带（能导电）。被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。锗的禁带宽度为0.785ev；硅的禁带宽度为1.21ev；砷化镓的禁带宽度为1.424ev。禁带非常窄就成为金属了，反之则成为绝缘体。半导体的反向耐压，正向压降都和禁带宽度有关。 介于传输与截止之间的临界状态，即由所确定的状态，该状态所确定的频率称为截止频率，该频率所对应的波长称为截止波长。

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