在半导体物理中电子的迁移率与哪些因素有关

迁移率和单位载流子的电荷量、载流子的平均自由时间和载流子有效质量有关.迁移率=电荷量乘自由时间除有效质量.平均自由时间是指载流子受晶格两次散射中间的时间,即外电场下自由加速的时间.还有半导体物理的问题可以加QQ783170560问我.

在一定的条件下，一个气体分子在连续两次碰撞之间可能通过的各段自由程的平均值，微粒的平均自由程是指微粒与其他微粒碰撞所通过的平均距离。用符号λ表示，单位为米。英文是 the mean free path of a particle。

对于气体分子：相邻两次碰撞之间的平均距离，即称为分子的平均自由程。若分子有效直径为d，气体压强为P，则平均自由程为

；对于室温下的空气分子，λ[cm] = 5×10^-3/P[Torr]，当

对于半导体中的载流子：相邻两次碰撞之间的平均距离，即称为载流子的平均自由程；其典型的数值为10nm，这比晶格常数要大得多。而在相邻两次碰撞之间的平均时间，即称为载流子的平均自由时间（Mean free time），其值t决定于平均自由程λ和热运动速度v，即有t= λ/v；典型的数值为1ps，即10^(-12)s。

在气体分子的碰撞理论的刚球模型中，认为分子只在碰撞的一刹那发生相互作用，而在其他时间内，分子作直线运动。相继两次碰撞间所走的路程叫分子的自由程。由于气体分子的数目很大，碰撞频繁，运动的变化剧烈，故其自由程只有统计意义。这个概念对研究气体的特性（如扩散）和电子或中子之类的粒子穿过固体的运动很重要。

氧化物半导体迁移率各项异性和载流子的平均自由时间和载流子有效质量有关。氧化物半导体迁移率是表征半导体的一个重要参数，迁移率越大，器件的运行速度越快，截止频率就越高，迁移率和单位载流子的电荷量、载流子的平均自由时间和载流子有效质量有关。

---