本征载流子浓度ni=1.5*10*10cm-3
没有添加任何杂质到半导体材料里面的半导体就称为本征半导体。温度高于绝对零度后,本征半导体的导带和价带中就有部分电子或空穴。
n:代表导电带中电子的浓度; P:代表价电带中空穴的浓度。
定义:ni为本征载子浓度对于本征半导体而言,n=p=ni
对给定的某一个半导体,只要在某一个固定的温度下,那么这个半导体里面导电带里的电子浓度n与价电带里的空穴浓度p的乘积是某个固定常数,即乘积为定值,上述式子称为质量作用定律。
碳的本征载流子浓度(Intrinsic carrier concentration)为本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度,常用值为300K时的浓度值。本征载流子浓度与温度有关,同样材质的半导体,温度越高,热激发越强烈,本征载流子浓度越高;与禁带宽度有关,同样的温度下,禁带宽度越窄,电子或空穴更容易从价带跃迁到导带,本征载流子浓度越高。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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