在半导体中,平衡电子浓度和电子浓度的区别

在半导体中,平衡电子浓度和电子浓度的区别,第1张

首先n0、p0这两个0就是平衡的意思,后两个积分公式所得载流子浓度即为平衡载流子浓度。再说前面那个公式:n、p所得为平衡载流子浓度,如果非平衡状态,Ef会非,分成Efn与Efp两个能级。

本征载流子浓度ni=1.5*10*10cm-3

没有添加任何杂质到半导体材料里面的半导体就称为本征半导体。温度高于绝对零度后,本征半导体的导带和价带中就有部分电子或空穴

n:代表导电带中电子的浓度; P:代表价电带中空穴的浓度。

定义:ni为本征载子浓度对于本征半导体而言,n=p=ni

对给定的某一个半导体,只要在某一个固定的温度下,那么这个半导体里面导电带里的电子浓度n与价电带里的空穴浓度p的乘积是某个固定常数,即乘积为定值,上述式子称为质量作用定律。

碳的本征载流子浓度(Intrinsic carrier concentration)为本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度,常用值为300K时的浓度值。本征载流子浓度与温度有关,同样材质的半导体,温度越高,热激发越强烈,本征载流子浓度越高;与禁带宽度有关,同样的温度下,禁带宽度越窄,电子或空穴更容易从价带跃迁到导带,本征载流子浓度越高。


欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/9130578.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2023-04-25
下一篇 2023-04-25

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存