除了光刻半导体工艺中还有哪些图形化技术？

1. 用电子束（E-beam Lithography），好处是精度极高，目前实验室级别的E-beam最小可以写到1纳米，不需要Mask。但是因为精度高，所以写片子的时候速度会很慢。。

2. Micro-printing（类似于刻字印刷那种样子~），不是太了解，实验室不怎么用这个，精度貌似不是很好

3. 激光（Laser Lithography），好处是不需要Mask，直接往Resist上写，因为精度不如e-beam好，所以pattern都比较大，因此速度快。

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我当你说的光刻半导体工艺是传统用紫外灯做的Photo-Lithography了哈~

4. 传统光刻（Photo-lithography），这个其实速度也是很快的，实际的曝光时间只有几秒甚至更少。一般对精度要求不高的片子我们都用这个写。唯一缺点是每一个新的设计都要重新做一个Mask。

烷基硫醇亲水，烷基硫醇自组装单层的水溶液，所述水溶液包含烷基硫醇和非离子型表面活性剂混合物，其用于在该水溶液中形成胶束网络，使用该水溶液形成烷基硫醇自组装单层的方法。用于形成烷基硫醇自组装单层的水溶液及使用该溶液形成该单 层的方法。更具体而言，用于在基体上形成烷基硫醇自组装单层的包含烷 基硫醇和非离子型表面活性剂混合物的水溶液，和使用该溶液形成该单层的方法。自组装单层（SAM)是有机化合物的有序化单层膜，所述有机化合物从溶液或气相 中自发地吸收至固体基体上。这种有机化合物由对于目标基体具有特异亲合力的化学官能 团构成。取决于对有机化合物的选择和所显示出的化学官能，在目标基体上形成SAM将改 变目标基体的特性。由于可以设计形成SAM的特定化合物，因此本发明提供了对现有表面产生各种新 特性的可能。事实上，由现有技术可知，SAM技术已用于在现有材料上获得有利特性，如腐 蚀防护和磨损保护。此外，由现有技术可知，可以利用金属基体来形成SAM。因此，在电子工业中普遍存 在涉及SAM的技术。现有技术提供了具有已知可连接至特定金属、金属氧化物和半导体的 特定化学官能团的数种有机化合物。具体而言，更常见的实例是烷烃硫醇的衍生物。SAM与固体基体之间形成的键合易于氧化和分解。这会不利地影响该 结构，因而不利地影响SAM在基体上形成的品质。用于阻止或预防SAM层分解的一个方法 实例描述于以Liu等的名义于2005年10月6日公布的美国专利公报第2005/0221081号 中。该公报中所描述的方法使用了溶剂，所述溶剂可以是水、水性溶剂、水性缓冲剂或其混 合物。然而，与所采用的大多数方法一样，该SAM形成方法是一个缓慢的工艺，需要数小时 和/或数日来完成。

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