官宣!美国巨头发布全球首个2nm芯片,华为曾花40亿“拜师”10年

官宣!美国巨头发布全球首个2nm芯片,华为曾花40亿“拜师”10年,第1张

美国IBM简直太牛了。目前市面上能够量产的最先进的芯片制程工艺是5nm,有实力代工的企业也只有鼎鼎大名的台积电和三星这两家企业,只不过从目前市面上搭载的这些5nm芯片来看,不知道是调教的原因还是制造技术的原因,翻车率相当的高,这也让很多朋友依然选择7nm工艺芯片的产品。如今台积电和三星正在3nm工艺上一筹莫展的时候,5月6日,美国的IBM公司却突然官宣一件让世界为之震撼的事情,2nm芯片制造技术。

谁都没有想到,在芯片制造工艺的领域最先突破的居然不是传统“豪门”台积电和三星,甚至还是直接跨过3nm,来到了2nm,前不久,台积电刚刚更新了2nm工艺芯片的制程研发进度表,它们的进度才刚刚来到改进EUV效率和升级GAA晶体管的阶段,可以说进度是相当缓慢的。IBM公司的这一官宣无疑让台积电和三星感到了相当大的压力。它们不仅在2nm芯片制程上跑到了前面,而且非常有希望一举超越台积电和三星,成为全球芯片领域的新一哥。

可能很多的朋友对IBM公司不是非常的了解,其实他们是全球最大的信息技术和业务解决方案公司,主要的业务是云计算和软件解决方案,但是他们在美国的纽约州奥尔巴尼有一个专门研发芯 片制造技术的研究中心,在这里三星和英特尔都跟IBM进行过芯片技术方面的合作。比如三星的3nm关键技术“切入环绕式栅极技术,gate-all-around”就是在这里和IBM一起研发成功的,而这次IBM的2nm芯片的代工很有可能将交给三星来做,毕竟之前IBM的7nm芯片就是由三星代工的,两家一直以来合作愉快,也就没有必要再更换搭档了。由此可见,IBM虽然我们提芯片的时候,很少提到,但是它在半导体领域有着多项突破性的技术专利,为半导体的发展贡献很大,甚至是奠定了基础!比如说RISC处理器架构,再比如说1966年的单晶体管的DRAM单元,这都对整个半导体领域的发展起着至关重要的奠基作用!

我们都知道5nm工艺的芯片无论是在功耗上还是在性能上都比7nm强了不少,那么2nm工艺的芯片又有什么优点呢?为什么一定要研发2nm呢?首先在体积上,2nm工艺的芯片相较于5nm要小上不少,能效要高出75%,计算效率要强45%,计算速率也是要快很多,不过目前还没有太确切的数字信息!当然了,我们应该不会在今年或者明年看到2nm工艺制程芯片的量产,或者看到搭载2nm工艺芯片的产品,毕竟首发是一方面,真的达到量产的水平还要再经过几年的功夫!

虽然这是一家美国的公司,但是我们中国跟他们还有着很多的渊源,他们在我们国内有开发实验室、客户创新中心还有中国系统试验室,并且我们中国还是IBM的12大研发基地之一。但是2021年1月份,该公司宣布关闭旗下的中国研究院,这个成立于1995年9月份的研究院至今已经二十多年的时间了,他们给出的理由是为了对改革中国的研发布局,不过旗下其他机构依然继续“服役”。

值得注意的是,我们目前正在被老美压得喘不过气来的华为,还是IBM的学生,1998年华为向IBM支付了40亿元人民币的“学费”,正式拜IBM“为师”,在“学徒”的10年里,IBM安排50余名专家老师入驻华为,帮助华为在IT系统重整、ISC(集成供应链)、IPD(集成产品开发)等8个项目进行管理升级,跟华为一起开发半导体集成产品以及产业供应链,华为的核心供应商红帽也正是IBM公司旗下的机构。也有很多人评价说,华为能在全球的通讯领域能有今天的成就,离不开“师傅”IBM辛苦耕耘和付出。

如今IBM首先官宣2nm制造技术,再次让其在全球半导体乃至通信领域扬名,曾经的 科技 巨头虽然如今收益年年下降,虽然辉煌不在,但是凭借着深厚的底蕴和技术积累,相信这一次将会有很大的机会对台积电进行冲击,再加上三星的加持,“华为的师傅”一举拿下“全球芯片一哥”还是非常有希望的,不知道这时候,台积电是不是瑟瑟发抖了呢?

1.ISC:(Intel Server Controller)服务器控制.是Intel的服务器管理软件。

2.ISC:(Integrated Supply Chain)集成化供应链。供应链的集成化是指成员企业通过信息的协调和共享

3.ISC :中国互联网协会(Internet Society of China )成立于2001年5月25日,由国内从事互联网行业的网络运营商、服务提供商、设备制造商、系统集成商以及科研、教育机构等70多家互联网从业者共同发起成立,是由中国互联网行业及与互联网相关的企事业单位自愿结成的行业性的全国性的非营利性的社会组织。

4.ISC:可持续发展社区协会Institute For Sustainable Communities

5.ISC:国际学校联盟International School Connection

6.ISC:国际标准认证International Standards Certifications

7.ISC:国际地震中心International Seismological Centre

8.ISC:Index of Stream Condition用途:常见河流健康评价方法之一。

(楼主没有具体解释,不知哪一个是楼主想知道的)

硅是集成电路产业的基础,半导体材料中98%是硅,半导体硅工业产品包括多晶硅、单晶硅(直拉和区熔)、外延片和非晶硅等,其中,直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶目前主要用于大功率半导体器件,比如整流二极管,硅可控整流器,大功率晶体管等。单晶硅和多晶硅应用最广。

中彰国际(SINOSI)是一家致力于尖端科技、开拓创新的公司。中彰国际(SINOSI)能够规模生产和大批量供应单晶硅、多晶硅及Φ4〃- Φ6〃直拉抛光片、 Φ3〃- Φ6〃直拉磨片和区熔NTD磨片并且可以按照国内、外客户的要求提供非标产品。

单晶硅

单晶硅主要有直拉和区熔

区熔(NTD)单晶硅可生产直径范围为:Φ1.5〃- Φ4〃。直拉单晶硅可生产直径范围为:Φ2〃-Φ8〃。

各项参数可按客户要求生产。

多晶硅

区熔用多晶硅:可生产直径Φ40mm-Φ70mm。直径公差(Tolerance)≤10%,施主水平>300Ω.㎝,受主水平>3000Ω.㎝,碳含量<2×1016at/㎝3 。各项参数可按客户要求生产。

切磨片

切磨片可生产直径范围为:Φ1.5〃- Φ6〃。厚度公差、总厚度公差、翘曲度、电阻率等参数符合并优于国家现行标准,并可按客户要求生产。

抛光片

抛光片可生产直径范围为:Φ2〃- Φ6〃,厚度公差、总厚度公差、翘曲度、平整度、电阻率等参数符合并优于国家现行标准,并可按客户要求生产。

高纯的单晶硅棒是单晶硅太阳电池的原料,硅纯度要求99.999%。单晶硅太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池,它的构和生产工艺已定型,产品已广泛用于空间和地面。为了降低生产成本,现在地面应用的太阳电池等采用太阳能级的单晶硅棒,材料性能指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料,经过复拉制成太阳电池专用的单晶硅棒。

单晶硅是转化太阳能、电能的主要材料。在日常生活里,单晶硅可以说无处不在,电视、电脑、冰箱、电话、汽车等等,处处离不开单晶硅材料;在高科技领域,航天飞机、宇宙飞船、人造卫星的制造,单晶硅同样是必不可少的原材料。

在科学技术飞速发展的今天,利用单晶硅所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能,实现了迈向绿色能源革命的开始。现在,国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段,正在向实际应用阶段过渡,太阳能单晶硅的利用将普及到全世界范围,市场需求量不言而喻。

直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶目前主要用于大功率半导体器件,比如整流二极管,硅可控整流器,大功率晶体管等。

区熔(NTD)单晶硅可生产直径范围为:Φ1.5〃- Φ4〃。

直拉单晶硅可生产直径范围为:Φ2〃-Φ8〃。

硅单晶被称为现代信息社会的基石。硅单晶按照制备工艺的不同可分为直拉(CZ)单晶硅和区熔(FZ)单晶硅,直拉单晶硅被广泛应用于微电子领域,微电子技术的飞速发展,使人类社会进入了信息化时代,被称为硅片引起的第一次革命。区熔单晶硅是利用悬浮区熔技术制备的单晶硅。它的用途主要包括以下几个方面。

1、制作电力电子器件

电力电子技术是实现电力管理,提高电功效率的关键技术。飞速发展的电力电子被称为“硅片引起的第二次革命”,大多数电力电子器件是用区熔单晶硅制作的。电力电子器件包括普通晶闸管(SCR)、电力晶体管GTR、GTO以及第三代新型电力电子器件——功率场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(PIC)等,广泛应用于高压直流输电、静止无功补偿、电力机车牵引、交直流电力传动、电解、励磁、电加热、高性能交直流电源等电力系统和电气工程中。制作电力电子器件,是区熔单晶硅的传统市场,也是本项目产品的市场基础。

2、制作高效率太阳能光伏电池

太阳能目前已经成为最受关注的绿色能源产业。美国、欧洲、日本都制定了大力促进本国太阳能产业发展的政策,我国也于2005年3月份通过了《可再生能源法》。这些措施极大地促进了太阳能电池产业的发展。据统计,从1998—2004年,国际太阳能光伏电池的市场一直保持高速增长的态势,年平均增长速度达到30%,预计到2010年,仍将保持至少25%的增长速度。

晶体硅是目前应用最成熟,最广泛的太阳能电池材料,占光伏产业的85%以上。美国SunPower公司最近开发出利用区熔硅制作太阳能电池技术,其产业化规模光电转换效率达到20%,为目前产业化最高水平,其综合性价比超过直拉单晶硅太阳能电池(光电转换效率为15%)和多晶硅太阳能电池(光电转换效率为12%)。这项新技术将会极大地扩展区熔硅单晶的市场空间。据估计,到2010年,其总的市场规模到将达到电力电子需求规模,这是本项目新的市场机会。

3、制作射频器件和微电子机械系统(MEMS)

区熔单晶还可以用来制作部分分立器件。另外采用高阻区熔硅制造微波单片集成电路(MMIC)以及微电子机械系统(MEMS)等高端微电子器件,被广泛应用于微波通讯、雷达、导航、测控、医学等领域,显示出巨大的应用前景。这也是区熔单晶的又一个新兴的市场机会。

4、制作各种探测器、传感器,远红外窗口

探测器、传感器是工业自动化的关键元器件,被广泛应用于光探测、光纤通讯、工业自动化控制系统中以及医疗、军事、电讯、工业自动化等领域。高纯的区熔硅单晶是制作各种探测器、传感器的关键原材料,其市场增长趋势也很明显。

图片参考:

http://www.sinosi.com/chinese/Products%20Gallcry/Semi-Silica/Semi-Conductor%20Silicon.htm

http://www.istis.sh.cn/list/list.asp?id=2214


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