为什么都说半导体几年内能干掉韩国

修改了2018年的个别用词，现在虽然国际环境大变，没太多时间修改，先这样了。。。

我是韩国半导体博士，回国985高校教师，个人认为，说半导体几年内干掉韩国纯粹是给自己人希望而已，当然也要看怎么说。下面我简单的分析几点，详细的内容只有上我的课才会说^_^：

半导体产业做的好，最重要的是防震的实验室、高端设备、人才。韩国历史上没有自然灾害，也没地震，自称“上帝是韩国的”，国内难以找到这种地方；就算找到了，高端设备国外对中国禁运，中国能自己研发的话，那国产发动机早比国外牛了；国外的半导体人才都是学生亲自上手做实验，国内因为设备少且质量差，学生还多，所以干脆都是聘的工程师，硕士博士生很难亲自动手，设计的芯片很多都是纸上谈兵，也就搞个理论，真用的话没法用。还有个问题，韩国各大半导体公司基本免费给高校的学生代工，政府按照代工量给他们降税，这样，学生们设计的很复杂的芯片，不想自己动手的（有时一个工序自己做要10个月，最后可能还发现设计失误了），可以拿到与设计高度吻合的便宜芯片（2013年，0.18um工艺，5000元人民币左右），当然，这个政府支持在日本、中国台湾、欧洲都有，但大陆没有。

半导体产业如果真要大力发展，国家要做好既费钱又没成效的阶段，有好的团队且运气好的话，这个阶段大概十年，也就是找到了国外做的并不很好而且自己还有很巧妙可用的idea才行，半导体行业，在产品领域，一种产品基本只有一个公司是挣钱的，剩下的是怀着希望投钱干，但是，十年的过程中，领导2个任期都过了，这个工作没给他产生任何政绩，领导会大力支持么？

个人认为有一个解释方法是可以说马上超过韩国的，那就是中国台湾。韩国半导体卧薪尝胆20多年，终于在2000年后干死了日本，原因是日本地震厉害，实验室的造价是韩国的四倍（韩国的实验室价钱基本与所有设备之和持平），所以日本芯片成本高，被韩国的价格战干死了，临死前，日本首席经济大臣跟韩国进行了谈判，希望保留不到10分之一的半导体芯片公司，让韩国给个生路，因为他们希望技术能够延续下去。韩国答应了，结果日本随手就卖给了台湾，让台湾去报仇，正好赶上在2012年12月，韩国半导体领域发生了一件事，在济州岛开了个半导体全国会议（我也去了，我其实每年都去），这次会议成了一个里程碑，因为这次会上半导体相关的公司、高校、研究所聚在一起讨论了一个问题“10nm以下半导体工艺还继续研究不？”，主要是因为这个尺度量子效应渐渐明显，经典物理基础上的仿真计算都不能保证芯片可靠性了，需要从头研发的内容太多，造价太高，讨论结果是不干了。结果2015年，台积电10nm芯片一出，打了韩国棒子一个响亮的耳光，弯道超车了。当然，这只是工艺部分，在拓扑结构，存储，IC等设计领域，棒子依旧坚挺。

总的来说，希望不能丢，差距还是客观对待。很多科研大佬肯定要这么说，不然国家对这个绝望了的话，怎么给科研经费?反过来讲，科研经费不足，就更不可能追上了，最后芯片成为棒子的暴利产品。所以这些大佬这么说，也是为了国家发展不得已，我们还是要理解、谅解、支持。

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。

半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

扩展资料：

人物贡献:

1、英国科学家法拉第(MIChael Faraday，1791~1867)

在电磁学方面拥有许多贡献，但较不为人所知的，则是他在1833年发现的其中一种半导体材料。

硫化银，因为它的电阻随着温度上升而降低，当时只觉得这件事有些奇特，并没有激起太大的火花；

然而，今天我们已经知道，随着温度的提升，晶格震动越厉害，使得电阻增加，但对半导体而言，温度上升使自由载子的浓度增加，反而有助于导电，这也是半导体一个非常重要的物理性质。

2、德国的布劳恩(Ferdinand Braun，1850~1918)。

注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关，这就是半导体的整流作用。

但直到1906年，美国电机发明家匹卡(G. W. PICkard，1877~1956)，才发明了第一个固态电子元件：无线电波侦测器(cat’s whisker)，它使用金属与硅或硫化铅相接触所产生的整流功能，来侦测无线电波。

在整流理论方面，德国的萧特基(Walter Schottky，1886~1976)在1939年，于「德国物理学报」发表了一篇有关整流理论的重要论文，做了许多推论，他认为金属与半导体间有能障(potential barrier)的存在，其主要贡献就在于精确计算出这个能障的形状与宽度。

3、布洛赫(Felix BLOCh，1905~1983)

在这方面做出了重要的贡献，其定理是将电子波函数加上了周期性的项，首开能带理论的先河。

另一方面，德国人佩尔斯(Rudolf Peierls， 1907~ ) 于1929年，则指出一个几乎完全填满的能带，其电特性可以用一些带正电的电荷来解释，这就是电洞概念的滥觞；

他后来提出的微扰理论，解释了能隙(Energy gap)存在。

参考资料来源：百度百科-半导体

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