深紫外发光光谱（PL）测试

1. 深紫外发光光谱技术简介

深紫外发光光谱是研究半导体材料物理性质的一种重要手段。通常所说的半导体发光是半导体中电子从高能态跃迁至低能态时，伴之以发射光子的辐射复合。我们利用深紫外激光器产生的激光或电子q发出的电子束到达样品室并入射到样品表面，样品发出的荧光信号被收集进入单色仪，该信号经单色仪分光后由探测系统探测，计算机对探测信号进行采集并形成最终的深紫外发光光谱。

2. 供测量的光谱类型及其应用范围

光致发光（PL）：使用飞秒激光激发样品，波长：（1）177nm；（2）210nm-330nm可调；（3）345nm-495nm可调；（4）690nm-990nm可调。PL光谱可以实现稳态光谱和瞬态（时间分辨）光谱的测量。稳态光谱可用于研究半导体材料的基本物理性质，如晶体结构、电子态、声子结构、杂质、缺陷、激子复合机制等。瞬态光谱采用条纹相机探测，既可以得到不同时刻的时间分辨光谱，也可以得到某一波长处的荧光衰退曲线，时间分辨率为2ps。可以用来研究半导体材料载流子动力学性质。

阴极荧光（CL）：使用电子束激发样品，最大能量30keV。可用于表征宽禁带半导体材料性质。波长扫描范围：170nm-800nm。

3、深紫外发光光谱测试设备介绍：

1. PL光谱

技术参数与能力：

波长：690nm-990nm，345nm-495nm和210nm-330nm三个波段内可调，最小激光波长可达177nm

波长扫描范围：170nm-800nm

温度范围：8K-350K

时间分辨率(瞬态光谱)：2ps

狭缝、步长及激光功率视具体情况而定

2. CL光谱

技术参数与能力：

电子束能量：最高可达30keV

波长扫描范围：170nm-800nm

温度范围：8K-350K

狭缝和步长视具体情况而定

-------------米格实验室

深紫外全固态激光源是指输出波长在200纳米以下的固态激光器。与同步辐射和气体放电等非相干光源相比，它具有高光子能量、高光谱分辨率、强光子流和高密度、低重复率到高重复率以及在纳秒，皮秒和飞秒模式多次运行的特点。长期以来，这种实用、精密的激光光源在深紫外波段一直缺乏，制约了深紫外波段科学仪器和前沿研究的发展。

中国科学院研究

深紫外非线性光学晶体KBBF

十多年来，在财政部，专项资金的支持下，它突破了四元相图和局部自发成核生长等技术，在国际上率先生长出大尺寸晶体。棱镜耦合装置是晶体的一项特殊使用技术（已被中国，美国和日本授予发明专利），它突破了非线性波长调节和光束指向精确补偿技术，成功研制出八个国际上第一个深紫外全固态激光光源，使中国成为世界上唯一掌握精密实用的深紫外激光技术的国家。深紫外全固态激光光源的成功研制引起了国内外的广泛关注。几十所国外著名大学和研究机构已经向中科学院提出了购买或合作的要求。为了发展我国自主的科学仪器设备，促进我国深紫外领域前沿研究的发展，中科学院暂时禁止相关技术出口国外，并组织院内优势力量成功开发出了

深紫外拉曼光谱仪、深紫外光电子发射显微镜、深紫外激光光化学反应仪、深紫外激光光致发光光谱仪、深紫外激光自旋分辨角分辨光电子能谱仪、深紫外激光原位时空分辨隧道电子谱仪、基于飞行时间能量分析器的深紫外激光角分辨光电子能谱仪、光子能量可调深紫外激光光电子能谱仪8种

世界上第一台深紫外尖端设备，并在

高温超导、催化反应、石墨烯、拓扑绝缘体和超宽禁带半导体等

在前沿科学研究领域，中国不断取得重要的先进成果，在《自然》及其子期刊等国际顶级期刊上发表了近100篇文章论文，不断推动相关科学仪器行业的科技进步，有望开创科技新前沿。财政部和中科学院在原创重大科研设备开发项目的管理方面进行了大量创新，学科交叉广、跨度大、探索性和工程性强，目前已形成了深紫外

“材料－器件－装备－科学研究”

完整的创新链。此项目已经成为自主研发高精度仪器的成功范例。

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