半导体光刻技术，什么是半导体光刻技术

光刻技术主要应用在微电子中。它一般是对半导体进行加工，需要一个有部分透光部分不透光的掩模板，通过曝光、显影、刻蚀等技术获得和掩模板一样的图形。先在处理过后的半导体上涂上光刻胶，然后盖上掩模板进行曝光；其中透光部分光刻胶的化学成分在曝光过程中发生了变化；之后进行显影，将发生化学变化的光刻胶腐蚀掉，裸露出半导体；之后对裸露出的半导体进行刻蚀，最后把光刻胶去掉就得到了想要的图形。光刻技术在微电子中占有很大的比重，比如微电子技术的进步是通过线宽来评价的，而线宽的获得跟光刻技术有很大的关系。光刻技术就是在需要刻蚀的表面涂抹光刻胶，干燥后把图形底片覆盖其上，有光源照射，受光部分即可用药水洗掉胶膜，没有胶膜的部分即可用浓酸浓碱腐蚀表面。腐蚀好以后再洗掉其余的光刻胶。现在为了得到细微的光刻线条使用紫外线甚至X射线作为光源。

光刻板正版和负版的区别：

光刻正版是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。

负版是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。

比较常见的方法是通过有机溶剂将其溶解的方法将其去除，例如利用丙酮浸泡光亥刻版，在浸泡的同时可以超声提高浸泡效果。

光刻板清洗工艺：

光刻胶及其他有机污染物的去除，对于比较干净的光刻版，浸泡基本就能将有机污染物去除干净。对于光刻胶较多的光刻版，浸泡只能将光刻胶泡软，还需要用无尘布或无尘棉蘸丙酮轻轻擦洗，或在光刻版清洗设备中采用毛刷刷洗，通过外力将顽固的光刻胶去除掉。

毛刷刷洗光刻版匀速旋转，喷嘴向光刻版表面喷洒丙酮等化学液，使得光刻胶由于溶解而变得松软，然后毛刷接触到光刻板表面，光刻板旋转时与毛刷产生相对运动，辅以喷嘴喷出的化学液，对光刻版表面起到刷洗作用。

刷洗完成后，通常采用高压 DI 水冲洗光刻版，通过高压微细水滴的冲击力去除仍然吸附在光刻版表面的剩余光刻胶。

基本信息：

光掩膜是刻有微电路的版，光刻版，由表面纯平并带有一层铬的石英板或玻璃板制作而成，蚀刻后的残留铬部分即为设计的微电图。这种制版方式在掩膜行业称为光透。

半导体集成电路制作过程通常需要经过多次光刻袭工艺，在半导体晶体表面的介质层上开凿各种掺杂窗口、电*接触孔或在导电层上刻蚀金属互连图形。光刻工艺需要一整套（几块zhidao多至十几块）相互间能套准的、具有特定几何图形的光复印掩蔽模版。

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