乾照光电，聚灿光电基本面研究

乾照光电：20cm第三代半导体板块前排

1、2020年2月21日公司在互动平台称：公司与 深圳第三代半导体研究院的合作是全方位多层次的深度合作 ，在该平台上研发的技术包括但不仅限于氮化镓和Micro-LED。

2、公司主要从事全色系超高亮度 LED外延片、芯片、高性能砷化镓太阳电池外延片、Mini-LED/Micro-LED以及VCSEL等化合物半导体器件 的研发、生产与销售，产品性能指标居国际先进水平。目前，公司拥有超过11万平方米的现代化洁净厂房，上万台（套）国际最先进的外延生长和芯片制造等设备。产品广泛应用于 数码、点阵、显示屏、交通信号灯 等领域；生产的高效砷化镓 太阳电池外延片 达到了国际先进水平，已成功应用于我国研制的多颗卫星。

3、随着行业细分领域Mini LED产业链渐趋成熟，渗透率有望快速提升，国际大厂下半年有望将其导入主流产品，带动LED价格复苏，将给LED产业链带来新的业务增长动力。据Trendforce预计， 2024年全球Mini LED/Micro LED市场规模有望达到42亿美元。

4、8 月 27日，乾照光电披露2020年半年度报告，实现营业收入4.92亿元，同比增长4.28%；归属于上市公司股东的净亏损1.78亿元，上年同期盈利498.07万元；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益后的净亏损2.05亿元，上年同期亏损5448.68万元；基本每股亏损0.25元。

5、公司业绩的大幅亏损主要受新冠病毒疫情及整个行业环境的影响，LED芯片市场 价格持续走低 ，同时公司根据市场需求调整投产计划、以及 南昌蓝绿芯片项目上半年仍处于产能逐步释放阶段 ，致使设备稼动率处于低位，从而产量与固定成本不匹配导致单片完工成本偏高，综合上述两方面不利影响致使毛利率同比下降约18个百分点。

6、 2020年半年报告期内，公司坚守LED主业，通过扩产及规模战略布局， 红黄光领域 ，公司在扬州实施的红、黄光LED芯片及三结砷化镓太阳能电池的扩产项目，高端倒装芯片、红外芯片等产品已经批量生产并对外供货； 蓝绿光领域 ，公司南昌基地项目建设如期完成，产能逐步提升； 高端化合物芯片领域 出资15.9亿元建设VCSEL、高端LED芯片等半导体研发生产项目按照计划建设中；目前公司已具备大规模量产和出货VCSEL的能力。

7、6月12日，乾照光电的 VCSEL、高端LED芯片等半导体研发生产项目 举行了项目开工奠基仪式。据乾照光电相关公告， 该项目总投资约15.97亿元，预计建设期1.9年，建设的第2年投产。 项目投产后，预测达产后年销售收入9.66亿元， 达产年利润总额2.37亿元 ，达产年投资利润率17.71%，投资利税率18.63%，全部投资所得税后财务内部收益率为21.72%；投资回收期6.01年。

聚灿光电 GaN+35亿氮化镓、砷化镓芯片投资

1、020年2月19日互动：公司的主要产品为GaN基高亮度蓝光LED芯片及外延片。2019年12月20日公司在互动平台称：公司坚持聚焦资源、做强LED主业的发展战略。公司主营高光效LED外延片、芯片，并非OLED方面。所有LED芯片都属于公司业务范围，因此公司布局了miniLED方面的技术。

2、9月4日午间公告 子公司签订《宿迁经济技术开发区工业项目进区投资合同书》，聚灿光电扩产项目主要产品为Mini/Micro LED氮化镓、砷化镓芯片，项目总投资约35亿元，其中固定资产投资约 300000 万元（含设备投入 270000 万元以上）。投资原因是随着技术进步、应用领域的不断扩大、市场规模以及行业渗透率的不断提高，国内LED芯片行业整体呈现增长趋势，行业集中度逐步提高，LED芯片高端新兴应用的市场规模快速提高。

3、公司主营业务为LED外延片及芯片的研发、生产和销售业务，并围绕LED照明应用为核心提供合同能源管理服务，公司的主要产品为GaN基高亮度蓝光LED芯片及外片。2017-2019年净利润为1.10亿、2037万和814万，2020年中报净利润1367.83万元，同比去年增长76.02% 。2019年LED芯片及外延片营收7.72亿，占比67.52%。

4、公司的主要产品为 GaN 基高亮度蓝光 LED 芯片及外延片，公司所生产的高亮度蓝光 LED 芯片经下游封装后可广泛应用于照明及背光源等中高端应用领域。 公司产品位于 LED 产业链上游，技术门槛和附加值均较高 。基于对行业发展趋势的判断，积极推动实施“高光效LED芯片扩产升级项目”，在实现产能攀升的同时及时调整产品结构，在目前高压、倒装、背光及高光效产品外， 重点发力以Mini/Micro LED、车用倒装芯片等为代表的高端LED芯片产业布局。

易事特 碳化硅、氮化镓+智慧能源解决方案供应商

1、2020年2月26日互动：易事特作为国家第三代半导体产业技术基地（南方基地）第二大股东及推动产业创新技术发展的核心成员单位，现主要负责碳化硅、氮化镓功率器件的应用技术研发工作。公司已经研发出基于碳化硅、氮化镓器件的高效DC/AC, 双向DC/DC新产品。

2、易事特主要围绕智慧城市&大数据、智慧能源（含储能系统、微电网、充电桩、云计算、逆变器）及轨道交通（含监控、通信、供电）三大战略新兴产业。2017-2019年净利润7.14亿、5.65亿和4.12亿，2020年上半年净利润1.86亿元，同比去年增长-30.95% 。

3、智慧城市和智慧能源系统解决方案优质供应商。公司在国内 UPS 行业中处于领先地位，市场占有率约为 15%。公司以自产高端智能模块化 UPS、蓄电池、精密空调、精密配电柜、微模方、监控系统等数据中心建设配套的系列产品为基础，大力开展数据中心业务，推广数据中心基础设施整体解决方案。公司在电能质量转换领域技术积累深厚，模块化数据中心 PUE 指标低于全球平均水平。 2020年上半年公司高端电源装备、数据中心营收为147,551.47万元，占比72.93%，同比增长38.85%。

近年数据中心市场规模快速扩张，电力设备占数据中心建设成本近半，运行稳定性是首要关注因素。在数据中心的建设成本中，电力设备成本最高，其占比达 55.6%。而运营成本则主要是折旧及电费，其占比分别为 26%、28%。UPS 能够持续稳定不间断提供电能，是数据中心稳定运行的重要保障。在全球 UPS 市场上，伊顿、施耐德、艾默生三强鼎立，构成 UPS 行业第一梯队。国内以易事特、科华恒盛、科士达为代表的本土厂商构成第二梯队。公司在国内 UPS 行业中技术领先，在不同功率不同应用场景下市占率约为15%-20%。

3、 易事特是新能源 汽车 充电设备环节重要厂商，其大功率直流充电技术领先行业。公司生产的充电桩兼容性强，可满足市面上所有车型充电需求；可靠性高，已在海岛、严寒、高海拔等极端环境下成功应用。充电桩建设释放千亿级市场空间，充电设备业务迎爆发式增长。受益于电动 汽车 渗透率的快速提升，申万宏源预计在 2020、2025 年国内充电桩设备市场空间将分别达到 1165 亿元和2378 亿元。 2020年上半年新能源 汽车 及充电设施、设备等相关销售收入为4,129.36万元，占比2%，同比下降30.45%。

4、 储能系统逐步实现产业化，有望形成业绩新增长点。公司积极布局储能系统及微电网技术，现已研制开发出了全系列储能变流器产品、双向直流变换器产品、储能电站能量管理系统等核心关键产品，以及储能电站及微电网系统解决方案。智能微网与储能系统已逐步实现产业化，有望形成公司业绩新增长点。

5、控股股东将变更为华发集团，国资背景有望加强公司资金、资源优势。2018年11月华发集团将采取现金收购方式，收购东方集团持有的上市公司 29.9%的股份，华发集团实际控制人为珠海市国资委，拥有以城市运营、房产开发、金融产业、产业投资四大核心主业，以商贸服务、文体教育及现代服务等为综合配套业务的“4+2”业务格局，2016 起连续三年入榜中国企业 500 强，最新排名为 352 位。 （部分资料来自于申万宏源证券）

民德电子：投资晶睿电子布局半导体大硅片

1、6月15日晚间公告，公司向3家对手方合计收购广微集成45.95%股权，股权转让金额为4341.9万元，本次收购完成后，公司共持有广微集成73.51%的股权。公告表示，通过本次收购，公司可以进一步深化半导体产业布局，进一步提升公司现有主营条码识别业务芯片的定制设计能力，促进条码识别产业的半导体化。

2、7月24日公告，拟向浙江晶睿电子 科技 有限公司增资9000万元，增资完成后目标公司注册资本总额由2000万元增至2818.1818万元，公司持有其29.0323%股权。晶睿电子主要从事半导体硅片的研发、生产和销售，是一家半导体硅片制造企业。

晶睿电子目前在筹办期，拟建设半导体硅外延片生产项目，建设完成后， 公司主营业务为6、8、12英寸高性能硅外延片的研发、制造和销售 。其主要产品包括在硅抛光片上的外延，器件工艺过程中的埋层外延，以及功率器件Cool MOS中的外延等。同时， 晶睿电子会从事硅基GaN和SiC外延的研发和小批量生产。

晶睿电子项目为“老团队，新平台”，以张峰博士为首的核心技术团队，是 国内最早从事半导体大硅片技术攻关的技术骨干，承接过一系列与大硅片有关的国家技术攻关项目，见证了中国大硅片生产技术的演进和发展 。该团队有丰富、成熟的大硅片产业化经验，行业上下游资源积淀深厚，对半导体以及大硅片产业的发展趋势和技术迭代路线有着清晰、深刻的理解。

4、公司通过参股投资晶睿电子布局半导体大硅片业务，此次投资契合民德电子的战略发展规划，有助于民德电子进一步深化半导体产业布局，从而延伸功率半导体产业链，增强公司产业竞争力；同时也有助于公司半导体设计业务与晶睿电子发挥协同效应，扩大经营规模，提升经营效率，从而开拓更广阔的市场空间。

日前，华为旗下哈勃投资入股山东天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料再次走入大众视野，引起业界重点关注。

事实上，随着半导体技术不断进步，对半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高，传统硅半导体材料逐渐无法满足性能需求，碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料凭借着优异的性能，早已成为当前世界各国竞相布局的焦点，我国在加速发展集成电路产业的同时，把发展第三代半导体技术列入国家战略。

如今5G时代到来，将推动半导体材料实现革命性变化。其中，氮化镓器件以高性能特点广泛应用于通信、国防等领域，其市场需求有望在5G时代迎来爆发式增长。风口来临，我国目前有哪些企业在布局？下面将从衬底、外延片、制造及IDM几大分类盘点国内氮化镓主要企业。

GaN衬底企业

东莞市中稼半导体 科技 有限公司

东莞市中镓半导体 科技 有限公司成立于2009年1月，总部设于广东东莞，总注册资本为1.3亿元人民币，总部设立厂房办公区等共17000多平方米，并在北京有大型研发中心，为中国国内一家专业生产氮化镓衬底材料的企业。

官网显示，中镓半导体已建成国内首家专业的氮化镓衬底材料生产线，制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底，并能够稳定生产。2018年2月，中镓半导体实现4英寸GaN自支撑衬底的试量产。

东莞市中晶半导体 科技 有限公司

东莞市中晶半导体 科技 有限公司成立于2010年，是广东光大企业集团在半导体领域继中镓半导体、中图半导体后布局的第三个重点产业化项目。

中晶半导体主要以HVPE设备等系列精密半导体设备制造技术为支撑，以GaN衬底为基础，重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术，并向新型显示模组方向延展；同时，中晶半导体将以GaN衬底材料技术为基础，孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术，并进行全球产业布局。

苏州纳维 科技 有限公司

苏州纳维 科技 有限公司成立于2007年，致力于氮化镓单晶衬底的研发与产业化，实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术，现在是国际上少数几家能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位之一。

据官网介绍，目前纳维 科技 GaN单晶衬底产品已提供给300余家客户使用，正在提升产能向企业应用市场发展，重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大领域。

镓特半导体 科技 （上海）有限公司

镓特半导体 科技 （上海）有限公司成立于2015年4月，主要从事大尺寸的高质量、低成本氮化镓衬底的生长，以推动诸多半导体企业能够以合理价来购买并使用氮化镓衬底。镓特半导体已自主研发出HVPE设备，并用以生长高质量的氮化镓衬底。

官网显示，借助自主研发的HVPE设备，镓特半导体已成功生长出4英寸的自支撑氮化镓衬底。镓特半导体表示，未来几年内将建成全球最大的氮化镓衬底生长基地，以此进一步推广氮化镓衬底在半导体材料市场上的广泛应用，并将依托自支撑GaN衬底进行中下游的高端LED、电力电子及其他器件的研发和制造。

GaN外延片企业

苏州晶湛半导体有限公司

苏州晶湛半导体有限公司成立于2012年3月，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。2013年8月，晶湛半导体开始在苏州纳米城建设GaN外延材料生产线，可年产150mm氮化镓外延片2万片；2014年底，晶湛半导体发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品。

官网介绍称，截至目前，晶湛半导体已完成B轮融资用于扩大生产规模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月产能达1万片。晶湛半导体现已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。

聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司

聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司成立于2018年6月，专注于电力电子应用的外延材料增长。针对外延材料市场，聚能晶源正在开发硅基氮化镓材料生长技术并销售硅基氮化镓外延材料作为产品。

2018年12月，聚能晶源成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时，保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性，可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。

北京世纪金光半导体有限公司

北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月，经过多年发展，世纪金光已成为集半导体单晶材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体的、贯通第三代半导体全产业链的企业。

在碳化硅领域，世纪金光已实现碳化硅全产业链贯通，氮化镓方面，官网显示其目前则以氮化镓基外延片为主。

聚力成半导体（重庆）有限公司

聚力成半导体（重庆）有限公司成立于2018年9月，是重庆捷舜 科技 有限公司在大足区设立的公司。2018年9月，重庆大足区政府与重庆捷舜 科技 有限公司签约，拟在重庆建设“聚力成外延片和芯片产线项目”。

2018年11月，聚力成半导体（重庆）有限公司举行奠基仪式，项目正式开工。该项目占地500亩，计划投资50亿元，将在大足高新区建设集氮化镓外延片、氮化镓芯片的研发与生产、封装测试、产品设计应用为一体的全产业链基地。2019年6月5日，该项目一期厂房正式启用，预计将于今年10月开始外延片的量产。

GaN制造企业

成都海威华芯 科技 有限公司

成都海威华芯 科技 有限公司成立于2010年，是国内首家提供6英寸砷化镓/氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工企业。据了解，海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建，2015年1月，海特高新以5.55亿元收购海威华芯原股东股权，并以增资的方式取得海威华芯52.91%的股权成为其控股股东，从而涉足高端化合物半导体集成电路芯片研制领域。

海威华芯6英寸第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线已于2016年8月投入试生产。官网显示，海威华芯已开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺，发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓VCSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的进展。

厦门市三安集成电路有限公司

厦门市三安集成电路有限公司成立于2014年，是LED芯片制造公司三安光电下属子公司，基于氮化镓和砷化镓技术经营业务，是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂，服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场，具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。

三安集成项目总规划用地281 亩，总投资额30亿元，规划产能为30万片/年GaAs高速半导体外延片、30万片/年GaAs高速半导体芯片、6万片/年GaN高功率半导体外延片、6万片/年GaN高功率半导体芯片。官网显示，三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线，在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。

华润微电子有限公司

华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的企业，亦是中国本土具有重要影响力的综合性微电子企业，其聚焦于模拟与功率半导体等领域，业务包括集成电路设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试及分立器件，目前拥有6-8英寸晶圆生产线5条、封装生产线2条、掩模生产线1条、设计公司3家，为国内拥有完整半导体产业链的企业。

2017年12月，华润微电子完成对中航（重庆）微电子有限公司（后更名为“华润微电子（重庆）有限公司”）的收购，重庆华润微电子采用8英寸0.18微米工艺技术进行芯片生产，并在主生产线外建有独立的MEMS和化合物半导体工艺线，具备氮化镓功率器件规模化生产制造能力。

杭州士兰微电子股份有限公司

杭州士兰微电子股份有限公司成立于成立于1997年，专业从事集成电路芯片设计以及半导体相关产品制造，2001年开始在杭州建了第一条5英寸芯片生产线，现已成为国内集成电路芯片设计与制造一体（IDM）企业。

近年来，士兰微逐步布局第三代化合物功率半导体。2017年，士兰微打通一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。2018年10月，士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线开工，其中4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元，定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片等。

GaN IDM企业

苏州能讯高能半导体公司

苏州能讯高能半导体有限公司成立于2011年，致力于宽禁带半导体氮化镓电子器件技术与产业化，为5G移动通讯、宽频带通信等射频微波领域和工业控制、电源、电动 汽车 等电力电子领域等两大领域提供高效率的半导体产品与服务。

能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术，目前公司拥有专利256项。该公司在江苏建有一座氮化镓（GaN）电子器件工厂，厂区占地55亩，累计投资10亿元。

江苏能华微电子 科技 发展有限公司

江苏能华微电子 科技 发展有限公司成立于2010年6月，是由国家千人计划专家朱廷刚博士领衔的、由留美留澳留日归国团队创办的一家专业设计、研发、生产、制造和销售以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高 科技 公司。

能华微电子先后承担了国家电子信息产业振兴和技术改造专项的大功率GaN功率电子器件及其材料的产业化项目、国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项的GaN基新型电力电子器件关键技术项目等。2017年，能华微电子建成8英寸氮化镓芯片生产线并正式启用。

英诺赛科（珠海） 科技 有限公司

英诺赛科（珠海） 科技 有限公司成立于2015年12月，该公司采用IDM 全产业链模式，致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。2017年11月，英诺赛科的8英寸硅基氮化镓生产线通线投产，成为国内首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线，主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件。

2018年6月，总投资60亿元的英诺赛科苏州半导体芯片项目开工，今年8月30日项目主厂房封顶，预计12月底生产设备正式进厂，2020年可实现规模化量产。该项目聚焦在氮化镓和碳化硅等核心产品，将打造将成为集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。

大连芯冠 科技 有限公司

大连芯冠 科技 有限公司成立于2016年3月，该公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式，主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售，产品应用于电源管理、太阳能逆变器、电动 汽车 及工业马达驱动等领域。

官网介绍称，芯冠 科技 已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠 科技 在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。

江苏华功半导体有限公司

江苏华功半导体有限公司成立于2016年5月，注册资本为2亿元人民币，一期投入10亿元人民币。官网介绍称，目前公司已全面掌握大尺寸Si衬底高电导、高耐压、高稳定性的GaN外延技术并掌握具有自主知识产权的增强型功率电子器件制造技术。

根据官网显示，华功半导体可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率电子器件用外延片产品，并基于华功自有知识产权的GaN-on-Si外延技术设计和制造，提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。

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