关于半导体晶体管结电容？

也可以这样说。不过，二极管电容（pn结势垒电容）相当于是一种平板电容，究竟是充电还是放电，要决定于电路应用情况。

另外，二极管电容是非线性电容，在正偏时增大，在反偏时减小。正偏时电容虽然增大，但其上的电压只能上升到0.7伏左右，0偏压时电容减小；反偏时虽然电容减小，但电容上的电压可以不断地增大，直到发生雪崩击穿。

两个靠近的金属板就会形成一个电容，二极管的PN结的两个极板也会形成电容，叫结电容。虽然二极管的金属板的面积极小，似乎电容极小，但由于pn结的势垒层极薄，所以两个极板的距离极小，所以实际电容也有几P到几十P。

此电容还与二极管上的电压有关，当反向电压越高，势垒层越厚，结电容就越小。利用这个特点，生产出的 “变容二极管”广泛用在高频电路比如无线通讯系统中。

主要应用

电子电路应用

几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管。半导体二极管在电路中的使用能够起到保护电路，延长电路寿命等作用。半导体二极管的发展，使得集成电路更加优化，在各个领域都起到了积极的作用。二极管在集成电路中的作用很多，维持着集成电路正常工作。

伏安特性曲线：加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：

正向特性：u>0的部分称为正向特性。

反向特性：u<0的部分称为反向特性。

反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。

势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。

变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。如下图所示。

平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。

非平衡少子：PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。

扩散电容：扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为Cd。

结电容：势垒电容与扩散电容之和为PN结的结电容Cj。

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