英文简写 WS ES CS MP分别是什么意思？PVT EVT

WS是Working Sample 产品功能性验证；

ES是 Engineering Sample 制造质量验证评估；

CS是Commercial Sample 依客户所议定之规格对产品进行检验评估，以提供是否承认产品release之依据；

MP是mass product 量产。

项目管理是管理学的一个分支学科 ，对项目管理的定义是：指在项目活动中运用专门的知识、技能、工具和方法，使项目能够在有限资源限定条件下，实现或超过设定的需求和期望的过程。

扩展资料：

项目管理实施把控

1、对项目进行前期调查、收集整理相关资料，制定初步的项目可行性研究报告，为决策层提供建议。协同配合制定和申报立项报告材料。

2、对项目进行分析和需求策划。

3、对项目的组成部分或模块进行完整系统设计。

4、项目管理制定项目目标及项目计划、项目进度表。

5、制定项目执行和控制的基本计划。

6、建立项目管理的信息系统。

7、项目进程控制，配合上级管理层对项目进行良好的控制。

8、跟踪和分析成本。

9、记录并向上级管理层传达项目信息。

10、项目管理项目中的问题、风险和变化。

11、项目团队建设。

12、项目各部门、成员的职责、权限制定

13、各部门、各项目组之间的协调并组织项目培训工作。

14、项目运行的过程控制

15、项目及项目经理考核。

16、理解并贯彻公司长期和短期的方针与政策，用以指导公司所有项目的开展。

参考资料：百度百科-项目管理

首先，电子在半导体中的能级是准连续的，可以近似认为是一簇一簇距离非常近的能级构成--这每一簇能级就是能带，能带和能带之间是有相对较大的能量差的，之间这段距离称为能隙（禁带）。而电子在金属中的能带结构简单，可以认为是一个能级（但和真空中电子能级有差距，后面会讲）

如果你问金属中的电子能否与半导体中的空穴复合，这就涉及到MS接触，就是金属和半岛体接触；（PN结原理不知你知不知道，那是半导体与半导体之间的接触，这里是金属和半导体接触）。

简单来讲，金属内的电子所含有的能量（所处能级记为Ef--就是费米能级，即大多数电子所处的能级）小于金属表面（近似于真空的电子能级E0），我们称电子从金属内部逸出到表面所需要的能量为功函数Wm=E0-Efm（m代表金属）

半导体的能带结构，如果你有所了解的话，会知道在电子（空穴）所处能级是费米能级Ef，导带底能级为Ec，价带顶为Ev；这个不明白也没关系，你就想像费米能级夹在他们两个能级之间，这是大多数电子所处的能级。记半导体电子逸出到表面所需的能量Ws=E0-Efs（s代表半导体）

当接触时（忽略M，S间的间隙），{注意：不同类型的半导体能带结构不同，所以引起的效果也不同}，以n型半导体和金属接触为例（假设Wm>Ws），接触后电子系统统一，即两部分费米能级持平；（不清楚可以自己画画关系，要不就接本半导体物理看看）又由于Wm>Ws，所以Efs>Efm，即电子易从半导体流向金属，使半导体表面带正电（因为原来是中性的，现在带负电的电子走了一部分），金属表面带负电。

如果像你所说到的问题中，带有空穴的半导体（空穴为多子）--P型半导体，和金属接触时（先假设Wm<Ws），你将会发现半导体价带顶和导带底在接触处向下弯曲，构成阻挡层，即空穴易从半导体进入金属，而电子不容易从金属进入半导体，这样的话电子和空穴只能在金属中复合。而如果是Wm>Ws的话，情形相反，半导体价带顶和导带底在接触处向上弯曲，形成反阻挡层，即电子易从金属进入半导体，而空穴不容易从半导体进入金属，这样电子和空穴会在半导体表面进行复合。

至于Wm和Ws的关系如何，这和不同金属元素和半导体掺杂有关。

但应注意的是，如果半岛体表面态密度很大，它可以屏蔽金属接触的影响，即半导体和金属接触时的势垒高度和金属功函数Wm几乎无关，而仅由半导体的表面性质所决定。这个你要想深入了解就自己看书吧。

至于补充问题，当电子在不同能带上迁移时，必须有足够的能量让他跨越禁带的势垒。即使在不同能级间跃迁时也要提供或释放能量。

在半导体器件实现上，一般这些能量都是由外电压提供。

半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。半导体封测是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。

封装过程为：

来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后，被切割为小的晶片，然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板（引线框架）架的小岛上，再利用超细的金属（金、锡、铜、铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘连接到基板的相应引脚，并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护。

塑封之后，还要进行一系列 *** 作，如后固化、切筋和成型、电镀以及打印等工艺。封装完成后进行成品测试，通常经过入检、测试、和包装、等工序，最后入库出货。

典型的封装工艺流程为：划片 装片 键合 塑封 去飞边 电镀 打印 切筋和成型 外观检查 成品测试 包装出货。

扩展资料：

半导体封装测试的形式：

半导体器件有许多封装形式，按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代先进。

半导体封装经历了三次重大革新：

1、在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装，它极大地提高了印刷电路板上的组装密度；

2、在上世纪90年代球型矩阵封装的出现，满足了市场对高引脚的需求，改善了半导体器件的性能；

3、芯片级封装、系统封装等是现在第三次革新的产物，其目的就是将封装面积减到最小。

参考资料来源：百度百科—半导体封装测试

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