衬底与外延片晶圆片的关系:
晶圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节。
衬底(substrate)是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片,衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件,也可以进行外延工艺加工生产外延片。
外延(epitaxy)是指在单晶衬底上生长一层新单晶的过程,新单晶可以与衬底为同一材料,也可以是不同材料。
外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中,硅片最底层是P型衬底硅(有的加点埋层);然后在衬底上生长一层单晶硅,这层单晶硅称为外延层。
再后来在外延层上注入基区、发射区等等。最后基本形成纵向NPN管结构:外延层在其中是集电区,外延上面有基区和发射区。外延片就是在衬底上做好外延层的硅片。因有些厂只做外延之后的工艺生产,所以他们买别人做好外延工艺的外延片来接着做后续工艺。
产品简介:
半导体制造商主要用抛光Si片(PW)和外延Si片作为IC的原材料。20世纪80年代早期开始使用外延片,它具有标准PW所不具有的某些电学特性并消除了许多在晶体生长和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。
历史上,外延片是由Si片制造商生产并自用,在IC中用量不大,它需要在单晶Si片表面上沉积一薄的单晶Si层。一般外延层的厚度为2~20μm,而衬底Si厚度为610μm(150mm直径片和725μm(200mm片)。
1.外延片:外延是半导体工艺当中的一种。
2.在bipolar工艺中,硅片最底层是P型衬底硅,然后在衬底上生长一层单晶硅,这层单晶硅称为外延层,再后来在外延层上注入基区、发射区等等。
3.第三基本形成纵向NPN管结构。
4.芯片:又称微电路、微芯片、集成电路。
5.是指内含集成电路的硅片,体积很小,常常是计算机或其他电子设备的一部分。
6.外延片就是在衬底上做好外延层的硅片。
7.因有些厂只做外延之后的工艺生产,所以他们买别人做好外延工艺的外延片来接着做后续工艺。
碳化硅外延晶片即以碳化硅单晶作为衬底生长的外延片。
碳化硅外延晶片使用领域、行业:外延晶片主要用于各种分立器件的制作,比如SBD、MOSFET、JFET、BJT、SIT和MESFET等,这些器件广泛应用于各个领域,如白色家电、混合及纯电动汽车、太阳能和风能发电、UPS、马达控制、轨道机车、轮船和智能电网等。
碳化硅外延晶片属于半导体行业。
扩展资料:
2012年,中国国内首批产业化3英寸和4英寸碳化硅半导体外延晶片在位于厦门火炬高新区的瀚天泰成电子科技(厦门)有限公司投产。
2013年,瀚天泰成计划试生产6英寸规格的碳化硅外延品片;到2016年,将实现年产碳化硅外延晶片2万片,产值有望达到4.2亿元。
2015年,中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作,解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术,成功研制出了6英寸碳化硅单晶衬底。截至2014年3月,天科合达形成了一条年产7万片碳化硅晶片的生产线。
参考资料来源:凤凰网-中国成功研制国产6英寸碳化硅晶片 年产7万片
和讯网-【央广独家】国内首批商用碳化硅外延晶片在厦门投产
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