解释半导体在光辐射下电导率发生变化的原因?

解释半导体在光辐射下电导率发生变化的原因?,第1张

电导效应,又称为光电效应、光敏效应,是光照变化引起半导体材料电导变化的现象。即光电导效应是光照射到某些物体上后,引起其电性能变化的一类光致电改变现象的总称。当光照射到半导体材料时,材料吸收光子的能量,使非传导态电子变为传导态电子,引起载流子浓度增大,因而导致材料电导率增大。在光线作用下,对于半导体材料吸收了入射光子能量, 若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度, 就激发出电子-空穴对,使载流子浓度增加,半导体的导电性增加,阻值减低,这种现象称为光电导效应。光敏电阻就是基于这种效应的光电器件。

光电导效应指的是:

光电导效应,又称为光电效应、光敏效应,是光照变化引起半导体材料电导变化的现象。即光电导效应是光照射到某些物体上后,引起其电性能变化的一类光致电改变现象的总称。

光电导效应是两种内光电效应中的一种。 所谓内光电效应, 是指受到光照的半导体的电导率σ发生变化或产生光生电动势的现象。

光电导效应的应用:

光电导效应的应用主要体现在光电导材料的应用上。光电导材料是一种灵敏、快速的光电器件。通过它,能灵敏、快速地将接受到的光信号转换成对应的电信号,广泛地应用于国民经济、军事、科学技术等各个部门和社会生活的方方面面,特别是现代高新技术之中。

ACD

本题考查的是传感器方面的知识和闭合电路欧姆定律结合。当照射光强度增大时,其电阻减小,并联电阻减小,所以并联电路两端电压减小,R 2 不变,所以通过其的电流减小,B错误;电路总电阻减小,电路中的干路电流变大,所以R 1 两端的电压变大,即电压表示数变大,A正确;电路中的干路电流变大,内电路损耗变大,所以外电路路端电压降低,D正确;因为电路中的干路电流变大,通过R 2 的电流减小,所以通过R 1 的电流变大,所以小灯泡L的功率增大,C正确。


欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/9134751.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2023-04-25
下一篇 2023-04-25

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存