矽半导体，什么是矽半导体

矽半导体，什么是矽半导体

半导体矽

质量符合半导体器件要求的矽材料。包括多晶矽、单晶矽、矽晶片(包括切片、磨片、抛光片)、外延片、非晶矽薄膜、微晶矽薄膜等。

半导体IP，什么是半导体IP

主要是指的关于半导体的专利技术以及非专利的专有技术。

IP核是具有智慧财产权的、功能具体、介面规范的可以在多个积体电路中重复使用的功能模组，是实现系统晶片的基本构件。 你可以简单理解为设计完善的功能模组。（而这里的【设计】是根据完善程度有不同的形式，可分为三类：软核、固核、硬核）

软核：理解为【程式程式码】，是用硬体描述语言实现对功能模组进行描述（比如用VHDL编写的一个触发器，是文字形式），不包含任何物理实现资讯。（软核特点是对使用者来讲可移植性强、设计周期短、成本低。缺点是物理实现效能不定不全面，产权保护不佳）

固核：除了实现功能模组的程式程式码之外，还包括门级电路综合和时序模拟等设计环节，一般是以门级电路网表的形式提供给使用者。固核可以理解为是不仅包括软核程式程式码，还包括【程式设计师模组设计意图与硬体物理实现之间的规则】。

硬核：基于物理描述，并且已经通过工艺验证可行的，效能有保证。是以电路物理结构掩模版图和全套工艺档案的形式提供给使用者（晶片生产厂家）的。

半导体IP是semiconductor Intelligence Properties 半导体相关的智慧财产权，半导体的智慧财产权

NXP半导体，什么是NXP半导体

恩智浦，全球有名的半导体公司，在多个领域都有作为，比如汽车电子，手机基站，智慧识别，机顶盒等。

什么是半导体，p型半导体，n型半导体

锗、矽、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。

把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊效能的薄层，一般称此薄层为PN接面。图中上部分为P型半导体和N型半导体介面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN接面的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN接面的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

什么是半导体？半导体导电吗？

半导体是指导电能力介于金属和绝缘体之间的固体材料。按内部电子结构区分，半导体与绝缘体相似，它们所含的价电子数恰好能填满价带，并由禁带和上面的导带隔开。半导体与绝缘体的区别是禁带较窄（这就是关键！现在很多曾经被划分为绝缘体的材料也逐渐向半导体一侧靠拢，就是因为现在的技术发展了，我们有更多的手段使价带电子越过禁带激发到到带。比如现在所谓的“宽禁带半导体”），在2～3电子伏以下（这个数字现在已经不确定了）。 典型的半导体是以共价键结合为主的，比如晶体矽和锗（这是最典型的半导体材料，尤其是矽，是现在的主力！）。半导体靠导带中的电子或价带中的空穴导电（“导带中的电子或价带中的空穴导电”，注意这句话。所谓空穴，其实就是电子离开后留下的一个空位，是一个等效概念，为了研究方便，实际中是不存在的，其根本仍旧是电子）。它的导电性一般通过掺入杂质原子取代原来的原子来控制。掺入的原子如果比原来的原子多一个价电子，则产生电子导电；如果掺入的杂质原子比原来的原子少一个价电子，则产生空穴导电

麻烦采纳，谢谢!

什么是I类半导体，P型半导体和N型半导体

我把我知道的写下来吧！

纯净半导体中参入受主杂质后，受主杂质电离，使空穴浓度增加，增强半导体的导电能力，把主要依靠空穴导电的半导体称为P型半导体。 N型半导体同理

半导体封测，什么是半导体封测

就是封装测试啊，所有的电子元器件都要封装的，测试就是测试元器件的

汽车半导体，什么是汽车半导体

半导体是电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。

半导体室温时电阻率约在10-5～107欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。

锗和矽是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

半导体分为本征半导体和杂质半导体。杂质半导体就是我们制作电晶体用的。阁下学将要学电子的吧。半导体顾名思义就是一半是导体,一半是绝缘体.即电流只能从一个方向通过,反向则不能能过.例如:一段铁丝,不论哪个方向接正极都能导电,而半导体是正极接电源正极可以导通,而负极若接电源正级则不能导通,处于绝缘状态。半导体材料一般用矽和锗,多用矽,矽中渗入磷后形成一个PN接面,就可以实现单向导电了。具体应于整流、放大、开关电路中。现在的众多遥控、感测技术都是由开关电路实现了，符合条件了，开关导通，接通相应的电路，而发生相应的动作或功能。

中微半导体，什么是中微半导体

1.晶圆行业 做装置 对身体一定会有影响。

2.薪资待遇 要看你做什么装置的（例如 薄膜，光刻，蚀刻，等等不同制程的装置）

还要看你的学历和工作资历。可以谈价钱。

3.面试 这个不好说，一般较大规模的半导体企业都会有 一面 二面 三面，甚至还有笔试。还得看，面试你的是什么人，有的主管喜欢聊专业性问题 有的主管喜欢拉家常。综合起来的话，首先自己要做好准备。英语，基本功（晶圆行业几乎没有汉字） 机械原理 弱电的应用。

我个人面试，当时是两个小时，基本都是行业相关知识和装置异常的解决方案。

祝你好运

（1）热敏性 半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高，半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗（Ge），温度每升高10度，其电阻率就会减少到原来的一半。

（2）光电特性 很多半导体材料对光十分敏感，无光照时，不易导电；受到光照时，就变的容易导电了。例如，常用的硫化镉半导体光敏电阻，在无光照时电阻高达几十兆欧，受到光照时电阻会减小到几十千欧。半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”。利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等。

近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管，它通过电流时能够发光，把电能直接转成光能。目前已制作出发黄，绿，红，蓝几色的发光二极管，以及发出不可见光红外线的发光二极管。

另一种常见的光电转换器件是硅光电池，它可以把光能直接转换成电能，是一种方便的而清洁的能源。

（3）搀杂特性 纯净的半导体材料电阻率很高，但掺入极微量的“杂质”元素后，其导电能力会发生极为显著的变化。例如，纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米，若掺入百万分之一的硼元素，电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。因此，人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素，精确控制它的导电能力，用以制作各种各样的半导体器件

半导体的导电性能比导体差而比绝缘体强。实际上，半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同，更重要的是半导体具有独特的性能（特性）。

1． 在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加—-这是半导体最显著、最突出的特性。例如，晶体管就是利用这种特性制成的。

2． 当环境温度升高一些时，半导体的导电能力就显著地增加；当环境温度下降一些时，半导体的导电能力就显著地下降。这种特性称为“热敏”，热敏电阻就是利用半导体的这种特性制成的。

3． 当有光线照射在某些半导体时，这些半导体就像导体一样，导电能力很强；当没有光线照射时，这些半导体就像绝缘体一样不导电，这种特性称为“光敏”。例如，用作自动化控制用的“光电二极管”、“光电三极管”和光敏电阻等，就是利用半导体的光敏特性制成的。

由此可见，温度和光照对晶体管的影响很大。因此，晶体管不能放在高温和强烈的光照环境中。在晶体管表面涂上一层黑漆也是为了防止光照对它的影响。最后，明确一个基本概验：所谓半导体材料，是一种晶体结构的材料，故“半导体”又叫“晶体”。

P性半导体和N型半导体----前面讲过，在纯净的半导体中加入一定类型的微量杂质，能使半导体的导电能力成百万倍的增加。加入了杂质的半导体可以分为两种类型：一种杂质加到半导体中去后，在半导体中会产生大量的带负电荷的自由电子，这种半导体叫做“N型半导体”（也叫“电子型半导体”）；另一种杂质加到半导体中后，会产生大量带正电荷的“空穴”，这种半导体叫“P型半导体”（也叫“空穴型半导体”）。例如，在纯净的半导体锗中，加入微量的杂质锑，就能形成N型半导体。同样，如果在纯净的锗中，加入微量的杂质铟，就形成P型半导体。

一个PN结构成晶体二极管----设法把P型半导体（有大量的带正电荷的空穴）和N型半导体（有大量的带负电荷的自由电子）结合在一起，见图1所示。

图1

在P型半导体的N型半导体相结合的地方，就会形成一个特殊的薄层，这个特殊的薄层就叫“PN结”。晶体二极管实际上就是由一个PN结构成的（见图1）。

例如，收音机中应用的晶体二极管，其触丝（即触针）部分相当于P型半导体，N型锗片就是N型半导体，他们之间的接触面就是PN结。P端（或P端引出线）叫晶体二极管的正端（也称正极）。N端（或N端引出线）叫晶体二极管的负端（也称负极）。

如果像图2那样，把正端连接电池的正极，把负端接电池的负极，这是PN结的电阻值就小到只有几百欧姆了。因此，通过PN结的电流（I=U/R）就很大。这样的连接方法（图2a）叫“正向连接”。正向连接时，晶体管二极管（或PN结）两端承受的电压叫“正向电压”；处在正向电压下，二极管（或PN结）的电阻叫“正向电阻”，在正向电压下，通过二极管（或PN结）的电流叫“正向电流”。很明显，因为晶体二极管的正向电阻很小（几百欧姆），在一定正向电压下，正向电流（I=U/R）就会很大----这表明在正向电压下，二极管（或PN结）具有像导体一样的导电本领。

图2a 图2b

反过来，如果把P端接到电池的负极，N端接到电池的正极（见图2b）。这时PN结的电阻很大（大到几百千殴），电流（I=U/R）几乎不能通过二极管，或者说通过的电流很微弱。这样的连接方法叫“反向连接”。反向连接时，晶体管二极管（或PN结）两端承受的电压叫“反向电压”；处在反向电压下，二极管（或PN结）的电阻叫“反向电阻”，在反向电压下，通过二极管（或PN结）的电流叫“反向电流”。显然，因为晶体二极管的正向电阻很大（几百千欧姆），在一定的反向电压下，正向电流（I=U/R）就会很小，甚至可以忽略不计，----这表明在一定的反向电压下，二极管（或PN结）几乎不导电。

上叙实验说明这样一个结论：晶体二极管（或PN结）具有单向导电特性。

晶体二极管用字母“D”代表，在电路中常用图3的符号表示，即表示电流（正电荷）只能顺着箭头方向流动，而不能逆着箭头方向流动。图3是常用的晶体二极管的外形及符号。

图3

利用二极管的单向导电性可以用来整流（将交流电变成直流电）和检波（从高频或中频电信号取出音频信号）以及变频（如把高频变成固定的中频465千周）等。

PN结的极间电容----PN结的P型和N型两快半导体之间构成一个电容量很小的电容，叫做“极间电容”（如图4所示）。由于电容抗随频率的增高而减小。所以，PN结工作于高频时，高频信号容易被极间电容或反馈而影响PN结的工作。但在直流或低频下工作时，极间电容对直流和低频的阻抗很大，故一般不会影响PN结的工作性能。PN结的面积越大，极间电容量越大，影响也约大，这就是面接触型二极管（如整流二极管）和低频三极管不能用于高频工作的原因

---