三氯氢硅光伏级、普通级纯度是多少

三氯氢硅是生产多晶硅的重要原料，全世界多晶硅生产总量的80％以上采用改良西门子法，利用高纯三氯氢硅与氢气在cvd还原炉内进行化学气相沉积反应生成多晶硅，多晶硅的质量优劣很大程度上取决于三氯氢硅的纯度。光伏产业对三氯氢硅的纯度要求一般为6n以上，半导体行业则要求三氯氢硅的纯度达到9n甚至更高，杂质达到ppb级别。但是，通过氯化或冷氢化反应合成的三氯氢硅中杂质含量很高，金属杂质尤其是硼和磷杂质，对多晶硅的电学性能影响极大.如何有效去除三氯氢硅中硼、磷、碳等杂质，是提高多晶硅产品质量的最有效的途径，也是引领该行业技术创新的主要问题之一。

3.现有技术通过精馏的方式或者精馏与吸附相结合的方式除去三氯氢硅中的硼、磷杂质，实现三氯氢硅的提纯，由于吸附剂吸附过程中会放出热量，而吸附柱中吸附剂集中堆积，导致吸附柱散热效果下降，容易造成吸附柱局部超温，导致吸附效果下降，吸附剂失活，当吸附热过高时甚至引发安全事故。

4.因此如何解决吸附剂吸附过程中超温问题，保障吸附剂的正常运行成为该技术领域技术人员的难题。

半导体工业就是通过在本征半导体（比如纯硅）里掺杂质来调节半导体材料导电性和其它物理化学性能的，极微量杂质就会剧烈改变半导体材料的性能，所以整个生产过程必须用去离子水，以减少非必要杂质的引入。去离子水是高纯水，自来水乃至蒸馏水都达不到去离子水的纯度。

一、区别：单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。它们的原子结构排列 单晶是有序排列多晶是无序排列主要是有它们的加工工艺决定的 多晶多采用浇注法生产,就是直接把硅料倒入埚中融化定型而单晶是采取西门子法改良直拉,直拉过程就是一个原子结构重组的过程.二、相同点：原料都是硅。三、太阳能电池的简单介绍：太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”，是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。它只要被光照到，瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。在物理学上称为太阳能光伏（Photovoltaic，photo光，voltaics伏特，缩写为PV），简称光伏。太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。以光电效应工作的薄膜式太阳能电池为主流，而以光化学效应工作的实施太阳能电池则还处于萌芽阶段。四、图示：

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