数字电视的视频压缩技术

论文题目是：数字电视接收机的视频压缩技术

帮写内容：（1）选题依据及研究意义；

（2） 选题研究现状；

（3）研究内容（包括基本思路、框架、主要研究方式、方法

等）

一共是三点，请大家教一下我这三点该怎么写？！

注明：论文我已经写好了：下面是论文提纲(含论文选题、论文主体框架)

论文选题：数字电视接收机的视频压缩技术

第一章：绪论

一、数字电视的发展及视频压缩的必要性；

二、视频图象数字压缩的客观依据；

三、数字电视与接收机（机顶盒）；

四、电视信号模数转换标准；

第二章:数字电视机顶盒技术

一、什么是数字电视机顶盒；

二、数字电视机顶盒的基本原理；

三、数字电视机顶盒的结构；

四、数字电视机顶盒的主要技术；

第三章：视频压缩编码技术

一 空间或时间性编码；

二. 加权；

三. 遍历(Scannng)；

四. 熵编码；

五. 空间性编码器；

六. 时间性编码；

七. 运动补偿；

八. 双向编码；

九. I、P 和B 画面；

十. MPEG 压缩器；

十一. 预处理；

十二. 类和级；

十三. 小波；

第四章：视频图象压缩标准

一、H．261标准；

二、JPEG标准；

三、MPEG-1压缩编码标准；

四、MPEG-2压缩编码标准；

五、MPEG-4压缩编码标准；

结束语 ；

参考文献 ；

问题补充：题目是学校帮我选择的！ 大家可以帮忙把这三点写一下吗？ 我真不知道该怎么写！ 或者大家帮我写前两点也好了~ 谢谢帮我忙的所有朋友！ 拜托各位了！我开题16号就要交了

看看这个能不能帮您！

一、如何选择问题

我一起萦绕于怀的，是在写博士论文开题报告的一年多时间里，导师薛澜教授反复追问的一个问题：“你的 puzzle 是什么？”多少次我不假思索地回答“我的问题就是，中国的半导体产业为什么发展不起来。”薛老师问题以其特有的储蓄，笑而不答。我在心中既恼火又懊丧：这么简单的道理，这么明显的答案，到底哪儿不对了？！

奥妙就在于提出问题的“层次”。不同于政策研究报告，学术文章聚集理论层面、解决理论问题。理论是由一系列前设和术语构造的逻辑体系。特定领域的理论有其特定的概念、范畴和研究范式。只有在相同的概念、视角和范式下，理论才能够对话；只有通过对话，理论才能够发展。极少有硕博论文是创造新理论的，能这样当然最好，但难度很大。我们多数是在既有理论的基础上加以发展，因此，在提出问题时，要以“内行”看得懂的术语和明确的逻辑来表述。审视我最初提出的问题“中国半导体产业为什么发展不起来”，这仅仅是对现象的探询，而非有待求证的理论命题。我的理论命题是：“中国产业政策过程是精英主导的共识过程吗？”在这个命题中，“政策过程”、“精英政治”、“共识诉求”三个术语勾勒出研究的理论大体范围和视角。

其次，选择问题是一个“剥笋”的过程。理论问题总是深深地隐藏在纷繁复杂的现实背后，而发现理论问题，则需要运用理论思维的能力。理论思维的训练是一个长期积累的过程。不过初学者也不必望而却步，大体上可以分“三步走”：第一步，先划定一个“兴趣范围”，如半导体产业、信息产业、农村医疗、高等教育体制等，广泛浏览相关的媒体报道、政府文献和学术文章，找到其中的“症结”或“热点”。第二步，总结以往的研究者大体从哪些理论视角来分析“症结”或“热点”、运用了哪些理论工具，如公共财政的视角、社会冲突范式等。第三步，考察问题的可研究性，也就是我们自己的研究空间和研究的可行性。例如，西方的理论是否无法解释中国的问题？或者同一个问题能否用不同的理论来解释？或者理论本身的前提假设、逻辑推演是否存在缺陷？通过回答这些问题，我们找到自己研究的立足点。不过还要注意我们研究在规定的一到两年时间内，是否可能完成？资料获取是否可行？等等。

最后，如何陈述问题？陈述问题实质上就是凝练核心观点的过程。观点应当来自对现实问题的思考和总结，而不是为了套理论而“削足适履”。中国的政治、经济和社会发展充满动态的、丰富的景象，如何才能用恰当的术语、准确的逻辑表述出来呢？雄心勃勃的初学者往往提出宏伟的概念或框架，但我的建议是尽可能缩小研究范围、明确研究对象，从而理清对象的内存逻辑，保证能在有限的时间内完成规范的学

术论文。如“中国半导体产业政策研究”就是一个非常含糊的陈述，我们可以从几个方面来收缩话题：（ 1 ）时间：从 1980 年到 2000 年；（ 2 ）对象：政府的叛乱者和决策行为，而不是市场、企业、治理结构等；（ 3 ）视角：政治和政府理论中的精英研究；（ 4 ）案例： 908 工程、 909 工程、 13 号文件和《电子振兴》，这是发生在 1980 － 2000 年间半导体政策领域的两个重大工程和两个重要文件。通过这样的明确界定，我们将目光集中在“政策过程”、“精英”、“共识”几个显而易见的概念上，问题也就水落石出了。同时，问题清楚了，我们在筛选信息和资料时也就有了明确的标准，在这个“信息冗余”的时代，能够大大提高研究效率。

二、 如何做文献综述

首先需要将“文献综述（ Literature Review) ”与“背景描述 (Backupground Description) ”区分开来。我们在选择研究问题的时候，需要了解该问题产生的背景和来龙去脉，如“中国半导体产业的发展历程”、“国外政府发展半导体产业的政策和问题”等等，这些内容属于“背景描述”，关注的是现实层面的问题，严格讲不是“文献综述”，关注的是现实层面问题，严格讲不是“文献综述”。“文献综述”是对学术观点和理论方法的整理。其次，文献综述是评论性的（ Review 就是“评论”的意思），因此要带着作者本人批判的眼光 (critical thinking) 来归纳和评论文献，而不仅仅是相关领域学术研究的“堆砌”。评论的主线，要按照问题展开，也就是说，别的学者是如何看待和解决你提出的问题的，他们的方法和理论是否有什么缺陷？要是别的学者已经很完美地解决了你提出的问题，那就没有重复研究的必要了。

清楚了文献综述的意涵，现来说说怎么做文献综述。虽说，尽可能广泛地收集资料是负责任的研究态度，但如果缺乏标准，就极易将人引入文献的泥沼。

技巧一：瞄准主流。主流文献，如该领域的核心期刊、经典著作、专职部门的研究报告、重要化合物的观点和论述等，是做文献综述的“必修课”。而多数大众媒体上的相关报道或言论，虽然多少有点价值，但时间精力所限，可以从简。怎样摸清该领域的主流呢？建议从以下几条途径入手：一是图书馆的中外学术期刊，找到一两篇“经典”的文章后“顺藤摸瓜”，留意它们的参考文献。质量较高的学术文章，通常是不会忽略该领域的主流、经典文献的。二是利用学校图书馆的“中国期刊网”、“外文期刊数据库检索”和外文过刊阅览室，能够查到一些较为早期的经典文献。三是国家图书馆，有些上世纪七八十年代甚至更早出版的社科图书，学校图书馆往往没有收藏，但是国图却是一本不少（国内出版的所有图书都要送缴国家图书馆），不仅如此，国图还收藏了很多研究中国政治和政府的外文书籍，从互联网上可以轻松查询到。

技巧二：随时整理，如对文献进行分类，记录文献信息和藏书地点。做博士论文的时间很长，有的文献看过了当时不一定有用，事后想起来却找不着了，所以有时记录是很有必要的。罗仆人就积累有一份研究中国政策过程的书单，还特别记录了图书分类号码和藏书地点。同时，对于特别重要的文献，不妨做一个读书笔记，摘录其中的重要观点和论述。这样一步一个脚印，到真正开始写论文时就积累了大量“干货”，可以随时享用。

技巧三：要按照问题来组织文献综述。看过一些文献以后，我们有很强烈的愿望要把自己看到的东西都陈述出来，像“竹筒倒豆子”一样，洋洋洒洒，蔚为壮观。仿佛一定要向读者证明自己劳苦功高。我写过十多万字的文献综述，后来发觉真正有意义的不过数千字。文献综述就像是在文献的丛林中开辟道路，这条道路本来就是要指向我们所要解决的问题，当然是直线距离最短、最省事，但是一路上风景颇多，迷恋风景的人便往往绕行于迤逦的丛林中，反面“乱花渐欲迷人眼”，“曲径通幽”不知所终了。因此，在做文献综述时，头脑时刻要清醒：我要解决什么问题，人家是怎么解决问题的，说的有没有道理，就行了。

三、如何撰写开题报告

问题清楚了，文献综述也做过了，开题报告便呼之欲出。事实也是如此，一个清晰的问题，往往已经隐含着论文的基本结论；对现有文献的缺点的评论，也基本暗含着改进的方向。开题报告就是要把这些暗含的结论、论证结论的逻辑推理，清楚地展现出来。

写开题报告的目的，是要请老师和专家帮我们判断一下：这个问题有没有研究价值、这个研究方法有没有可能奏效、这个论证逻辑有没有明显缺陷。因此，开题报告的主要内容，就要按照“研究目的和意义”、“文献综述和理论空间”、“基本论点和研究方法”、“资料收集方法和工作步骤”这样几个方面展开。其中，“基本论点和研究方法”是重点，许多人往往花费大量笔墨铺陈文献综述，但一谈到自己的研究方法时但寥寥数语、一掠而过。这样的话，评审老师怎么能判断出你的研究前景呢？又怎么能对你的研究方法给予切实的指导和建议呢？

对于不同的选题，研究方法有很大的差异。一个严谨规范的学术研究，必须以严谨规范的方法为支撑。在博士生课程的日常教学中，有些老师致力于传授研究方法；有的则突出讨论方法论的问题。这都有利于我们每一个人提高自己对研究方法的认识、理解、选择与应用，并具体实施于自己的论文工作中。

TI公司简介：

德州仪器（Texas Instruments），简称TI，是全球领先的半导体公司，为现实世界的信号处理提供创新的数字信号处理（DSP）及模拟器件技术。除半导体业务外，还提供包括教育产品和数字光源处理解决方案（DLP）。TI总部位于美国得克萨斯州的达拉斯，并在25多个国家设有制造、设计或销售机构。

TI革新史：

1954年 生产首枚商用晶体管；

,wbV1J.p0 1958年 TI工程师Jack Kilby发明首块集成电路（IC）；灵机网"Re4Y)m&M5jVC

1967年 发明手持式电子计算器；灵机网y%}.r&b$z4B z

1971年 发明单芯片微型计算机；

KFF|*EP0 1973年 获得单芯片微处理器专利；

bS+{1h2EI {P0 1978年 推出首个单芯片语言合成器，首次实现低成本语言合成技术；灵机网@#t:oPC:l Ce

1982年 推出单芯片商用数字信号处理器（DSP）；灵机网\5n/rH-mD l!HD

1990年 推出用于成像设备的数字微镜器件，为数字家庭影院带来曙光；灵机网 ZU_Cuf

1992年 推出microSPARC单芯片处理器，集成工程工作站所需的全部系统逻辑；

uB2z$uzdH1e.q/f0 1995年 启用Online DSP LabTM电子实验室，实现因特网上TI DSP应用的监测；

Em[ Ph\gk0 1996年 宣布推出0.18微米工艺的Timeline技术，可在单芯片上集成1.25亿个晶体管；

_+a'SP ie ZK0 1997年 推出每秒执行16亿条指令的TMS320C6x DSP，以全新架构创造DSP性能记录；

.^}xI fX k~7Y0 2000年 推出每秒执行近90亿个指令的TMS320C64x DSP芯片，刷新DSP性能记录，

1s gLQ|c2UuV0 推出业界上功耗最低的芯片TMS320C55x DSP，推进DSP的便携式应用；灵机网|(sPtzD"Y6O

2003年 推出业界首款ADSL片上调制解调器——AR7；

f3bj4}b[ {0 推出业界速度最快的720MHz DSP，同时演示1GHz DSP；灵机网mR/^pX2OBE

向市场提供的0.13微米产品超过1亿件；

}-@Cg*Qg0 采用0.09微米工艺开发新型OMAP处理器。

灵机网$u%`2M A%w,@:c6X X

图为TI公司的LOGO

TI为全球众多的最终用户提供完整的解决方案：

TI在DSP市场排名第一；

Jf.Tit ]$A |y0 TI在混合信号/模拟产品市场排名第一；

S6z]%|aHD~(\0Q0 1999年售出的数字蜂窝电话中，超过半数使用的是TI的DSP解决方案。其中，诺基亚、爱立信、摩托罗拉、索尼等世界主要手机生产厂商均采用TI的DSP芯片；

WQTB PO0 全球每年投入使用的调制解调器中，有三分之一使用TI的DSP。TI是世界上发展最快的调制解调器芯片组供应商；

)k(Tp1_cjk1R8G0 全球超过70%的DSP软件是为TI的DSP解决方案而编写；灵机网 N Ppk7Y&iv)l

TI占有北美图形计算器市场80%以上的份额；灵机网X$R"LN W2X^

TI在世界范围内拥有6000项专利。

封装方式——Socket 架构是主流

S E C C2 封装、F C -P GA 封装、BGA 封装S l o t A 、S o c k e t 3 70 、S o c k e t 4 62 ……现在，如果您 有一段时间不关注IT 媒体或者隔两个月再去一趟配件市场，您必定会惊奇地发现，CPU 又变了。以 市场上最常见的S o c k et 系列为例，主流的F C -P GA 封装对应的自然是S o c k e t 3 70 接口，这种插脚接 口是一种方形的多针角零插拔力插座，插座上有一根拉杆，在安装和更换C PU 时只要将拉杆向上拉 出，就可以轻易地插进或取出CPU 芯片了。在S o c k e t 3 70 插座上可以安装最新的P Ⅲ C o p p e r m i ne 处理器、C e l e r on 系列处理器和VIA 的C y r i x Ⅲ处理器等。

再来看看Slot 系列的Slot 1 和Slot A 。Slot 1 接口方式是由Intel 公司最早提出来的一种狭长 的242 引脚插槽，可以支持采用SEC(单边接触)封装技术的早期Pentium Ⅱ、Pentium Ⅲ和Celeron 处理器。除了接口方式不同外，S l o t 1 所支持的特性与S u p e r 7 系统没有太大的差别。S l o t A 接 口标准则是由A MD 提出的，支持AMD 的K7 处理器。虽然从外观上看S l o t A 与S l o t 1 十分相像，但 是由于它们的电气性能不同，两者并不兼容。

进入2 0 00 年，随着A t h l on 将自己的L 2 C a c he 放入Die(芯片内核)，Socket 接口的A t h l on 出 现也成为可能，于是伴着A M D T h u n d e r b i r d(雷鸟)处理器的诞生，S o c k e t A(也称S o c k e t 4 6 2)封装随之出现。S o c k e t A 接口的大小与S o c k e t 7 和S o c k e t 3 70 类似，但其接口在整体的布局 中缺了一些针脚，这就是为了防止在将S o c k e t 3 70 处理器插入插槽时发生意外的错误。但并不 是所有的T h u n d e r b i r d(雷鸟)处理器都是S o c k e t A 封装，为了支持其O EM 的S l o t A 系统设计， 市场上S l o t A 封装的T h u n d e r b i rd 和S o c k e t A 的雷鸟都可以见到，这也是让普通消费者在选择 时极易产生误会的地方。封装方式的改变表面上看只是外形上的变化，其实不然，技术、成本 和消费者最关心的最终价格与C PU 的封装方式可以说是密不可分的，因此大家在关注C PU 性能的同 时，千万不要忽视了C PU 的封装技术。

三、缓存——全速L2 Cache

缓存就是指可以进行高速数据交换的存储器，它先于内存与C PU 交换数据，因此速度极快，所 以又称为高速缓存。与处理器相关的缓存一般分为两种:L1 Cache(片内缓存)和L2 Cache(二级缓存)。

Pentium 时代的处理器把L1 Cache 集成在CPU 内部，而L2 Cache 则做在主板上以与C PU 外频相同的

频率工作。到了S l o t 1 时代，P e n t i u m Ⅱ处理器的缓存封装方式与旧的S o c k e t 7 架构完全不同， L 2 C a c he 开始做到了处理器上，并以处理器速度一半的频率工作，这便是I n t el 引以为荣的双独立 总线结构。在这种结构中，一条总线联接L2 高速缓存，另一条负责系统内存，这样便使整个系统的速度得到了很大的提高。

后来AMD 在其S u p e r 7 平台的最后一款产品K6-3 中首次使用了三级缓存技术，它包括一个全速 6 4 K B L 1 C a c he，一个内部全速256KB L2 Cache，还有主板上运行在100MHz 频率下的L 3 C a c he 。

这种三级缓存技术使得K6-3 的性能有很大提高，与同频的Pentium Ⅱ相比，其速度也要略快一筹。 而在新一代CPU 技术中，缓存技术得到了更进一步的发展，如A M D D u r o n(钻龙，俗称毒龙)处理器 的L2 Cache 已为6 4 KB，L1 Cache 高达1 2 8 KB，高端的Thunderbird(雷鸟)处理器更是达到了128KBL1 Cache 和256KB L2 Cache 的高速缓存。从理论上讲， L2 Cache 全内置并与处理器同频工作是大势所趋，而这 也正是决定C PU 处理器性能的一个关键环节所在。

四、指令集——M M X 、S S E 和3DNow !唱主角

2000 年的主流CPU 产品似乎更关注于在硬件技术上的 推陈出新，并没有在C PU 指令集方面出更多的新招。应 用最广泛的仍然是Intel 的MMX 、SSE 和AMD 的3DNow!指令集，并且将继续向前发展。而V IA 的 Cyrix Ⅲ处理器则同时支持Intel 的M MX 和AMD 的3DNow!多媒体指令集。

这些型号好多厂家都会生产,但是每个厂家的具体参数有可能不通,所以您要先弄清楚需要哪个厂家 就可以去厂家的网站 进行查找了.

A INTECH(美国英特奇公司)

A- INTECH(美国英特奇公司

AC TEXAS INSTRUMENTS [T1](美国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/

AD ANALOG DEVICES(美国模拟器件公司) http://www.analog.com/

AM ADVANCED MICRO DEVICES（美国先进微电子器件公司） http://www.advantagememory.com/

AM DATA-INTERSIL(美国戴特-英特锡尔公司) http://www.datapoint.com/

AN PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/

AY GENERAL INSTRUMENTS[G1](美国通用仪器公司)

BA ROHM(日本东洋电具制作所)(日本罗姆公司) http://www.rohmelectronics.com/

BX SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/

CA RCA(美国无线电公司)

CA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/

CA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/

CAW RCA(美国无线电公司)

CD FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/

CD RCA(美国无线电公司)

CIC SOLITRON(美国索利特罗器件公司)

CM CHERRY SEMICONDUCTOR(美国切瑞半导体器件公司) http://www.cherry-semi.com/

CS PLESSEY(英国普利西半导体公司)

CT SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/

CX SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/

CXA SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/

CXD SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/

CXK DAEWOO(韩国大宇电子公司)

DBL PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/

DN AECO(日本阿伊阔公司)

D...C GTE(美国通用电话电子公司微电路部)

EA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/

EEA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/

EF THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/

EFB PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/

EGC THOMSON-SGF(法国汤姆逊半导体公司)

ESM PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/

F FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/

FCM FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/

G GTE(美国微电路公司)

GD GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]

GL GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]

GM GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]

HA HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/

HD HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/

HEF PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/

HM， HZ HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/

ICL， IG INTERSIL(美国英特锡尔公司)

IR， IX SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/

ITT， JU ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/

KA， KB SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/

KC SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/

KDA SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/

KIA， KID KEC(韩国电子公司)

KM KS SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/

L SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/

L SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/

LA SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/

LB SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/

LC SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/

LC GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)

LF PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/

LF NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/

LH NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/

LH LK SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/

LM SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/

LM NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/

LM SIGNETICS(美国西格尼蒂公司) http://www.spt.com/

LM FAIRCILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/

LM SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/

LM PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/

LM MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/

LM SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/

LP NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/

LR LSC SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/

M SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/

M MITSUBISHI(日本三菱电机公司) http://www.mitsubishi.com/

MA ANALOG SYSTEMS(美国模拟系统公司) http://www.analog.com/

MAX （美国）美信集成产品公司 http://www.maxim-ic.com/ http://www.maxim-ic.com.cn/

MB FUJITSU(日本富士通公司) http://www.fujitsu.com/

MBM FUJITSU(日本富士通公司) http://www.fujitsu.com/

MC MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/

MC PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/

MC ANALOG SYSTEMS(美国模拟系统公司) http://www.analog.com/

MF MITSUBISHI(日本三菱电机公司) http://www.mitsubishi.com/

MK MOSTEK(美国莫斯特卡公司)

ML PLESSEY(美国普利西半导体公司)

ML MITEL SEMICONDUCTOR(加拿大米特尔半导体公司) http://www.mitelsemi.com/

MLM MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/

MM NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/

MN PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/

MN MICRO NETWORK(美国微网路公司)

MP MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司)

MPS MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司)

MSM OKI(美国OKI半导体公司) http://www.oki.com/

MSM OKI(日本冲电气有限公司) http://www.oki.com/

N NA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/

NC NITRON(美国NITROR公司)

NE SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/

NE PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/

NE MULLARD(英国麦拉迪公司)

NE SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/

NJM NEW JAPAN RADIO(JRC)(新日本无线电公司)

OM PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/

OM SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/

RC RAYTHEON(美国雷声公司)

RM RAYTHEON(美国雷声公司)

RH-IX SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/

S SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/

S AMERICAN MICRO SYSTEMS(美国微系统公司)

SA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/

SAA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/

SAA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/

SAA GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)

SAA ITT(德国ITT-半导体公司) http://www.ittcannon.com/

SAB SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/

SAB AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html

SAF SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/

SAK PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/

SAS HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/

SAS AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html

SAS SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/

SDA (德国西门子公司) http://www.siemens.com/

SC SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/

SE SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/

SE PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/

SG SILICON GENERAL(美国通用硅片公司) http://www.ssil.com/

SG MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/

SG PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/

SH FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/

SI SANKEN(日本三肯电子公司) http://www.sanken-elec.co.jp/

SK RCA(美国无线电公司)

SL PLESSEY(英国普利西半导体公司)

SN MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/

SN TEXAS INSTRUMENTS(TI)(德国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/

SND SSS(美国固体科学公司) http://www.s3.com/

SO SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/

SP PLESSEY(英国普利西半导体公司)

STK SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/

STR SANKEN(日本三肯电子公司) http://www.sanken-elec.co.jp/

SW PLESSEY(英国普利西半导体公司)

T TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/

T GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)

TA TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/

TAA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/

TAA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/

TAA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/

TAA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)

TAA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/

TAA PLESSEY(英国普利西半导体公司)

TAA MULLARD(英国麦拉迪公司)

TBA FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/

TBA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/

TBA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/

TBA HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/

TBA NEC EIECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/

TBA ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/

TBA AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html

TBA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)

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