半导体光电器件产生光生电动势的条件

半导体材料的带隙，具有光伏结构。

1、入射光子的能量大于或等于半导体材料的带隙。半导体材料对一定波长的入射光有足够大的光吸收系数，使入射光子才能被半导体吸收。

2、具有光伏结构。即有一个内建电场所对应的势垒区，才能更好的产生光电动势。

在PN结结构中，由于存在内建电动势垒，在受到光照时，若两端有连接，便会有光电流流过外接电路。即使没有外加偏压，PN结也会产生一个光生电动势。这中效应称为光生伏特效应。

利用半导体PN结光伏效应制成的器件称为光伏器件，也称结型光电器件。

一般有光电池，光电二级管，光电晶体管等。

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